Hallo, ich wollte mal wissen, ob man überhaupt noch germanium dioden oder transistoren in kleinen stückzahlen kaufen kann? also bei reichelt etc, ohne bei pollin zufällig ddr bestände dabei zu haben oder teuer iwelche bei digikey etc bestellen zu müssen? wer kann aufklärung schaffen;)?
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Verschoben durch Admin
Es gibt kaum noch Anwendungsfälle, wo man die wirklich braucht...
...also bei Reichelt gibt es unter aktive Bauelemente/Transistoren sogar eine eigene Gruppe mit 2 Germanium Transistoren. Bei den Dioden wird's wohl ähnlich sein. Wofür meinst Du denn, die zu brauchen? Reparatur eines liebgewonnenen Altgerätes?
Ebay-Suche nach "Germanium" spuckt 463 Treffer aus, das meiste davon sind tatsächlich Halbleiter (der Rest Esoterik-Kram ;-). Ansonsten gibt es z.B. bei Conrad oder Farnell noch ein, zwei Ge-Dioden. Andreas
z.B. Reichelt: AA112, AA118, AA138, AA143. Es gibt auch heute noch etliche Anwendungen, in denen nur Germaniumdiode eingesetzt werden kann... Kai Klaas
Ich verwende Germaniumdioden in Gitarrenverzerrern, um besonders weiche Verzerrungseinsätze zu erhalten. Im Vergleich dazu klingen Siliziumdioden (pn-, Schottky-) völlig anders, zeigen einen harten Begrenzungseinsatz und unangenehmes, rauschhaftes Kratzen. Germaniumdioden, vor allem wenn für beide Halbwellen unterschiedlich viele in Serie geschaltet werden, klingen im Übersteuerbetrieb sehr ähnlich wie Röhrentrioden (ECC83). Germaniumdioden braucht man außerdem dort, wo geringste Schwellenspannung bei gleichzeitig besonders niedriger Sperrschichtkapazität benötigt wird, also im HF-Bereich (z.B. Tastkopf) aber auch manchmal bei Gleichrichtern im NF-Bereich. Nachteilig ist die ausgeprägte Temperaturempfindlichkeit: Über rund 70°C verwandelt sich die Germaniumdiode in einen niederohmigen Widerstand und wird als Diode unbrauchbar. Kai Klaas
Die Shottkydiode BAT62 kann im HF-Bereich die Germaniumdioden zu 90% ersetzen. Nachteil ist nur das die BAT62 im SMD Gehäuse ist. Bedrahtet gibt es glaube ich nur Shottkydioden von Hewlett Packard. Ralph Berres
Bei Bürklin (ja, gewerblich) ca. 15 Typen Dioden und ca 30 Typen Transistoren.
> Ich verwende Germaniumdioden in Gitarrenverzerrern, um besonders > weiche Verzerrungseinsätze zu erhalten. Im Vergleich dazu klingen > Siliziumdioden (pn-, Schottky-) völlig anders, Ähm, beide Dioden haben als Kennlinie I = I0*(exp(U/U0)-1))+1/Rb*(U-Uf0). Der niedrigere Bahnwiderstande der Siliziumdiode lässt sich durch einen höheren externen Reihenwiderstand auf den Wert der Germaniumdiode anheben, die höhere Diffusionsspannung durch simples Rangehen mit der etwa dreifachen Spannung. Da gibt's keine andere Kennlinienform.
