Hi,
ich fand grade diese Schaltung im Netz:
http://www.mikrocontroller.net/wikifiles/1/1e/Stromregler.png
Als Mosfettreiber sind NPN und PNP transistoren verwendet. Reicht
hierbei nicht nur einer? Warum ist das so gewählt? Ich grübel grad schon
ne weile.. -.-
Mfg Daniel
> Reicht hierbei nicht nur einer ?
Wie sollte der sowohl den Strom verstärken der das Gate des MOSFETs
auflädt
als auch den Strom der das Gate des MOSFET entlädt ?
Dazu braucht man 2, in unterschiedlicher Polarität für die
unterschiedliche Stromrichtung.
Zumindest wenn man es einfach haben will.
Klar kann man auch mehr Aufwand treiben
Aber vereinfachen kann man es kaum.
Wenn man nur 1 Transistor nimmt, braucht man zumindest noch einen
Widerstand:
+12V
|
R
|
+-- MOSFET-Gate
|
--|<
|E
Masse
Man spart also kein Bauteil, nur verbraucht die Schaltung unendlich viel
Strom weil R sehr klein sein muss.
Daher ist die Schaltung, die du gefunden hast, klug.
Wahlweise tut's auch ein IC wie MC34151, das ist dann nur 1 Bauteil.
ja deine Lösung meinte ich. Ein Transistor ist doch viel teuer und
aufwendiger als ein simpler Widerstand.
Diese Schaltung hatte ich ähnlich mal aufgebaut (unabhängig) allerdings
waren die PNP MOSFETs zu teuer und versuchte mich an NPNs. Die Schaltung
lief nie richtig.
Könnte man hier durch vertauschen der BC337 und BC327 dieses mit NPN
umsetzen? Ich brauche nämlich eine Stromregelung für 10A.
MaWin schrieb:> Man spart also kein Bauteil, nur verbraucht die Schaltung unendlich viel> Strom weil R sehr klein sein muss.
Wieso braucht die Schaltung viel Strom? Musst ja R nicht zu 1 mΩ wählen,
1kΩ geht ja auch. Der Nachteil der Schaltung mit Widerstand, so wie du
sie gepostet hast, ist, dass man zwar recht zügig das Gate ausräumen
kann es aber geraume Zeit braucht um es aufzuladen. In vielen Anwendung
kann man mit den Nachteilen dieser Schaltung leben, in vielen
Anwendungen jedoch ist der Nachteil nicht tragbar. In diesen Fällen
ersetzt man dann auch den Widerstand durch einen Transistor oder
ähnliches
daniel schrieb:> ja deine Lösung meinte ich. Ein Transistor ist doch viel teuer und> aufwendiger als ein simpler Widerstand.
Ja, aber ein Widerstand ist "langsamer" als ein Transitor. Was mein ich
damit:
Nun, um den MOSFET zu schalten braucht man eine Ladung auf dem Gate. Je
schneller man Ladungen zum Gate schicken kann (bzw. von dort weg holen)
desto schneller kann man einen MOSFET auch zum Schalten bekommen. Da ja
Strom bewegte Ladungsträger pro Zeit ist kannst du dir sicher denken,
dass man also schneller Schalten kann je größer der Strom ist was zur
Folge hat, dass der Widerstand möglichst gering sein muss. Ist der
Widerstand jedoch sehr gering hat man das Problem, dass man einen großen
parasitären Strom hat der einfach so ohne Nutzen verheizt wird (das ist
eigentlich das, worauf MaWin hinaus wollte) wenn der NPN "eingeschaltet"
ist. Nun kann man den Widerstand durch einen weiteren Transitor, z.B.
