Hallo zusammen, ich bins schon wieder, bei meiner H-Brücke ist ein neues Problem aufgetaucht. Habe die Brücke in LTSpice simuliert. Der Schaltplan stammt aus einem Thread. Prinzipiell funktioniert die Schaltung aber wenn die Brücke von M1 und M4 (bzw. den beiden internen Dioden) auf M2 und M3 umschaltet, gibt es ein Problem. Zunächst wird das Gate von M1 und M4 abgeschaltet. Dann steigt die Spannung an den beiden Transistoren an. In diesem Moment passiert es, dass die Spannung am Gate (durch Rückwirkung der Gate-Kapazität?) kurzzeitig auch wieder steigt, und zwar auf über 5V. Das bedeutet aber wiederum, dass der Transistor wieder einschaltet, und es fließt kurzzeitig ein Kurzschlussstrom über M1 und M3 bzw. M2 und M4. An zu kurzer Totzeit liegt es nicht, da die Spannung schon auf 0 runter ist, außerdem habe ich es mit größerer Zeit auch simuliert, bringt nichts. Meiner Meinung nach liegt es an der Ansteuerimpedanz, denn wenn man das Gate von M4 direkt auf Masse zieht, was bei der simulierten Stromrichtung ja keine Einschränkung ist, kommt der Effekt nicht vor. Schaltet man jedoch nur einen 50 Ohm Widerstang dazwischen, ist das Problem wieder da. Der IR2104 hat rechnerisch ca. 70 Ohm Innenwiderstand. Hat jemand schonmal von solchen Rückwirkungs-Effekten bei Mosfets gehört, ich habe da in mehreren Büchern nichts zu gefunden. Interessanterweise ist der Effekt bei ähnlichen Mosfets sehr unterschiedlich, z.B. beim irf540N ist die Kurzschlussleistung wesentlich kleiner, der Effekt ist aber auch da. Die Schaltzeiten reichen mir eigentlich aus, aber macht es Sinn einen stärkeren Treiber zu nehmen, der niederomiger abschalten kann? Vielleicht mache ich auch bei der Simlation immer noch was falsch? Bin im Moment etwas ratlos und für jeden Tipp dankbar. Gruß Andreas
Hallo! Der Effekt ist vollkommen normal. Deshalb werden Treiber oft so gebaut, daß sie langsamer einschalten, und schnell aus, z.B. laden über Widerstand, entladen parallel Windersand + Diode. Damit wird der abgeschaltete FET besser 'zugehalten', wenn der andere einschaltet. Manchmal hilft auch eine zusätzliche Gate-Source Kapazität, was aber natürlich auf die Treiberleistung geht.. Die Rückwirkungskapazität ist in jedem vernünftigen Datenblatt spezifiziert, un zwar als Funktion der Spannung, weil sie extrem Nichtlinear ist. servus, Martin
Vielen Dank, hab gerade auf die schnelle mal deinen Tipp ausprobiert und zum Einschalten den Gate-Widerstand vergrößert auf 100 Ohm und zum Ausschalten eine Diode parallel geschaltet. Der Weg ist scheinbar der richtige, konnte die Verlustleistung bei der Simulation von 3W auf 800mW senken. Werde dann wohl noch ne Weile mit Werten und verschiedenen Mosfets experimentieren. Mit der Kapazität hast du recht, da war ich ziemlich blöd, ich habe nämlich immer nur auf die Eingangskapazitäten geguckt, dass zwei Zeilen drunter direkt Rückwirkungskapazität steht habe ich nicht gesehen. Dann ist auch der Unterschied zwischen dem irf3315 und dem irf540N zu erklären, denn bei der Eingangskapatität war das Verhältnis umgekehrt. Ich kann mich auch erinnern, dass in einem Buch was von schnellem Ab- und langsamen Ausschalten erwähnt war, aber ich meine das wäre mit Spannungsspitzen begründet worden. Hab das Buch leider grad nicht da.
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