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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Eingangsschutzbeschaltung


Autor: Reiner S. (chickstermi) Benutzerseite
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Hallo,

ich sitze grad vor einem Schaltplan eines Kollegen und versuche den 
Unterschied zwischen den beiden im Bild gezeigten Varianten einer 
Eingangsschutzbeschaltung zu verstehen. Für mich machen beide das 
Gleiche, von daher find ich die Variante mit dem Transistor unnötig 
"kompliziert".

Oder hat die irgendwelche Vorteile gegenüber der Dioden-Schaltung?
Ich würde mich über jegliche Hinweise freuen!

Danke schonmal,
Gruß, der Icke

Autor: Kai Klaas (Gast)
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Bei der Transistor-Version sind die Leckströme deutlich kleiner. 
Allerdings ist oft nicht so ganz klar, wieviel so ein Transistor 
verträgt. Wird er nämlich einmal zu stark belastet, kann sein Sperrstrom 
deutlich über dem einer gewöhnlichen Diode liegen. Auch sind die 
Schaltzeiten nicht so einfach definiert. Je geringer die Sperrströme, um 
so langsamer oft das Schaltverhalten.

Diese Schaltung ist vor der ESD-Ära entstanden. Ein Paar ESD-Blitze und 
der Transistor ist sicherlich hinüber. Und wenn du ein ESD-Schutzelement 
vorschaltest, hast du wieder höhere Leckströme. Ein Teufelskreis...

So eine Schaltung macht meiner Meinung nach nur Sinn, wenn am Eingang 
und Ausgang der Schutzschaltung jeweils eine ausreichend große Kapazität 
nach Masse liegt. Dann hat man einen gewissen ESD-Schutz und zwingt 
nicht den Transistor zu schnell zu schalten.

Kai Klaas

Autor: Reiner S. (chickstermi) Benutzerseite
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Danke für die Erklärung!

Gruß, der Icke

Autor: Ansbach-Dragoner (Gast)
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Ich sehe keinen Unterschied zwischen den beiden Bildern.

Autor: Klaus Ra. (klara)
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Hallo,
ich würde sagen, die Transistorlösung funktioniert nicht. Um einen Strom 
vom Kollektor zur Basis fliessen lassen zu können muss zwischen Basis 
und Emitter ein Strom fliessen. Basis und Emitter sind hier 
kurzgeschlossen. Es kann kein Strom fliessen. Ausser irgendwelche 
kleinen Reverse-Ströme.
In Differenzverstärkerstufen werden oft solche Transitorbeschaltungen 
eingesetzt. Dort schliesst man Kollektor und Basis kurz. Der Strom 
fliesst dann ab UBE 0,6V (oder weniger) ähnlich wie eine Diode zum 
Emitter ab. Das Gebilde könnte aber einen steileren Übergang haben, 
sprich: der dynamische Widerstand dürfte geringer sein als bei einer 
herkömmlichen Diode.
Gruss Klaus.

Autor: Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite
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Klaus Ra. schrieb:
> ich würde sagen, die Transistorlösung funktioniert nicht.
Doch. Du mußt einfach nur die BC-Strecke als Diode ansehen. Die 
BE-Strecke ist hier ausser Funktion...

Autor: Pothead (Gast)
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Bestimmte Transen können sehr hohe Pulsströme bei sehr geringem 
Leckstrom. Außerdem sind die Kennlinien durchaus steiler. Überlast bei 
einem ESD-Element ist thermischer Natur, hier bestimmt durch den Strom. 
Da die Kennlinie sehr scharf ist darf man mit vergleichsweise geringer 
Verlustleistung gegenüber einer 0815-TVS-Diode (aber auch hier gibt es 
erstaunlich gute!) rechnen. Zudem wird der Strom durch ein R begrenzt, 
wenn das gut und richtig (pulsfester R) gemacht ist, dann bekommt man 
diese Schaltung nicht platt.

Autor: Kai Klaas (Gast)
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>Bestimmte Transen können sehr hohe Pulsströme bei sehr geringem
>Leckstrom.

Zeige mir eine, die bei vollem Nennsignal 200pA Leckstrom hat und auch 
nur rund 1V zum vollen Durchschalten braucht, wie ein BC547.

Kai Klaas

Autor: Ernestus Pastell (malzeit) Benutzerseite
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Dein Kollege hat wohl das hier gelesen.

http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaere...

Autor: Pothead (Gast)
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Kai Klaas schrieb:
> die bei vollem Nennsignal

Definiere das. Bis 150mV hätte ich da was.

Autor: Kai Klaas (Gast)
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>Definiere das.

+/-15V Nennsignal.

Kai Klaas

Autor: Pothead (Gast)
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Kai Klaas schrieb:
> +/-15V Nennsignal.

Das geht mit der hier behandelten Schaltung ohnehin nicht. Aber du 
scheinst da was in petto zu haben, klär uns auf.

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