PNP, ersetzen und immer, wenn man den NPN leitend schaltet schaltet man
den PNP sperrend und umgedreht. Im Ideal bedeutet das, dass man stets
nur Ladungen auf das Gate bringt bzw. von dort abholt. Real haben
natürlich auch NPNs und PNPs Leckströme, die entsprechen jedoch nicht
selten sehr hohen Widerständen, sodass sie vernachlässigbar sind.
daniel schrieb:> PNP MOSFETs zu teuer und versuchte mich an NPNs
Seh ich grade erst: PNP/NPN ist eine übliche Bezeichnungsweise für
Bipolartransistoren. Die Strukturen gibt es zwar auch bei MOSFETS jedoch
wird ein MOSFET immer nach Art seines Kanals bezeichnet, z.B.
N-Kanal-Anreichungstyp (der hätte eine NPN-Struktur)
> Wieso braucht die Schaltung viel Strom?
Weil nicht nur zum Umladen des MOSFETs Strom fliesst,
sondern im Einschaltmoment des Treibertransistors dauernd,
eben der Strom durch R1.
> Musst ja R nicht zu 1 mΩ wählen, 1kΩ geht ja auch
Nein.
1k ist witzlos. Dann lädst du den MOSFET mit 5mA auf,
und nicht mit dem 1A der normalen MOSFET-Treiber.
Es müssten schon so 5 Ohm sein, damit das ganze als
"Treiber" durchgeht, und dann liegt man bei 1A unnötigem
Strombedarf.
MaWin schrieb:> 1k ist witzlos. Dann lädst du den MOSFET mit 5mA auf,> und nicht mit dem 1A der normalen MOSFET-Treiber.
Das kommt drauf an, wie ich schon schrieb, wie schnell du umschalten
willst. Selbst Buz11 und Co schalten ordentlich um mit nur 5 mA
Ladestrom. Nimmt man 1A geht das Laden halt schneller, aber war das die
Frage? Man kanns auch kompliziert darstellen. Die Frage war, warum man
nicht immer Transistor und Widerstand nimmt sondern zwei Transistoren
und das hab ich oben schon erklärt. Und das beides seine Vor- und
Nachteile.
Michael schrieb:> Nun kann man den Widerstand durch einen weiteren Transitor, z.B.> PNP, ersetzen und immer, wenn man den NPN leitend schaltet schaltet man> den PNP sperrend und umgedreht.
Bei der Gegentaktendstufe sitzt der PNP aber an der Lowside und der NPN
an der Highside.
Simon K. schrieb:> Bei der Gegentaktendstufe sitzt der PNP aber an der Lowside und der NPN> an der Highside.
Und? Wo hab ich was von Gegentaktendstufe geschrieben? Ändert das was
dran, dass immer nur ein Transistor leitend ist? Es war nur eine
Möglichkeit wogegen man den Widerstand austauschen könnte. Variationen
gibts ja mehr als genug und jetzt spezielle Fälle zu betrachten führe
nur zu unnötigen Diskussionen. Die Frage des TEs war, warum man zwei
Transistoren bei so Treiberstufen einsetzt und nicht nur einen
Transistor plus Widerstand. Ich denke, diese Frage wurde von uns
ausreichend beantwortet und wenn dies nicht der Fall ist kann der TE ja
immer noch gern weiter fragen. Ich bin mir sicher, dass wir bemüht sein
werden ihm zu helfen.
Michael schrieb:> Simon K. schrieb:>> Bei der Gegentaktendstufe sitzt der PNP aber an der Lowside und der NPN>> an der Highside.>> Und? Wo hab ich was von Gegentaktendstufe geschrieben?
Nö, das habe ich impliziert. Du hast nur geschrieben, dass der
Widerstand durch einen Transistor ersetzt wird. Aber das ist ja nur die
halbe Wahrheit. ;-)
Der untere Transistor muss dann in der Regel auch getauscht werden.
> Ändert das was> dran, dass immer nur ein Transistor leitend ist?
Wenn oben der PNP und unten der NPN ist, muss man eine Art Dead-Time
einbauen, weil es dann einen Spannungsbereich gibt, wo bei beiden
Transistoren Basisstrom fließt und so beide Transistoren leiten (was
aber natürlich unerwünscht ist).
