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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Mosfettreiber PNP NPN ?


Autor: daniel (Gast)
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Hi,

ich fand grade diese Schaltung im Netz:

http://www.mikrocontroller.net/wikifiles/1/1e/Stro...

Als Mosfettreiber sind NPN und PNP transistoren verwendet. Reicht 
hierbei nicht nur einer? Warum ist das so gewählt? Ich grübel grad schon 
ne weile.. -.-

Mfg Daniel

: Verschoben durch Admin
Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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Suchen Sie bitte nach "Gegentaktschaltung", "Gegentaktendstufe". Der 
MOSFET muss sowohl geladen als auch entladen werden.

;-)

Autor: daniel (Gast)
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sehe ich richtig das der opamp nicht invertierend geschaltet ist? Also 
liegt dann + 500 * Ue an PIN1 und VIN ?

Autor: MaWin (Gast)
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> Reicht hierbei nicht nur einer ?

Wie sollte der sowohl den Strom verstärken der das Gate des MOSFETs 
auflädt
als auch den Strom der das Gate des MOSFET entlädt ?

Dazu braucht man 2, in unterschiedlicher Polarität für die 
unterschiedliche Stromrichtung.

Zumindest wenn man es einfach haben will.

Klar kann man auch mehr Aufwand treiben

Aber vereinfachen kann man es kaum.

Wenn man nur 1 Transistor nimmt, braucht man zumindest noch einen 
Widerstand:

     +12V
      |
      R
      |
      +-- MOSFET-Gate
      |
   --|<
      |E
    Masse

Man spart also kein Bauteil, nur verbraucht die Schaltung unendlich viel 
Strom weil R sehr klein sein muss.

Daher ist die Schaltung, die du gefunden hast, klug.

Wahlweise tut's auch ein IC wie MC34151, das ist dann nur 1 Bauteil.

Autor: daniel (Gast)
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ja deine Lösung meinte ich. Ein Transistor ist doch viel teuer und 
aufwendiger als ein simpler Widerstand.

Diese Schaltung hatte ich ähnlich mal aufgebaut (unabhängig) allerdings 
waren die PNP MOSFETs zu teuer und versuchte mich an NPNs. Die Schaltung 
lief nie richtig.

Könnte man hier durch vertauschen der BC337 und BC327 dieses mit NPN 
umsetzen? Ich brauche nämlich eine Stromregelung für 10A.

Autor: Michael (Gast)
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MaWin schrieb:
> Man spart also kein Bauteil, nur verbraucht die Schaltung unendlich viel
> Strom weil R sehr klein sein muss.

Wieso braucht die Schaltung viel Strom? Musst ja R nicht zu 1 mΩ wählen, 
1kΩ geht ja auch. Der Nachteil der Schaltung mit Widerstand, so wie du 
sie gepostet hast, ist, dass man zwar recht zügig das Gate ausräumen 
kann es aber geraume Zeit braucht um es aufzuladen. In vielen Anwendung 
kann man mit den Nachteilen dieser Schaltung leben, in vielen 
Anwendungen jedoch ist der Nachteil nicht tragbar. In diesen Fällen 
ersetzt man dann auch den Widerstand durch einen Transistor oder 
ähnliches

daniel schrieb:
> ja deine Lösung meinte ich. Ein Transistor ist doch viel teuer und
> aufwendiger als ein simpler Widerstand.

Ja, aber ein Widerstand ist "langsamer" als ein Transitor. Was mein ich 
damit:

Nun, um den MOSFET zu schalten braucht man eine Ladung auf dem Gate. Je 
schneller man Ladungen zum Gate schicken kann (bzw. von dort weg holen) 
desto schneller kann man einen MOSFET auch zum Schalten bekommen. Da ja 
Strom bewegte Ladungsträger pro Zeit ist kannst du dir sicher denken, 
dass man also schneller Schalten kann je größer der Strom ist was zur 
Folge hat, dass der Widerstand möglichst gering sein muss. Ist der 
Widerstand jedoch sehr gering hat man das Problem, dass man einen großen 
parasitären Strom hat der einfach so ohne Nutzen verheizt wird (das ist 
eigentlich das, worauf MaWin hinaus wollte) wenn der NPN "eingeschaltet" 
ist. Nun kann man den Widerstand durch einen weiteren Transitor, z.B. 
PNP, ersetzen und immer, wenn man den NPN leitend schaltet schaltet man 
den PNP sperrend und umgedreht. Im Ideal bedeutet das, dass man stets 
nur Ladungen auf das Gate bringt bzw. von dort abholt. Real haben 
natürlich auch NPNs und PNPs Leckströme, die entsprechen jedoch nicht 
selten sehr hohen Widerständen, sodass sie vernachlässigbar sind.

Autor: Michael (Gast)
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daniel schrieb:
> PNP MOSFETs zu teuer und versuchte mich an NPNs

Seh ich grade erst: PNP/NPN ist eine übliche Bezeichnungsweise für 
Bipolartransistoren. Die Strukturen gibt es zwar auch bei MOSFETS jedoch 
wird ein MOSFET immer nach Art seines Kanals bezeichnet, z.B. 
N-Kanal-Anreichungstyp (der hätte eine NPN-Struktur)

Autor: MaWin (Gast)
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> Wieso braucht die Schaltung viel Strom?

Weil nicht nur zum Umladen des MOSFETs Strom fliesst,
sondern im Einschaltmoment des Treibertransistors dauernd,
eben der Strom durch R1.

> Musst ja R nicht zu 1 mΩ wählen, 1kΩ geht ja auch

Nein.

1k ist witzlos. Dann lädst du den MOSFET mit 5mA auf,
und nicht mit dem 1A der normalen MOSFET-Treiber.

Es müssten schon so 5 Ohm sein, damit das ganze als
"Treiber" durchgeht, und dann liegt man bei 1A unnötigem
Strombedarf.

Autor: Michael (Gast)
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MaWin schrieb:
> 1k ist witzlos. Dann lädst du den MOSFET mit 5mA auf,
> und nicht mit dem 1A der normalen MOSFET-Treiber.

Das kommt drauf an, wie ich schon schrieb, wie schnell du umschalten 
willst. Selbst Buz11 und Co schalten ordentlich um mit nur 5 mA 
Ladestrom. Nimmt man 1A geht das Laden halt schneller, aber war das die 
Frage? Man kanns auch kompliziert darstellen. Die Frage war, warum man 
nicht immer Transistor und Widerstand nimmt sondern zwei Transistoren 
und das hab ich oben schon erklärt. Und das beides seine Vor- und 
Nachteile.

Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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Michael schrieb:
> Nun kann man den Widerstand durch einen weiteren Transitor, z.B.
> PNP, ersetzen und immer, wenn man den NPN leitend schaltet schaltet man
> den PNP sperrend und umgedreht.

Bei der Gegentaktendstufe sitzt der PNP aber an der Lowside und der NPN 
an der Highside.

Autor: Michael (Gast)
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Simon K. schrieb:
> Bei der Gegentaktendstufe sitzt der PNP aber an der Lowside und der NPN
> an der Highside.

Und? Wo hab ich was von Gegentaktendstufe geschrieben? Ändert das was 
dran, dass immer nur ein Transistor leitend ist? Es war nur eine 
Möglichkeit wogegen man den Widerstand austauschen könnte. Variationen 
gibts ja mehr als genug und jetzt spezielle Fälle zu betrachten führe 
nur zu unnötigen Diskussionen. Die Frage des TEs war, warum man zwei 
Transistoren bei so Treiberstufen einsetzt und nicht nur einen 
Transistor plus Widerstand. Ich denke, diese Frage wurde von uns 
ausreichend beantwortet und wenn dies nicht der Fall ist kann der TE ja 
immer noch gern weiter fragen. Ich bin mir sicher, dass wir bemüht sein 
werden ihm zu helfen.

Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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Michael schrieb:
> Simon K. schrieb:
>> Bei der Gegentaktendstufe sitzt der PNP aber an der Lowside und der NPN
>> an der Highside.
>
> Und? Wo hab ich was von Gegentaktendstufe geschrieben?
Nö, das habe ich impliziert. Du hast nur geschrieben, dass der 
Widerstand durch einen Transistor ersetzt wird. Aber das ist ja nur die 
halbe Wahrheit. ;-)
Der untere Transistor muss dann in der Regel auch getauscht werden.

> Ändert das was
> dran, dass immer nur ein Transistor leitend ist?

Wenn oben der PNP und unten der NPN ist, muss man eine Art Dead-Time 
einbauen, weil es dann einen Spannungsbereich gibt, wo bei beiden 
Transistoren Basisstrom fließt und so beide Transistoren leiten (was 
aber natürlich unerwünscht ist).

Autor: MaWin (Gast)
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> Das kommt drauf an, wie ich schon schrieb, wie schnell du umschalten
> willst. Selbst Buz11 und Co schalten ordentlich um mit nur 5 mA
> Ladestrom. Nimmt man 1A geht das Laden halt schneller, aber war das die
> Frage?

Ja, das war die Frage.
Man sucht und nimmt einen MOSFET-TREIBER, wenn das umschalten mit den 
paar wenigen Milliamperes aus einem IC-Ausgang eben NICHT reicht.

Und dann BRAUCHT man mehr als schlaffe 5mA.

> Man kanns auch kompliziert darstellen. Die Frage war, warum man
> nicht immer Transistor und Widerstand nimmt sondern zwei Transistoren
> und das hab ich oben schon erklärt. Und das beides seine Vor- und
> Nachteile.

Nein.
Das eine hat nur Vorteile, das andere hat nur Nachteile.
Ab Preis Transistor vs. Widerstand liegt's sicherlich nicht.

Autor: Pothead (Gast)
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Michael schrieb:
> Das kommt drauf an, wie ich schon schrieb, wie schnell du umschalten
> willst. Selbst Buz11 und Co schalten ordentlich um mit nur 5 mA
> Ladestrom. Nimmt man 1A geht das Laden halt schneller, aber war das die
> Frage?

Rechnen hilft. Die Gurke hat geschätzte 35nC Qg und ein Miller-Plateau 
das sich gewaschen hat (das Teil ist definitiv nicht mehr Stand der 
Technik). Bei 35nC dauerts bei 5mA behäbige 7µs bis die Kiste sauber 
durchgeschaltet ist. Manch einem reichts, anderen wiederum nicht.

Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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@Pothead: Dein Rechenweg ist nicht nachzuvollziehen.

Autor: Pothead (Gast)
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Q = I * t

Qg = 35nC (Datenblatt BUZ11, Qg vs. Vgs. Ich bin gnädig und begnüge mich 
mit 7..8V statt 10V, also knapp über Plateau.)

I = 5mA (war gegeben)

t = Qg / I = 35nC / 5mA = 7µs

Oder habe ich etwas falsch?

Autor: Michael (Gast)
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Pothead schrieb:
> Rechnen hilft. Die Gurke hat geschätzte 35nC Qg und ein Miller-Plateau
> das sich gewaschen hat (das Teil ist definitiv nicht mehr Stand der
> Technik). Bei 35nC dauerts bei 5mA behäbige 7µs bis die Kiste sauber
> durchgeschaltet ist. Manch einem reichts, anderen wiederum nicht.

Ich schrieb ja, es kommt drauf an wie schnell man schalten will.

MaWin schrieb:
> Nein.
> Das eine hat nur Vorteile, das andere hat nur Nachteile.
> Ab Preis Transistor vs. Widerstand liegt's sicherlich nicht.

Ah, Widerstand und Transistor ist also nicht vielleicht auch leichter zu 
verstehen als eine relativ komplizierte Schaltung aus zwei 
Transistoren...verstehe, deshalb hat ja auch der TE gefragt.

MaWin schrieb:
> Ja, das war die Frage.
>Man sucht und nimmt einen MOSFET-TREIBER, wenn das umschalten mit den
>paar wenigen Milliamperes aus einem IC-Ausgang eben NICHT reicht.