... Es gibt kaum noch Anwendungsfälle, wo man die wirklich braucht ... Hier ist einer, der nur mit Germaniumtransistoren geht. Beitrag "Re: Hurra! die 0,6V Grenze ist durchbrochen"
Karl Heinz HF Gleichrichter mit hoher Empfindlichkeit. Bis ca 1000MHz eigenen sich Germaniumdioden sehr gut zur HF Gleichrichtung. Sie wurden lange Zeit bis 2 GHz von Rohde&Schwarz in den HF-Milivoltmeter Typ URV, URV3 und URV4 eingestezt. Später wurden sie dann durch Schottkydioden Typ BAT16 ersetzt. Diese Diode wurde von der Fa. Siemens exklusiv für Rhode&Schwarz entwickelt und gefertigt, und war auf dem freien Markt nie erhältlich. Sie hatte etwa gleich gute Eigenschaften wie die Germaniumdiode GD741 ( welche ebenfalls nicht frei erhältlich war ). Die BAT62 soll angeblich die SMD Version der BAT16 sein, ( letzere war bedrahtet ), hat aber die Empfindlichkeit der GD741 bzw BAT16 nie vollständig erreicht. In dem URV5 wurden lange Zeit auch noch die BAT16 verbaut. Ich kann das deswegen sagen weil ich beide Geräte besitze ( URV4 und URV5 ) und ich versucht habe einen URV4 Durchgangskopf mit Hilfe der BAT62 zu reparieren. Ich habe letztendlich doch bei Rohde die Originaldioden bestellt. Die ca 0,7mV untere Anzeigegrenze des URV4 wurde mit der BAT62 nie erreicht. Bestenfalls ca 2mV. Ralph Berres
>> (...) Siliziumdioden (pn-, Schottky-) völlig anders, > Ähm, beide Dioden haben als Kennlinie > > I = I0*(exp(U/U0)-1))+1/Rb*(U-Uf0). > > Der niedrigere Bahnwiderstande der Siliziumdiode lässt sich durch einen > höheren externen Reihenwiderstand auf den Wert der Germaniumdiode > anheben, die höhere Diffusionsspannung durch simples Rangehen mit der > etwa dreifachen Spannung. Da gibt's keine andere Kennlinienform. Kannst Du das mal konkret in Bauteilen ausdrücken?!!
> ...die höhere Diffusionsspannung durch simples Rangehen mit der > etwa dreifachen Spannung wie soll das gehen? dreifache spannung an der diode, da brennt sie doch weg... bei Oppermann Electronic gibt es noch etliche Ge-Bauelemente http://oppermann-electronic.de/ Bei Reinhöfer Elektronik gab es auch noch einige Restposten an russ. Ge-Transistoren, keine Ahnung, ob das immer noch so ist. vor einiger zeit habe ich einen spannungswandler mit ge-transistoren aufgebaut. der konnte ab 0.09V an aufwärtsregeln (per gepulster spule). dazu muss ich sagen, dass es gar nicht so einfach war, stabile 0.09V zum Ausprobieren zu erzeugen.
Herr_Mann schrieb: > > vor einiger zeit habe ich einen spannungswandler mit ge-transistoren > aufgebaut. der konnte ab 0.09V an aufwärtsregeln (per gepulster spule). > dazu muss ich sagen, dass es gar nicht so einfach war, stabile 0.09V zum > Ausprobieren zu erzeugen. Das wäre in der Tat was interessantes und auch ziemlich sicher neuartig. So weit waren wir noch nie unten. Und das mit erhältlichen Bauelementen?
Karlheinz schrieb: > ... Es gibt kaum noch Anwendungsfälle, wo man die wirklich braucht ... > > Hier ist einer, der nur mit Germaniumtransistoren geht. > > Beitrag "Re: Hurra! die 0,6V Grenze ist durchbrochen" Hm. Wieso wurde mir dieser Thread nicht vorgelegt?!?
>Ähm, beide Dioden haben als Kennlinie > >I = I0*(exp(U/U0)-1))+1/Rb*(U-Uf0). > >Der niedrigere Bahnwiderstande der Siliziumdiode lässt sich durch einen >höheren externen Reihenwiderstand auf den Wert der Germaniumdiode >anheben, die höhere Diffusionsspannung durch simples Rangehen mit der >etwa dreifachen Spannung. Da gibt's keine andere Kennlinienform. Und was machst du mit I0? Für Germanium ist I0 im 10µA-Bereich, für Silizium dagegen im 10nA-Bereich. Das ist ein Unterschied von Faktor 1000... Kai Klaas
Abdul K. schrieb: > Und das mit erhältlichen Bauelementen? simpler AMV mit zwei AC187-Ge-Ts, der eine hatte statt einem R(C) eine Spule aus einer Energiesparlampe, deren gegeninduktive Spannung gleichgerichtet wurde. Bei der eingesetzten Schaltung konnten 0.09V auf ca. 1.5V hochtransformiert werden, Wirkungsgrad ca. 30%. Bei 0.2V hatte man immerhin schon einen Wirkungsgrad von über 50% und kam auf über 2V. Die Frage ist natürlich, wo in der Natur man so niedrige Spannungen bei extremen Stromstärken findet...