> Das kommt drauf an, wie ich schon schrieb, wie schnell du umschalten> willst. Selbst Buz11 und Co schalten ordentlich um mit nur 5 mA> Ladestrom. Nimmt man 1A geht das Laden halt schneller, aber war das die> Frage?
Ja, das war die Frage.
Man sucht und nimmt einen MOSFET-TREIBER, wenn das umschalten mit den
paar wenigen Milliamperes aus einem IC-Ausgang eben NICHT reicht.
Und dann BRAUCHT man mehr als schlaffe 5mA.
> Man kanns auch kompliziert darstellen. Die Frage war, warum man> nicht immer Transistor und Widerstand nimmt sondern zwei Transistoren> und das hab ich oben schon erklärt. Und das beides seine Vor- und> Nachteile.
Nein.
Das eine hat nur Vorteile, das andere hat nur Nachteile.
Ab Preis Transistor vs. Widerstand liegt's sicherlich nicht.
Michael schrieb:> Das kommt drauf an, wie ich schon schrieb, wie schnell du umschalten> willst. Selbst Buz11 und Co schalten ordentlich um mit nur 5 mA> Ladestrom. Nimmt man 1A geht das Laden halt schneller, aber war das die> Frage?
Rechnen hilft. Die Gurke hat geschätzte 35nC Qg und ein Miller-Plateau
das sich gewaschen hat (das Teil ist definitiv nicht mehr Stand der
Technik). Bei 35nC dauerts bei 5mA behäbige 7µs bis die Kiste sauber
durchgeschaltet ist. Manch einem reichts, anderen wiederum nicht.
Q = I * t
Qg = 35nC (Datenblatt BUZ11, Qg vs. Vgs. Ich bin gnädig und begnüge mich
mit 7..8V statt 10V, also knapp über Plateau.)
I = 5mA (war gegeben)
t = Qg / I = 35nC / 5mA = 7µs
Oder habe ich etwas falsch?
Pothead schrieb:> Rechnen hilft. Die Gurke hat geschätzte 35nC Qg und ein Miller-Plateau> das sich gewaschen hat (das Teil ist definitiv nicht mehr Stand der> Technik). Bei 35nC dauerts bei 5mA behäbige 7µs bis die Kiste sauber> durchgeschaltet ist. Manch einem reichts, anderen wiederum nicht.
Ich schrieb ja, es kommt drauf an wie schnell man schalten will.
MaWin schrieb:> Nein.> Das eine hat nur Vorteile, das andere hat nur Nachteile.> Ab Preis Transistor vs. Widerstand liegt's sicherlich nicht.
Ah, Widerstand und Transistor ist also nicht vielleicht auch leichter zu
verstehen als eine relativ komplizierte Schaltung aus zwei
Transistoren...verstehe, deshalb hat ja auch der TE gefragt.
MaWin schrieb:> Ja, das war die Frage.>Man sucht und nimmt einen MOSFET-TREIBER, wenn das umschalten mit den>paar wenigen Milliamperes aus einem IC-Ausgang eben NICHT reicht.
Ahja, ich les mir noch mal die Frage durch:
daniel schrieb:> Als Mosfettreiber sind NPN und PNP transistoren verwendet. Reicht> hierbei nicht nur einer? Warum ist das so gewählt? Ich grübel grad schon> ne weile.
Klingt für mich irgendwie nicht so als ob gefragt werden würde ob ein
IC-Pin genügend Strom zu schalten liefern kann oder nicht. Ich mein, OK
du bist schon richtig aber bedenke doch, dass der TE von der Materie
keine Ahnung hat. Also schmeiß hier doch nicht nich nur einen Krümel hin
sondern back nen ganzen Kuchen.
Simon K. schrieb:> Wenn oben der PNP und unten der NPN ist, muss man eine Art Dead-Time> einbauen, weil es dann einen Spannungsbereich gibt, wo bei beiden> Transistoren Basisstrom fließt und so beide Transistoren leiten (was> aber natürlich unerwünscht ist).