Ahja, ich les mir noch mal die Frage durch:

daniel schrieb:
> Als Mosfettreiber sind NPN und PNP transistoren verwendet. Reicht
> hierbei nicht nur einer? Warum ist das so gewählt? Ich grübel grad schon
> ne weile.

Klingt für mich irgendwie nicht so als ob gefragt werden würde ob ein 
IC-Pin genügend Strom zu schalten liefern kann oder nicht. Ich mein, OK 
du bist schon richtig aber bedenke doch, dass der TE von der Materie 
keine Ahnung hat. Also schmeiß hier doch nicht nich nur einen Krümel hin 
sondern back nen ganzen Kuchen.

Simon K. schrieb:
> Wenn oben der PNP und unten der NPN ist, muss man eine Art Dead-Time
> einbauen, weil es dann einen Spannungsbereich gibt, wo bei beiden
> Transistoren Basisstrom fließt und so beide Transistoren leiten (was
> aber natürlich unerwünscht ist).

Richtig, aber das ist eine Frage der Ansteuerung, der TE wollte wissen, 
warum man zwei Transistoren verwendet und nicht nur einen plus 
Widerstand. Das man sich auch bei der Ansteuerung Gedanken machen muss 
steht außer Frage.

Simon K. schrieb:
> Nö, das habe ich impliziert. Du hast nur geschrieben, dass der
> Widerstand durch einen Transistor ersetzt wird. Aber das ist ja nur die
> halbe Wahrheit. ;-)
> Der untere Transistor muss dann in der Regel auch getauscht werden.

In der Regel muss (bzw ist es sinnvoll) die komplette Ansteuerung 
überdacht werden, ist aber nicht Frage des TEs gewesen.

Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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Pothead schrieb:
> Q = I * t
>
> Qg = 35nC (Datenblatt BUZ11, Qg vs. Vgs. Ich bin gnädig und begnüge mich
> mit 7..8V statt 10V, also knapp über Plateau.)
>
> I = 5mA (war gegeben)
>
> t = Qg / I = 35nC / 5mA = 7µs
>
> Oder habe ich etwas falsch?

Ok. Das ist IMHO nur eine Näherung. Sollte hier aber reichen denke ich 
mal.
Ansonste:
Die Formel geht von einem Konstantstrom aus, den hat man hier aber 
nicht. Außerdem schaltet der FET nicht erst durch, wenn der 
Gatekondensator auf die Betriebsspannung aufgeladen wurde, sondern schon 
früher (bei der Threshold Spannung).

Michael schrieb:
> Simon K. schrieb:
>> Wenn oben der PNP und unten der NPN ist, muss man eine Art Dead-Time
>> einbauen, weil es dann einen Spannungsbereich gibt, wo bei beiden
>> Transistoren Basisstrom fließt und so beide Transistoren leiten (was
>> aber natürlich unerwünscht ist).
>
> Richtig, aber das ist eine Frage der Ansteuerung, der TE wollte wissen,
> warum man zwei Transistoren verwendet und nicht nur einen plus
> Widerstand. Das man sich auch bei der Ansteuerung Gedanken machen muss
> steht außer Frage.
>
> Simon K. schrieb:
>> Nö, das habe ich impliziert. Du hast nur geschrieben, dass der
>> Widerstand durch einen Transistor ersetzt wird. Aber das ist ja nur die
>> halbe Wahrheit. ;-)
>> Der untere Transistor muss dann in der Regel auch getauscht werden.
>
> In der Regel muss (bzw ist es sinnvoll) die komplette Ansteuerung
> überdacht werden, ist aber nicht Frage des TEs gewesen.

Ja, das ist wohl wahr.

Autor: Pothead (Gast)
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Simon K. schrieb:
> Ok. Das ist IMHO nur eine Näherung. Sollte hier aber reichen denke ich
> mal.
> Ansonste:
> Die Formel geht von einem Konstantstrom aus, den hat man hier aber
> nicht.