'Natur'? Also bei Solarzellen, bei Peltierelementen, bei Thermoelementen. Hab ich was vergessen?
Abdul K. schrieb: > Hab ich was vergessen? 100 Äpfel mit jeweils Kupfer und Eisennagel als Elektroden parallel schalten. :)
Hm. Gute Idee. Wir haben die massig und man bekommt eigentlich nichts dafür. Alle essen geht auch nicht. Bei den ständig steigenden Strompreisen zumindest ne Option.
MaWin schrieb: > Ähm, beide Dioden haben als Kennlinie > > I = I0*(exp(U/U0)-1))+1/Rb*(U-Uf0). Als ich noch elektronische Orgeln baute, haben immer die Musiker bestimmt welches Bauteil eingesetzt wird. Von mathematischen Abhandlungen wollten die nichts wissen.
mhh schrieb: > 100 Äpfel mit jeweils Kupfer und Eisennagel als Elektroden parallel > schalten. :) das klingt aber eher nach hochspannung...
Wenn man die Dynamik eines Apfelhaufens kennt, kann es nur parallel sein!
Abdul K. schrieb: > Thermoelementen was meinst du mit thermoelementen. die dinger, wo zwei verschiedene metalle verbunden sind und die eine seite erhitzt wird? da könnte es sicher sinn machen. bei solarzellen wohl nicht so, die liefern ja quasi mind. 0,6V. wenn es nach weniger aussieht, liegt das daran, dass die spannung durch zu große äußere belastung eingebrochen ist... (oder?)
Abdul K. schrieb: > Wenn man die Dynamik eines Apfelhaufens kennt, kann es nur parallel > sein! so gesehen dürfte es weder parallel, noch in serie gehen ;-) aber selbst wenn alle parallel sind, die anliegende spannung wird weit über 0.1V liegen! (man schaue mal in die spannungsreihe, Fe und Cu)
Herr_Mann schrieb: > Abdul K. schrieb: >> Wenn man die Dynamik eines Apfelhaufens kennt, kann es nur parallel >> sein! > > so gesehen dürfte es weder parallel, noch in serie gehen ;-) Jep. Zwei Stangen quer durch den Haufen treiben. > > > aber selbst wenn alle parallel sind, die anliegende spannung wird weit > über 0.1V liegen! > (man schaue mal in die spannungsreihe, Fe und Cu) Wir wollen maximale Leistung, also Leistunganpassung! Gilt auch für die Solarzelle.
> wie soll das gehen? dreifache spannung an der diode, > da brennt sie doch weg... Nein, es kommt doch ein extra Widerstand davor, damit die Kurve so flach wird wie eine Germaniumdiode (die auch einen hohen Bahnwiderstand hat). Die Kombination aus Silizum und Widerstand hat aber immer noch ihre Knickspannung bei 0.7V und nicht 0.3V, also kann man die Kombination nur so bauen, daß die Kurven übereinstimmen, wenn die Spannung an der Silizium-Kombi etwa 3 mal so hoch ist wie an der Germaniumdiode.
MaWin schrieb: >> wie soll das gehen? dreifache spannung an der diode, >> da brennt sie doch weg... > > Nein, es kommt doch ein extra Widerstand davor, > damit die Kurve so flach wird wie eine Germaniumdiode > (die auch einen hohen Bahnwiderstand hat). ok, dann liegt die spannung aber natürlich nicht direkt an der diode an ;) > Die Kombination aus Silizum und Widerstand hat aber immer > noch ihre Knickspannung bei 0.7V und nicht 0.3V, also > kann man die Kombination nur so bauen, daß die Kurven > übereinstimmen, wenn die Spannung an der Silizium-Kombi > etwa 3 mal so hoch ist wie an der Germaniumdiode. dass alle ge-dioden ihren knickpunkt bei 0.3V haben, halte ich für ein gerücht. dass man bei Ge-dioden von knickpunkt im eigentlichen sinn reden kann, irgendwie auch ;))) ansonsten reicht es ja, wenn die kurven nach einer maßstabsverzerrung hinterher deckungsgleich sind. kann mir das aber fast nicht vorstellen. gibt es eine software, mit der man virtuelle diodenkennlinien aufnehmen kann?