Richtig, aber das ist eine Frage der Ansteuerung, der TE wollte wissen,
warum man zwei Transistoren verwendet und nicht nur einen plus
Widerstand. Das man sich auch bei der Ansteuerung Gedanken machen muss
steht außer Frage.
Simon K. schrieb:> Nö, das habe ich impliziert. Du hast nur geschrieben, dass der> Widerstand durch einen Transistor ersetzt wird. Aber das ist ja nur die> halbe Wahrheit. ;-)> Der untere Transistor muss dann in der Regel auch getauscht werden.
In der Regel muss (bzw ist es sinnvoll) die komplette Ansteuerung
überdacht werden, ist aber nicht Frage des TEs gewesen.
Pothead schrieb:> Q = I * t>> Qg = 35nC (Datenblatt BUZ11, Qg vs. Vgs. Ich bin gnädig und begnüge mich> mit 7..8V statt 10V, also knapp über Plateau.)>> I = 5mA (war gegeben)>> t = Qg / I = 35nC / 5mA = 7µs>> Oder habe ich etwas falsch?
Ok. Das ist IMHO nur eine Näherung. Sollte hier aber reichen denke ich
mal.
Ansonste:
Die Formel geht von einem Konstantstrom aus, den hat man hier aber
nicht. Außerdem schaltet der FET nicht erst durch, wenn der
Gatekondensator auf die Betriebsspannung aufgeladen wurde, sondern schon
früher (bei der Threshold Spannung).
Michael schrieb:> Simon K. schrieb:>> Wenn oben der PNP und unten der NPN ist, muss man eine Art Dead-Time>> einbauen, weil es dann einen Spannungsbereich gibt, wo bei beiden>> Transistoren Basisstrom fließt und so beide Transistoren leiten (was>> aber natürlich unerwünscht ist).>> Richtig, aber das ist eine Frage der Ansteuerung, der TE wollte wissen,> warum man zwei Transistoren verwendet und nicht nur einen plus> Widerstand. Das man sich auch bei der Ansteuerung Gedanken machen muss> steht außer Frage.>> Simon K. schrieb:>> Nö, das habe ich impliziert. Du hast nur geschrieben, dass der>> Widerstand durch einen Transistor ersetzt wird. Aber das ist ja nur die>> halbe Wahrheit. ;-)>> Der untere Transistor muss dann in der Regel auch getauscht werden.>> In der Regel muss (bzw ist es sinnvoll) die komplette Ansteuerung> überdacht werden, ist aber nicht Frage des TEs gewesen.
Ja, das ist wohl wahr.
Simon K. schrieb:> Ok. Das ist IMHO nur eine Näherung. Sollte hier aber reichen denke ich> mal.> Ansonste:> Die Formel geht von einem Konstantstrom aus, den hat man hier aber> nicht.
Natürlich ist das eine Näherung, meist aber eine hinreichend gute. Das
Gate stellt sich wie ein C dar, für eine relativ lange Zeit wird
tatsächlich ein konstanter Strom fließen (man betrachte nur das
Miller-Plateau, die Spannung ist lange Zeit konstant, die Quellimpedanz
und -spannung auch). Aber so ist das nunmal in der Elektronik, man
rechnet meistens mit Näherungen weil man für eine genaue Lösung zu lange
benötigen würde und das Ergebnis nicht viel aussagekräftiger wäre.
> Außerdem schaltet der FET nicht erst durch, wenn der> Gatekondensator auf die Betriebsspannung aufgeladen wurde, sondern schon> früher (bei der Threshold Spannung).
Daher schrieb ich:
Pothead schrieb:> [...] bis die Kiste sauber durchgeschaltet ist [...]
Alles zwischen "sauber aus" und "sauber durchgeschaltet" macht
ungewollte, vermeidbare* Verluste.
*) Wenn - wie in diesem Fall - z.B. der Treiber stärker sein könnte.