Natürlich ist das eine Näherung, meist aber eine hinreichend gute. Das 
Gate stellt sich wie ein C dar, für eine relativ lange Zeit wird 
tatsächlich ein konstanter Strom fließen (man betrachte nur das 
Miller-Plateau, die Spannung ist lange Zeit konstant, die Quellimpedanz 
und -spannung auch). Aber so ist das nunmal in der Elektronik, man 
rechnet meistens mit Näherungen weil man für eine genaue Lösung zu lange 
benötigen würde und das Ergebnis nicht viel aussagekräftiger wäre.

> Außerdem schaltet der FET nicht erst durch, wenn der
> Gatekondensator auf die Betriebsspannung aufgeladen wurde, sondern schon
> früher (bei der Threshold Spannung).

Daher schrieb ich:

Pothead schrieb:
> [...] bis die Kiste sauber durchgeschaltet ist [...]

Alles zwischen "sauber aus" und "sauber durchgeschaltet" macht 
ungewollte, vermeidbare* Verluste.

*) Wenn - wie in diesem Fall - z.B. der Treiber stärker sein könnte.

Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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Pothead schrieb:
> Simon K. schrieb:
>> Ok. Das ist IMHO nur eine Näherung. Sollte hier aber reichen denke ich
>> mal.
>> Ansonste:
>> Die Formel geht von einem Konstantstrom aus, den hat man hier aber
>> nicht.
>
> Natürlich ist das eine Näherung, meist aber eine hinreichend gute. Das
> Gate stellt sich wie ein C dar, für eine relativ lange Zeit wird
> tatsächlich ein konstanter Strom fließen (man betrachte nur das
> Miller-Plateau, die Spannung ist lange Zeit konstant, die Quellimpedanz
> und -spannung auch). Aber so ist das nunmal in der Elektronik, man
> rechnet meistens mit Näherungen weil man für eine genaue Lösung zu lange
> benötigen würde und das Ergebnis nicht viel aussagekräftiger wäre.
Ja, das stimmt schon.
Ich hatte aber auch noch irgendwo eine Seite gesehen, wo das im Detail 
stand, wie man die Ein / Ausschaltzeit genauer ausrechnen konnte. Weiß 
die Adresse aber leider nicht mehr.
Ich meine es war irgend eine Seite, die sich mit "Electronic-Design" 
beschäftigte.

Autor: Pothead (Gast)
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Simon K. schrieb:
> Ich hatte aber auch noch irgendwo eine Seite gesehen, wo das im Detail
> stand, wie man die Ein / Ausschaltzeit genauer ausrechnen konnte. Weiß
> die Adresse aber leider nicht mehr.

Kenn ich:

http://ltspice.linear.com/software/LTspiceIV.exe

;)

Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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;-) Das ist natürlich die beste Methode.

Dachte aber eher an die händische, übliche, konservative Methode ;-)

Autor: Urlauber (Gast)
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Und was bringt der BF245 (Q4)?

Einziger Vorteil ist wohl, das sich der Ausgangsstrom von IC1A,
über einen grossen Bereich der Versorgungsspannung nur wenig ändert.

Autor: MaWin (Gast)
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> Widerstand und Transistor ist also nicht vielleicht auch
> leichter zu verstehen als eine relativ komplizierte
> Schaltung aus zwei Transistoren

Mir ist klar, daß die die Schaltung aus 2 Transistoren nicht
verstehst und deshalb ablehnst.

Das heisst aber noch lange nicht, daß sie nicht wesentlich
besser ist als die aus Transistor und Widerstand.

> bedenke doch, dass der TE von der Materie keine Ahnung hat.

Des gibt es wenigstens zu, di hingegen behauptest, es besser
zu wissen.

Autor: Michael (Gast)
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MaWin schrieb:
>> Widerstand und Transistor ist also nicht vielleicht auch
>> leichter zu verstehen als eine relativ komplizierte
>> Schaltung aus zwei Transistoren
>
> Mir ist klar, daß die die Schaltung aus 2 Transistoren nicht
> verstehst und deshalb ablehnst.
>
> Das heisst aber noch lange nicht, daß sie nicht wesentlich
> besser ist als die aus Transistor und Widerstand.
>
>> bedenke doch, dass der TE von der Materie keine Ahnung hat.
>
> Des gibt es wenigstens zu, di hingegen behauptest, es besser
> zu wissen.