Ich hab irgendwo mal ein Java Audio Applet gesehen mit dem man eine Audiodatei über eine frei definierbare Kennlinie zu jagen (sollte aber zur not auch schnell selbst zusammgengebastelt sein) Leider hab ich den Link nicht mehr :/
.. um mal auf den ersten Beitrag zurückzukommen: bei Pollin gibts ein paar Germaniumtransistoren der Typen AC1..
>ansonsten reicht es ja, wenn die kurven nach einer maßstabsverzerrung >hinterher deckungsgleich sind. >kann mir das aber fast nicht vorstellen. Es funktioniert ja auch nicht. Ich habe es jetzt mal für eine 1N4148 und eine AA118 durchgerechnet und erhalte nur eine Übereinstimmung in zwei Punkten. Von Deckungsgleichheit also keine Spur. Hätte mich auch gewundert, da ich das schon mal vor Jahren ausprobiert habe (Vorlage: Radio RIM Katalog 89, Seite 303). Klang nicht annähernd wie Germanium, sondern kratzig, wie alles aus Silizium... Kai Klaas
... Ich habe es jetzt mal für eine 1N4148 und eine AA118 durchgerechnet und erhalte nur eine Übereinstimmung in zwei Punkten. ... Poste doch bitte deine Berechnungen.
Kannst ja das als Datengrundlage nehmen. Hier hat man zwar eine besonders niederohmige 1N4001 genommen, aber einen brauchbaren Strombereich. http://fh.baalrok.de/AT/prak3_ausarbeitung.pdf Die Diodengleichung steht daneben, die Oszilloskopdiagramme auch.
Hauke Radtki schrieb: > Ich hab irgendwo mal ein Java Audio Applet gesehen mit dem man eine > Audiodatei über eine frei definierbare Kennlinie zu jagen Sollte auch mit LTspice gehen. Dort gibt es Wave-Module mit denen man Signale aus einer *.wav einspeisen kann und umgekehrt. Tom Ekman schrieb: > bei Pollin gibts ein paar Germaniumtransistoren der Typen AC1.. Ebenso bei Reichelt: http://www.reichelt.de/?GROUPID=2904 Dioden: http://www.reichelt.de/?ACTION=4&SEARCH=Germanium
Angehängte Dateien:
-
si_ge.PNG
100 KB
>Poste doch bitte deine Berechnungen. Gerne, siehe Anhang. Siehe auch hier: http://www.mayer-manfred.de/ElL_Versuchsbericht3.doc Man sieht schon mit bloßem Auge, daß das niemals deckungsgleich sein sein kann. Der extrem unterschiedlich ausgeprägte Knick der beiden Dioden ist nämlich nicht eine Frage des Bahnwiderstands, sondern hängt unmittelbar mit den Sättigungsströmen Isi und Ige zusammen, die sich um den Faktor 1000 unterscheiden. Kai Klaas
Nochmal was zu den Äpfeln: Die Säure im Apfel führt zur Energieumsetzung in den Metallstäben. Aber der eigentliche Energieinhalt in Form von Zucker im Apfel ist damit überhaupt nicht erreichbar!
... Sollte auch mit LTspice gehen. .. Fehlt "nur" noch ein Modell für AA 118
Bei Yahoo gibts Mdeolle von AC127 und AC128 http://tech.groups.yahoo.com/group/LTspice/files/%20Examples/Apps/Electric%20Guitar%20Fuzz%20Effect/Distortion%20Preamp/ Zur 1N34 Germanium-Diode: http://www.allaboutcircuits.com/vol_3/chpt_3/14.html oder: .model 1N34A D(Is=2e-7 Rs=7 N=1.3 Cjo=0.5e-12 M=0.27 Eg=0.67 BV=75 IBV=18e-3 Vj=0.1 type=germanium)
Abdul K. schrieb: > Aber der eigentliche Energieinhalt in Form von > Zucker im Apfel ist damit überhaupt nicht erreichbar! Zucker direkt in elektrische Energie umzuwandeln, das wird wohl noch ein Weilchen dauern... ;)
Karlheinz schrieb: > ... Sollte auch mit LTspice gehen. .. > > Fehlt "nur" noch ein Modell für AA 118 habe die AA118-Kennlinie nicht im Kopf, die AA112 würde ich als mehr oder weniger universelle Kennlinie für eine Ge-Diode ansehen... 1N34A hatte ich mal bei EWB implementiert, war irgendwie atypisch, glaube, sie hat einen extrem weichen kennlinienverlauf, selbst für Ge.