Pothead schrieb:> Simon K. schrieb:>> Ok. Das ist IMHO nur eine Näherung. Sollte hier aber reichen denke ich>> mal.>> Ansonste:>> Die Formel geht von einem Konstantstrom aus, den hat man hier aber>> nicht.>> Natürlich ist das eine Näherung, meist aber eine hinreichend gute. Das> Gate stellt sich wie ein C dar, für eine relativ lange Zeit wird> tatsächlich ein konstanter Strom fließen (man betrachte nur das> Miller-Plateau, die Spannung ist lange Zeit konstant, die Quellimpedanz> und -spannung auch). Aber so ist das nunmal in der Elektronik, man> rechnet meistens mit Näherungen weil man für eine genaue Lösung zu lange> benötigen würde und das Ergebnis nicht viel aussagekräftiger wäre.
Ja, das stimmt schon.
Ich hatte aber auch noch irgendwo eine Seite gesehen, wo das im Detail
stand, wie man die Ein / Ausschaltzeit genauer ausrechnen konnte. Weiß
die Adresse aber leider nicht mehr.
Ich meine es war irgend eine Seite, die sich mit "Electronic-Design"
beschäftigte.
Simon K. schrieb:> Ich hatte aber auch noch irgendwo eine Seite gesehen, wo das im Detail> stand, wie man die Ein / Ausschaltzeit genauer ausrechnen konnte. Weiß> die Adresse aber leider nicht mehr.
Kenn ich:
http://ltspice.linear.com/software/LTspiceIV.exe
;)
Und was bringt der BF245 (Q4)?
Einziger Vorteil ist wohl, das sich der Ausgangsstrom von IC1A,
über einen grossen Bereich der Versorgungsspannung nur wenig ändert.
> Widerstand und Transistor ist also nicht vielleicht auch> leichter zu verstehen als eine relativ komplizierte> Schaltung aus zwei Transistoren
Mir ist klar, daß die die Schaltung aus 2 Transistoren nicht
verstehst und deshalb ablehnst.
Das heisst aber noch lange nicht, daß sie nicht wesentlich
besser ist als die aus Transistor und Widerstand.
> bedenke doch, dass der TE von der Materie keine Ahnung hat.
Des gibt es wenigstens zu, di hingegen behauptest, es besser
zu wissen.
MaWin schrieb:>> Widerstand und Transistor ist also nicht vielleicht auch>> leichter zu verstehen als eine relativ komplizierte>> Schaltung aus zwei Transistoren>> Mir ist klar, daß die die Schaltung aus 2 Transistoren nicht> verstehst und deshalb ablehnst.>> Das heisst aber noch lange nicht, daß sie nicht wesentlich> besser ist als die aus Transistor und Widerstand.>>> bedenke doch, dass der TE von der Materie keine Ahnung hat.>> Des gibt es wenigstens zu, di hingegen behauptest, es besser> zu wissen.
Hast du am Sonntag nichts besseres zu tun als zu trollen? Wo behaupte
ich, dass die eine Schaltung besser ist als die andere? Wo behaupte ich,
dass ich es besser weiß? Und warum hast du soviel Rechtschreibfehler
drin? Grad von ner Feier heim gekommen? ;)^^
> Hast du am Sonntag nichts besseres zu tun als zu trollen?
Schlag erst mal das Wort nach, bevor zu es verwendest.
Dann lies meinen ersten Beitrag in dem Thread.
Es wurde schon alles gesagt.
Die Welt kann nicht warten, bis auch der letzte Michael
es verstanden hat.
Na, gehn dir die Argumente aus? Was hab ich denn auf deinen ersten
Beitrag geantwortet was falsch war? War es falsch, dass man nen 1kOhm
Widerstand genausogut verwenden kann? War es falsch von mir zu behaupten
dass man dann etwas länger warten muss bis das Gate geladen ist? Was
hast du denn für ein Problem, dass du meinst mich so dumm von der Seite
anmachen zu müssen? Scheiß WE gehabt oder was? Wo hab ich denn etwas
nicht verstanden? Warum versuchst du es nicht für mich zu erklären wenn
du dieser Meinung bist?
