Transistorberechnungen

Ok! Danke für die Infos.

Demnach würde die maximale Verlustleistung bei einer Umgebungstemperatur 
von 25 C° laut Datenblatt bei 1,5 Watt liegen (wobei mir nicht ganz klar 
was der Unterschied zwischen Ta und Tc ist).

Nun kommt mir das ein bisschen sehr wenig vor, denn wenn man z.B. ein 
paar LEDs oder ähnliches schalten will bei einer Betriebsspannung von 5 
V...:

Pv = Uce * Ic + Ube + Ib = 5V * 0,7A + 0,7V * 0,00032A = 3,5W

Ist das korrekt? Demnach könnte man den maximalen Kollektorstrom des 
Transistors von 800 mA (der Grund für seine Wahl) ja nur nutzen, so 
lange die Kollektor-Emitterspannung unter ~1,8V liegt.

Kann das sein?

MFG
Klaus M.

Hi

>Demnach würde die maximale Verlustleistung bei einer Umgebungstemperatur
>von 25 C° laut Datenblatt bei 1,5 Watt liegen...

Mein Datenblatt sagt etwas anderes.

MfG Spess

Hallo Klaus,

ja es ist absolut üblich, das Transistoren, wie auch jedes andere 
Bauteil, bei der für das Bauteil ungünstigsten Beschaltung in Flammen 
aufgeht. Das beinhaltet auch oder gerade die Kombination der Maximum 
Ratings, die wie der Name deutlich verrät, als maximal zulässige 
Belastung und nicht als idealer Betriebszustand definiert sind.

Desweiteren sind 0.7V zwar der übliche Wert für Silizium, bei 
Transistoren oder auch Dioden sind diese Werte jedoch auch vom gewählten 
Arbeitspunkt oder aber der dynamischen Betriebszustand abhängig.

Und 1.5W gehn nur mit entsprechendem Kühlkörper der durch entsprechende 
Berechnung.

Unabhängig davon vernachlässigst du in deiner Beispielrechnung, dass 
auch eine LED keinen Kurzschluss darstellt und somit etwa 0.7V Spannung 
abfallen. Bei eintsprechendem Strom zerlegt es dann auch noch die Diode. 
;)

Gruß

Okay, ich glaube so langsam komme ich der Sache näher.

Da ich den Transistor als Schalter verwende kann ich den Basistrom noch 
etwas erhöhen (Übersteuerung) um "in Sättigung" zu kommen. Dadurch sinkt 
der Widerstand zwischen Kollektor und Basis auf den geringst möglichen 
Wert der möglich ist. In diesem Fall fallen dann noch 0,7 V ab. Das ist 
dann wohl die "berühmte" Sättigungsspannung. Ich hoffe das ist richtig?

Falls das richtig ist komme ich auf eine Verlustleistung von ~0,56W - 
was sich auf jedenfall gut anhört.

Nun noch eine andere Frage: Muss ich für den Basis-Vorwiderstand immer 
0,7V für Ube berechnen (bei Silizium). Ich meine mich nämlich zu 
erinnern in einer Rechnung für einen Transistor BD XXX einmal Ube 1,0 V 
gesehen zu haben?! Kann das sein?


Vielen Dank schonmal

MFG
Klaus M.

Klaus M. schrieb:
> In diesem Fall fallen dann noch 0,7 V ab.

Normalerweise sind das bei einem (Kleinleistungs-)Transistor in 
Sättigung real eher so um die 0.2V und weniger. Siehe auch Fig.5 im DB.

Klaus M. schrieb:
> Nun noch eine andere Frage: Muss ich für den Basis-Vorwiderstand immer
> 0,7V für Ube berechnen (bei Silizium). Ich meine mich nämlich zu
> erinnern in einer Rechnung für einen Transistor BD XXX einmal Ube 1,0 V
> gesehen zu haben?! Kann das sein?

Wenn du nicht gerade nur 1.2 oder 1.5V als ON-Signal zur Verfügung hast, 
sondern z.B. 3,3V oder sogar 5V, dann kannst du beruhigt bei 0,7V für 
deine Berechnungen bleiben. Den verbleibenden Fehler hast du durch den 
um Faktor 3...5 zu gering angesetzten Stromverstärkungsfaktor für den 
Sättigungsbetrieb mit erschlagen.
Bei den BDxxx liegt das daran, dass es Leistungstransistoren sind, die 
i.A. eine relativ geringe Stromverstärkung haben und gleichzeitig 
relativ große Kollektorströme können. Da kann dann für den 
Schalterbetrieb der Basisstrom schon mal in den 1-A-Bereich kommen. Und 
bei solchen Strömen haben die BE-Dioden eben eine etwas höhere 
Durchlassspannung.