Und laut google: .Model AA112 D(Is=1200n N=1.4 Rs=80. +. Cjo=1.2p Tt=18n Eg=0.69)
Herr_Mann schrieb: > Abdul K. schrieb: >> Aber der eigentliche Energieinhalt in Form von >> Zucker im Apfel ist damit überhaupt nicht erreichbar! > > Zucker direkt in elektrische Energie umzuwandeln, das wird wohl noch ein > Weilchen dauern... > ;) Geht doch über katalytische Tieftemperaturtechnik. Kann jede Zelle seit Äonen. Nur Menschen kommen auf die blöde Idee dafür ein Feuer anzumachen und damit einen Großteil der Energie wegen zu hoher Prozeßtemperatur durch den Schornstein zu blasen (und nennen dafür dann Wirkungsgrade über 100%).
Abdul K. schrieb: >> Zucker direkt in elektrische Energie umzuwandeln, das wird wohl noch ein >> Weilchen dauern... >> ;) > Geht doch über katalytische Tieftemperaturtechnik. Kann jede Zelle seit > Äonen. Aber auch nur mit ca. 40% Wirkungsgrad, wobei die Energie, die benötigt wird, um die Glukose erstmal in die Zelle und dann an die richtige Stelle zu bringen, noch nicht abgezogen ist. Bei der Fettverbrennung ist der Gesamtwirkungsgrad noch deutlich schlechter. > Nur Menschen kommen auf die blöde Idee dafür ein Feuer anzumachen und > damit einen Großteil der Energie wegen zu hoher Prozeßtemperatur durch > den Schornstein zu blasen (und nennen dafür dann Wirkungsgrade über > 100%). Ein modernes Kohlekraftwerk schafft auch um die 40% Wirkungsgrad, ist also nicht wesentlich schlechter. Und CO2 kommt bei beiden Verfahren am Ende raus ;-) Andreas
... Ein modernes Kohlekraftwerk schafft auch um die 40% Wirkungsgrad ... Wenn die Abwärme zur Fernwärme wird, sieht die Bilanz besser aus.
Ja, der Wirkungsgrad der Photosynthese-Kette ist verdammt gering. Aber im Gegensatz zu Kohlekraftwerken langfristiger angelegt...
Abdul K. schrieb: > Geht doch über katalytische Tieftemperaturtechnik. Kann jede Zelle seit > Äonen. :) Na denn erfind mal einen Katalysator, der bei der Zuckerspaltung technisch verwertbare Elektronen freisetzt, sprich: Batterie auf, Zucker rein, Strom raus
Alexander Schmidt schrieb: > Und laut google: > .Model AA112 D(Is=1200n N=1.4 Rs=80. +. Cjo=1.2p Tt=18n Eg=0.69) super, danke für die info! letztes jahr hatte ich beim googeln noch nichts in der richtung gefunden, nur die parameter für besagte exotendiode 1N34A
Herr_Mann schrieb: > Na denn erfind mal einen Katalysator, der bei der Zuckerspaltung > technisch verwertbare Elektronen freisetzt, sprich: > Batterie auf, Zucker rein, Strom raus http://www.imtek.de/content/pdf/public/2007/1569031131.pdf Andreas
Andreas Ferber schrieb: > Herr_Mann schrieb: >> Na denn erfind mal einen Katalysator, der bei der Zuckerspaltung >> technisch verwertbare Elektronen freisetzt, sprich: >> Batterie auf, Zucker rein, Strom raus > > http://www.imtek.de/content/pdf/public/2007/1569031131.pdf > > Andreas Im µW-Bereich! Aber sonst ganz interessant der Artikel! Danke für die Info!
Es ist schon möglich mit Silizium Schaltungen zu bauen die ab 0,02V funktionieren. http://www.linear.com/pc/productDetail.jsp?navId=H0,C1,C1003,C1042,C1031,C1060,P90287 Es werden dabei selbstleitende Mosfets verwendet.
ralf schrieb: > mit Silizium Schaltungen zu bauen die ab 0,02V funktionieren. Aber zum Starten braucht auch dieser 0,5V.