> War es falsch, dass man nen 1kOhm Widerstand genausogut verwenden kann?
Ja.
Durch diese Konstruktion wird das Umladen des Gates SCHLECHTER als wenn
man den Gate-Treiber weggelassen hätte und (einen LogicLevel MOSFET)
gleich aus dem Digitalausgang eines Chips wie z.B. AVR angesteuert
hätte.
> Scheiß WE gehabt
Jo.
Immer wenn einem so Lernresistente wie du begegnen.
MaWin schrieb:>> War es falsch, dass man nen 1kOhm Widerstand genausogut verwenden kann?>> Ja.>> Durch diese Konstruktion wird das Umladen des Gates SCHLECHTER als wenn> man den Gate-Treiber weggelassen hätte und (einen LogicLevel MOSFET)> gleich aus dem Digitalausgang eines Chips wie z.B. AVR angesteuert> hätte.
Ah, jetzt basteln "wir" uns also eine Konstruktion wo auch die
NPN/PNP-Schaltung überflüssig wird nur damit "wir" recht behalten, ja?
Warum überhaupt denn dann NPN/PNP-Schaltung verwenden? Es gibt doch mehr
als genügend MOSFET-Treiber und Co die man verwenden kann, man denke nur
an UDN2981 und ähnliche.
MaWin schrieb:> Immer wenn einem so Lernresistente wie du begegnen.
Du hast meine anderen Fragen nicht beantwortet. Wie soll ich denn was
lernen wenn der "Lehrer" so faul ist wie du? Oder sind dir nur wieder
die dummen Sprüche ausgegangen?
Fralla schrieb:> Es gibt auch Anwedungen, wo ein langsames Gate umladen nicht stört.
Richtig, Fralla. Aber das will MaWin nicht zugeben. Dann müsste er ja
zugeben, dass ich doch nicht falsch bin und wie würde er dann da stehen?
Ich bin hier raus, MaWin ist mir hier zu doof. Widerstand und Transistor
gelten bei ihm nicht, das sei ja dumm. Ich kann hier nur feststellen,
dass ich einige Platinen schon in der Hand hatte, die dann ziemlich dumm
sein müssen, weil sie genau sowas, also Widerstand&Transistor, nutzen um
MOSFETs zu schalten. Kein Treiberbaustein, keine NPN/PNP-Schaltung (in
welcher Art auch immer) sondern einfach nur zwei Widerstände und einen
NPN. Quick&Dirty sozusagen. Ist wahrscheinlich zu einfach für MaWin.
Fralla schrieb:> Es gibt auch Anwedungen, wo ein langsames Gate umladen nicht stört.
...sondern erwünscht ist!
Wie dem auch sei, olle MaWin findet doch immer wieder Leute die sich
über seine pomadige Art aufregen. Köstlich. Die Schaltung mit einem R
und einem Transistor ist Käse, und zwar richtiger Käse. Das hatte
Michael aber schon in seinem ersten Post (fast) umfassend festgestellt.
Warum also diese Diskusion? Schluss damit, so wirds gemacht:
http://www.diodes.com/datasheets/ZXGD3001E6.pdf
> Warum überhaupt denn dann NPN/PNP-Schaltung verwenden?
Weil er eine MOSFET Treiberschaltung gefunden hat
und erklärt haben wollte, warum man die so baut.
Und es wurde ihm erklärt, bis so ein Obertroll kam der von nix
ne Peilung hat und alles wieder durcheinanderbringen wollte.
> Es gibt doch mehr als genügend MOSFET-Treiber und Co> die man verwenden kann, man denke nur an UDN2981 und ähnliche.
Autsch.
Du blamierst dich völlig.
Das ist kein MOSFET Treiber.
Sondern nur ein Source-Driver, könnte also das Gate des MOSFETs nur
aufladen und nicht mehr entladen.
Ein MC34151 wäre einer gewesen.