Hast du am Sonntag nichts besseres zu tun als zu trollen? Wo behaupte 
ich, dass die eine Schaltung besser ist als die andere? Wo behaupte ich, 
dass ich es besser weiß? Und warum hast du soviel Rechtschreibfehler 
drin? Grad von ner Feier heim gekommen? ;)^^

Autor: MaWin (Gast)
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> Hast du am Sonntag nichts besseres zu tun als zu trollen?

Schlag erst mal das Wort nach, bevor zu es verwendest.
Dann lies meinen ersten Beitrag in dem Thread.
Es wurde schon alles gesagt.
Die Welt kann nicht warten, bis auch der letzte Michael
es verstanden hat.

Autor: Michael (Gast)
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Na, gehn dir die Argumente aus? Was hab ich denn auf deinen ersten 
Beitrag geantwortet was falsch war? War es falsch, dass man nen 1kOhm 
Widerstand genausogut verwenden kann? War es falsch von mir zu behaupten 
dass man dann etwas länger warten muss bis das Gate geladen ist? Was 
hast du denn für ein Problem, dass du meinst mich so dumm von der Seite 
anmachen zu müssen? Scheiß WE gehabt oder was? Wo hab ich denn etwas 
nicht verstanden? Warum versuchst du es nicht für mich zu erklären wenn 
du dieser Meinung bist?

Autor: MaWin (Gast)
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> War es falsch, dass man nen 1kOhm Widerstand genausogut verwenden kann?

Ja.

Durch diese Konstruktion wird das Umladen des Gates SCHLECHTER als wenn 
man den Gate-Treiber weggelassen hätte und (einen LogicLevel MOSFET) 
gleich aus dem Digitalausgang eines Chips wie z.B. AVR angesteuert 
hätte.

> Scheiß WE gehabt

Jo.

Immer wenn einem so Lernresistente wie du begegnen.

Autor: Fralla (Gast)
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Es gibt auch Anwedungen, wo ein langsames Gate umladen nicht stört.

Autor: Michael (Gast)
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MaWin schrieb:
>> War es falsch, dass man nen 1kOhm Widerstand genausogut verwenden kann?
>
> Ja.
>
> Durch diese Konstruktion wird das Umladen des Gates SCHLECHTER als wenn
> man den Gate-Treiber weggelassen hätte und (einen LogicLevel MOSFET)
> gleich aus dem Digitalausgang eines Chips wie z.B. AVR angesteuert
> hätte.

Ah, jetzt basteln "wir" uns also eine Konstruktion wo auch die 
NPN/PNP-Schaltung überflüssig wird nur damit "wir" recht behalten, ja? 
Warum überhaupt denn dann NPN/PNP-Schaltung verwenden? Es gibt doch mehr 
als genügend MOSFET-Treiber und Co die man verwenden kann, man denke nur 
an UDN2981 und ähnliche.

MaWin schrieb:
> Immer wenn einem so Lernresistente wie du begegnen.

Du hast meine anderen Fragen nicht beantwortet. Wie soll ich denn was 
lernen wenn der "Lehrer" so faul ist wie du? Oder sind dir nur wieder 
die dummen Sprüche ausgegangen?

Fralla schrieb:
> Es gibt auch Anwedungen, wo ein langsames Gate umladen nicht stört.

Richtig, Fralla. Aber das will MaWin nicht zugeben. Dann müsste er ja 
zugeben, dass ich doch nicht falsch bin und wie würde er dann da stehen?

