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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Mosfet Gatespannung verstärken


Autor: N.M. (Gast)
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Hallo,
es geht um folgende Schaltung:
Ein Mikrocontroller erzeugt ein variables Rechtecksignal mit 5V max. Am 
Ende habe ich 300V Gleichstrom, mit einer Last, die geschaltet werden 
muss.
Da die 5V nicht genug sind um den "großen" N-Mos durchzusteuern, habe 
ich eine Art Vorschaltung angebaut.
Ich habe einen BUZ-11 rumfliegen gehabt und diesen eingebaut, er wird 
mit 12V betrieben und am Gate ist das Signal angelegt.
Die Schaltung invertiert so wie sie dargestellt ist, das ist aber nicht 
schlimm. Das Problem ist, dass der BUZ-11 (links im Bild) zwar 
durchschaltet, aber nicht ein Rechteck erzeugt (Ein/Aus), sondern ein 
Sägezahnsignal. Der Widerstand ist ein ganz normaler (keine 
Induktivität) im kOhm-Bereich (vll. zu groß?). Bei niedrigeren 
Frequenzen (3000Hz) erreicht der Sägezahn (anliegend am Gate des großen 
NMOS) noch die Betriebsspannung (12V), bei höheren Frequenzen schrumpft 
die Spannung nahezu zu Null.

Offensichtlich habe ich nicht allzuviel Erfahrung mit Vorverstärkern, 
daher ein paar Fragen.
Ist der NMOS BUZ11 bzw. ein NMOS als Vorverstärker überhaupt geeignet 
oder sollte man einen Bipolartransistor nehmen?
Falls er geeignet wäre, warum wird nicht sauber durchgeschaltet und es 
entsteht ein Sägezahnmuster?

Autor: Markus (Gast)
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"Großer" MOSFET Typ?

Autor: Mosfetti (Gast)
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Hallo,

Du hast eine größere Gate-Kapazität am hinteren Leistungsmosfet. Die 
wird über den Widerstand, der an Deinem ersten MOSFET hängt, aufgeladen, 
aber schlagartig entladen, wenn Du den ersten MOSFET leitend machst (per 
uC).
Das erzeugt Dir Dein Sägezahn.

Versuch mal eine der folgenden Sachen:

1.) verwende einen fertigen MOSFET-Treiber
2.) verringere den Widerstand am ersten MOSFET
3.) Bau Dir eine Treiberstufe aus zwei MOSFETs diskret auf, die den 
Endstufen MOSFET treibt.

Autor: N.M. (Gast)
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Markus schrieb:
> "Großer" MOSFET Typ?
>
2SK2611 (http://www.pollin.de/shop/downloads/D130803D.PDF)

Werde die Tipps beherzigen und rumprobieren, notfalls mit nem fertigen 
Treiber. Danke schonmal!

Autor: N.M. (Gast)
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Auf Seite 2 des Datenblatts ist eine Testschaltung, dort wird ein 10V 
Rechteck verwendet und als wiederstand vom Gate zur Masse nur 4,7Ohm, 
also würden bei 50% Pulsbreite ~1A Strom fließen. Hat das denn so seine 
Richtigkeit? Ich dachte MOS-Fets könnte man nahezu stromlos schalten?!

Autor: Philipp (Gast)
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<dein mosfet hat am gate eine kapazität und dia möchte beim schalten 
umgeladen werden. da können recht hohe ströne fließen, ich würde einen 
mosfet treiber empfehlen (entweder selbst aufgebaut oder als fertiger 
baustein)
http://www.lmgtfy.com/?q=mosfettreiber
4.7ohm sind arg wenig. bei 20v gatespannung arbeitet man normal mit 
aktiven treibern oder wenns nicht so schnell sein muss halt mit ungefähr 
1kohm. zwischen treiber und gate sitzen normal 10-500ohm
Philipp

Autor: --- (Gast)
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Sind das p-Kanäler?

Autor: N.M. (Gast)
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--- schrieb:
> Sind das p-Kanäler?

Nein warum?

Autor: N.M. (Gast)
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Habe den 10k Widerstand durch 500 Ohm ersetzt und nun funktioniert es 
einwandfrei. Danke!

Autor: 123loreley (Gast)
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N.M. schrieb:
>> Sind das p-Kanäler?
>
> Nein warum?
>
>
>
>
>
>     Beitrag melden | Bearbeiten | Löschen |

Weil in deinem Bild welche sind

Autor: N.M. (Gast)
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Im Simulationsprogramm stand NMOS, hab jetzt auch nicht auf die Pfeile 
geachtet und dem einfach geglaubt. Ist ja auch egal nun..

Autor: Michael_ (Gast)
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Also was denn nun! 40Hz oder 3KHz? Aber bei beiden sollte eine direkte 
Anschschaltung an den den Prozessorpin gehen. Der BUZ11 ist schon etwas 
alt, aber die meisten FET schalten schon bei 3,5V durch.
Mit dem BUZ11 hast du aber nicht lange Freude. Der macht nur 50V!!!!!!

Autor: Tine Schwerzel (tine)
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Deswegen hängt er auch nur an 12 V patsch

Autor: Yalu X. (yalu) (Moderator)
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N.M. schrieb:
> Im Simulationsprogramm stand NMOS, hab jetzt auch nicht auf die Pfeile
> geachtet und dem einfach geglaubt. Ist ja auch egal nun..

Es gibt mehrere unterschiedliche Schaltzeichen für Mosfets. Bei dem am
häufigsten verwendeten (a) ist der Substratanschluss (Bulk) mit einge-
zeichnet, bei dem im Simulationsprogramm verwendeten (b) nicht.

Der Pfeil zeigt in beiden Fällen die Richtung des PN-Übergangs zwischen
Bulk und Source an, also die Richtung, in die die BS-Diode leitet. Bei
einem N-Mosfet zeigt der Pfeil in a) in den Bulk hinein, in b) (mangels
Bulkdarstellung) aus der Source heraus, was aber beides die gleiche
Bedeutung hat.

Die Variante b) wird auch in den Datenblättern einiger OpAmps, z.B. des
TS912 verwendet.

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