Der Obertroll bist eindeutig du, der meint ich sei lernresistent aber
meine Fragen nicht beantworten kann/will.
MaWin schrieb:> Autsch.>> Du blamierst dich völlig.>> Das ist kein MOSFET Treiber.
Oh, da kam mir das falsche Bauteil in den Sinn...entschuldige, oh großer
MaWin, dass ich nicht vor dem Posten noch mal ins Datenblatt geschaut
hatte. Wie konnte ich nur? Eine Antwort auf die Frage jedoch bleibst du
mal wieder schuldig: Warum NPN/PNP nehmen wenns doch Treiber dafür in
unterschiedlichen Größen gibt? Wie soll ich denn was lernen wenn du
nicht lehrst?
Und wenn du schonmal dabei bist, beantworte doch auch die anderen
Fragen.
> NPN/PNP nehmen wenns doch Treiber dafür in unterschiedlichen Größen gibt?
Na schau dir die Originalschaltung doch mal an, und überlege, mit
welchem Aufwand du bei sagen wir 30V Betriebsspannung darin die Transis
durch einen MOSFET-Treiber-IC ersetzen kannst.
http://www.mikrocontroller.net/wikifiles/1/1e/Stro...
Man könnte auch anders, aber blöd war die Schaltung nicht, auf jeden
Fall nicht so blöd wie es nur ein Kollektorwiderstand gewesen wäre.
Laß nicht immer andere Leute deine Arbeit machen.
MaWin schrieb:> Man könnte auch anders, aber blöd war die Schaltung nicht, auf jeden> Fall nicht so blöd wie es nur ein Kollektorwiderstand gewesen wäre.
Es hat auch nie jemand behauptet, dass die Schaltung blöd war, es hat
auch nie jemand behauptet, dass die Widerstand-Transistor-Lösung besser
wäre. Wenn du meinen Beitrag aufmerksam gelesen hättest wüsstest du,
dass auch ich nicht behauptet habe, dass die Widerstand-Transitor-Lösung
besser ist. Ich habe lediglich dazu gesagt dass sie (Achtung, das hat
mit Aufwand zu tun) "leichter zu verstehen ist" (=weniger
Aufwand=Vorteil, zumindest in meiner bescheidenen kleinen Welt in der
Zeit ein wichtiger Faktor ist) aber es dann auch "geraume Zeit braucht"
bis das Gate geladen ist (schnell genug geladen = gut, ansonsten
schlecht und doch mehr Aufwand erforderlich).
MaWin schrieb:> Laß nicht immer andere Leute deine Arbeit machen.
Es warst du derjenige, der hier lehren wollte aber auf Fragen
nicht geantwortet hat sondern immer wieder was anderes daher brabbelt.
Du hast meinen Beitrag nicht richtig gelesen, dich wahrscheinlich dumm
angemacht gefühlt und zickst hier rum wie ne rossige Stute in ner Herde.
Lies doch nochmal meinen ersten Beitrag und überlege was da falsch sein
könnte (Tipp: Niemand außer dir ist dabei der Meinung, dass das falsch
ist.). Das ist die Arbeit die du dir mal machen solltest statt
weiterhin mich hier so anzugiften.
@ Michael
MaWin möchte wahrscheinlich nicht belehren, sondern sicher stellen.
Schließlich wird er nicht bezahlt, sondern schreibt hier weil er Lust
dazu hat. Und dafür bin ich ihm im allgemeinen dankbar. Also greif ihn
nicht weiter an. Selbst wenn du Recht hast nützt das jetzt keinem mehr
weil alles erklärt ist.
@MaWin
Ich vermute, dass er den Begriff des "Mosfet-Treibers" anders versteht
als in der Elektrotechnik üblich, nämlich eher als Pegelwandler (siehe
npn ->n-fet). Zeit ist ihm nicht wichtig. Und falls jemand den thread
liest versteht er auch so, was gemeint ist und du brauchst dich nicht
weiter auf den Disput ein zu lassen.