Hallo, ich sitze grad vor einem Schaltplan eines Kollegen und versuche den Unterschied zwischen den beiden im Bild gezeigten Varianten einer Eingangsschutzbeschaltung zu verstehen. Für mich machen beide das Gleiche, von daher find ich die Variante mit dem Transistor unnötig "kompliziert". Oder hat die irgendwelche Vorteile gegenüber der Dioden-Schaltung? Ich würde mich über jegliche Hinweise freuen! Danke schonmal, Gruß, der Icke
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Bei der Transistor-Version sind die Leckströme deutlich kleiner. Allerdings ist oft nicht so ganz klar, wieviel so ein Transistor verträgt. Wird er nämlich einmal zu stark belastet, kann sein Sperrstrom deutlich über dem einer gewöhnlichen Diode liegen. Auch sind die Schaltzeiten nicht so einfach definiert. Je geringer die Sperrströme, um so langsamer oft das Schaltverhalten. Diese Schaltung ist vor der ESD-Ära entstanden. Ein Paar ESD-Blitze und der Transistor ist sicherlich hinüber. Und wenn du ein ESD-Schutzelement vorschaltest, hast du wieder höhere Leckströme. Ein Teufelskreis... So eine Schaltung macht meiner Meinung nach nur Sinn, wenn am Eingang und Ausgang der Schutzschaltung jeweils eine ausreichend große Kapazität nach Masse liegt. Dann hat man einen gewissen ESD-Schutz und zwingt nicht den Transistor zu schnell zu schalten. Kai Klaas
Hallo, ich würde sagen, die Transistorlösung funktioniert nicht. Um einen Strom vom Kollektor zur Basis fliessen lassen zu können muss zwischen Basis und Emitter ein Strom fliessen. Basis und Emitter sind hier kurzgeschlossen. Es kann kein Strom fliessen. Ausser irgendwelche kleinen Reverse-Ströme. In Differenzverstärkerstufen werden oft solche Transitorbeschaltungen eingesetzt. Dort schliesst man Kollektor und Basis kurz. Der Strom fliesst dann ab UBE 0,6V (oder weniger) ähnlich wie eine Diode zum Emitter ab. Das Gebilde könnte aber einen steileren Übergang haben, sprich: der dynamische Widerstand dürfte geringer sein als bei einer herkömmlichen Diode. Gruss Klaus.
Klaus Ra. schrieb: > ich würde sagen, die Transistorlösung funktioniert nicht. Doch. Du mußt einfach nur die BC-Strecke als Diode ansehen. Die BE-Strecke ist hier ausser Funktion...
Bestimmte Transen können sehr hohe Pulsströme bei sehr geringem Leckstrom. Außerdem sind die Kennlinien durchaus steiler. Überlast bei einem ESD-Element ist thermischer Natur, hier bestimmt durch den Strom. Da die Kennlinie sehr scharf ist darf man mit vergleichsweise geringer Verlustleistung gegenüber einer 0815-TVS-Diode (aber auch hier gibt es erstaunlich gute!) rechnen. Zudem wird der Strom durch ein R begrenzt, wenn das gut und richtig (pulsfester R) gemacht ist, dann bekommt man diese Schaltung nicht platt.
>Bestimmte Transen können sehr hohe Pulsströme bei sehr geringem >Leckstrom. Zeige mir eine, die bei vollem Nennsignal 200pA Leckstrom hat und auch nur rund 1V zum vollen Durchschalten braucht, wie ein BC547. Kai Klaas
Dein Kollege hat wohl das hier gelesen. http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/ovprot.htm
Kai Klaas schrieb: > +/-15V Nennsignal. Das geht mit der hier behandelten Schaltung ohnehin nicht. Aber du scheinst da was in petto zu haben, klär uns auf.
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