Herr_Mann schrieb: > Abdul K. schrieb: >> Geht doch über katalytische Tieftemperaturtechnik. Kann jede Zelle seit >> Äonen. > :) > > Na denn erfind mal einen Katalysator, der bei der Zuckerspaltung > technisch verwertbare Elektronen freisetzt, sprich: > Batterie auf, Zucker rein, Strom raus Im Brennstoffzellen[BSZ]-Bereich tut sich ja gerade viel. Ich würde versuchen über eine bakterielle Umsetzung an Alkohol zu kommen und diesen dann in solcher einer BSZ umzusetzen. Hefe z.B. Zwar hatte ich Biochemie-Leistungskurs und stand da auf Eins, aber ich bin halt doch in die Elektronik gegangen. Tut mir leid!
Alexander Schmidt schrieb:
> Aber zum Starten braucht auch dieser 0,5V.
Wie kommst du darauf? Laut Datenblatt ist die Minimum Start-Up Voltage
typisch 20mV und maximal 50mV.
.... Es ist schon möglich mit Silizium Schaltungen zu bauen die ab 0,02V funktionieren. http://www.linear.com/pc/productDetail.jsp?navId=H... Es werden dabei selbstleitende Mosfets verwendet. ... Genial!
Alexander Schmidt schrieb: > ralf schrieb: >> mit Silizium Schaltungen zu bauen die ab 0,02V funktionieren. > Aber zum Starten braucht auch dieser 0,5V. die 0,5V könnte man ja im zweifelsfall erst mal per Ge bereitstellen und dann das Si "zusschalten"
... Es werden dabei selbstleitende Mosfets verwendet. ... Wo werden die genau verwendet?
@Karlheinz Der Vorteil der selbstleitenden Mosfet ist auch bei 0V Gatespannung zu verstärken. Auf Seite 7 im Datenblatt ist dieser Mosfet mit seinem Drain mit SW verbunden. http://cds.linear.com/docs/Datasheet/3108f.pdf Im Video ist wird bei 2:38 dieser Mosfet gezeigt. http://www.linear.com/designtools/video/product_modules/LTC3108/index.html
> @Karlheinz > Der Vorteil der selbstleitenden Mosfet ist auch bei 0V Gatespannung zu > verstärken. Auf Seite 7 im Datenblatt ist dieser Mosfet mit seinem Drain > mit SW verbunden. > http://cds.linear.com/docs/Datasheet/3108f.pdf > Im Video ist wird bei 2:38 dieser Mosfet gezeigt. > http://www.linear.com/designtools/video/product_mo... @ ralf Fiat Lux: der Hinweis auf das Video hat die Erleuchtung gebracht :) Im Schaltplan ist nicht der depletion mode MOSFET eingezeichnet, sondern der enhancement mode Typ.
Der pdf-Link scheint auch tot zu sein. Ich bekomme nur ein weißes Fenster und kein Download. wget http://cds.linear.com/docs/Datasheet/3108f.pdf bringt ERROR 404: Not Found.
Das Datenblatt ist hier: http://cds.linear.com/docs/Datasheet/3108fa.pdf ralf schrieb: > Wie kommst du darauf? Laut Datenblatt ist die Minimum Start-Up Voltage > typisch 20mV und maximal 50mV. Stimmt, das habe ich falsch gelesen.
Das starten mit einem JFET ist eigentlich seit Jahren usus! Meines Wissens hat aber LTC das erstmals in Silicon gegossen. Bin ich auch bei TI über sowas gestolpert, weiß nicht mehr, könnte sein.
das Starten mit 20mV haben aber nix mit Si oder Ge zu tun, sondern reinweg mit dem Übertrager, der was Verwertbares draus macht für die Ansteuerung des fets.
Der Übertrager in dieser Form reingeschaltet, scheint mir die wirkliche Innovation bei LTC zu sein. Die anderen vorherigen Schaltungen funktionierten nach dem Prinzip Joule-Thief. Wenn LTC das patentiert hat, ist es aber wieder ein Problem - zumindest für Firmen.
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