Gast
#1791468
Hallo, ich will einen 100kHz bis 100MHz Transistorverstärker bauen der am Ein- und Ausgang eine 50 Ohm Anpassung hat. Dazu habe ich die normale Emitterschaltung mit einer Strom- und Spannungsgegenkopplung (R7 bzw. R3/L2/C3) ausgestattet. Durch Variation von R3 und R7 (C3 und L2 sind in dem Freq. Bereich quasi unwirksam) kann ich die 50 Ohm und die gewünschte Verstärkung in etwa erreichen. Die anderen Bauteile in der Schaltung sind für die Arbeitspunktstabilisierung. Erfahrunggemäß funktioniert das Transistormodell auch recht gut. Der Transistor hat ein Exposed Pad als Source Anschluss, das wäre natürlich gut das zwecks Kühlung dirket an die GND-Fläche anschließen zu können. Allerdings schaffe ich es nicht mit R7=0 (d.h. Source dirket an Masse) die gewünschten Parameter einzustellen, ich habe dann ja nur noch R3 als Freiheitsgrad. Hat jemand einen Vorschlag für eine Schaltungstopologie mit der man Source auf Masse legen kann, und mithilfe von (Gegen-)Kopplungen die Impedanzen und Verstärkungen breitbandig einstellen kann? Die typischen Anpassnetzwerke funktionieren in so einem breiten Frequenzbereich i.a. nicht vernünftig. Viele Grüße, Randy