Ich bin hier raus, MaWin ist mir hier zu doof. Widerstand und Transistor 
gelten bei ihm nicht, das sei ja dumm. Ich kann hier nur feststellen, 
dass ich einige Platinen schon in der Hand hatte, die dann ziemlich dumm 
sein müssen, weil sie genau sowas, also Widerstand&Transistor, nutzen um 
MOSFETs zu schalten. Kein Treiberbaustein, keine NPN/PNP-Schaltung (in 
welcher Art auch immer) sondern einfach nur zwei Widerstände und einen 
NPN. Quick&Dirty sozusagen. Ist wahrscheinlich zu einfach für MaWin.

Autor: Pothead (Gast)
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Fralla schrieb:
> Es gibt auch Anwedungen, wo ein langsames Gate umladen nicht stört.

...sondern erwünscht ist!

Wie dem auch sei, olle MaWin findet doch immer wieder Leute die sich 
über seine pomadige Art aufregen. Köstlich. Die Schaltung mit einem R 
und einem Transistor ist Käse, und zwar richtiger Käse. Das hatte 
Michael aber schon in seinem ersten Post (fast) umfassend festgestellt. 
Warum also diese Diskusion? Schluss damit, so wirds gemacht:

http://www.diodes.com/datasheets/ZXGD3001E6.pdf

Autor: MaWin (Gast)
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> Warum überhaupt denn dann NPN/PNP-Schaltung verwenden?

Weil er eine MOSFET Treiberschaltung gefunden hat
und erklärt haben wollte, warum man die so baut.

Und es wurde ihm erklärt, bis so ein Obertroll kam der von nix
ne Peilung hat und alles wieder durcheinanderbringen wollte.


> Es gibt doch mehr als genügend MOSFET-Treiber und Co
> die man verwenden kann, man denke nur an UDN2981 und ähnliche.

Autsch.

Du blamierst dich völlig.

Das ist kein MOSFET Treiber.

Sondern nur ein Source-Driver, könnte also das Gate des MOSFETs nur 
aufladen und nicht mehr entladen.

Ein MC34151 wäre einer gewesen.

Autor: Michael (Gast)
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Der Obertroll bist eindeutig du, der meint ich sei lernresistent aber 
meine Fragen nicht beantworten kann/will.

MaWin schrieb:
> Autsch.
>
> Du blamierst dich völlig.
>
> Das ist kein MOSFET Treiber.

Oh, da kam mir das falsche Bauteil in den Sinn...entschuldige, oh großer 
MaWin, dass ich nicht vor dem Posten noch mal ins Datenblatt geschaut 
hatte. Wie konnte ich nur? Eine Antwort auf die Frage jedoch bleibst du 
mal wieder schuldig: Warum NPN/PNP nehmen wenns doch Treiber dafür in 
unterschiedlichen Größen gibt? Wie soll ich denn was lernen wenn du 
nicht lehrst?

Und wenn du schonmal dabei bist, beantworte doch auch die anderen 
Fragen.

Autor: MaWin (Gast)
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> NPN/PNP nehmen wenns doch Treiber dafür in unterschiedlichen Größen gibt?

Na schau dir die Originalschaltung doch mal an, und überlege, mit 
welchem Aufwand du bei sagen wir 30V Betriebsspannung darin die Transis 
durch einen MOSFET-Treiber-IC ersetzen kannst.

http://www.mikrocontroller.net/wikifiles/1/1e/Stro...

Man könnte auch anders, aber blöd war die Schaltung nicht, auf jeden 
Fall nicht so blöd wie es nur ein Kollektorwiderstand gewesen wäre.

Laß nicht immer andere Leute deine Arbeit machen.

Autor: Michael (Gast)
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MaWin schrieb:
> Man könnte auch anders, aber blöd war die Schaltung nicht, auf jeden
> Fall nicht so blöd wie es nur ein Kollektorwiderstand gewesen wäre.

Es hat auch nie jemand behauptet, dass die Schaltung blöd war, es hat 
auch nie jemand behauptet, dass die Widerstand-Transistor-Lösung besser 
wäre. Wenn du meinen Beitrag aufmerksam gelesen hättest wüsstest du, 
dass auch ich nicht behauptet habe, dass die Widerstand-Transitor-Lösung 
besser ist. Ich habe lediglich dazu gesagt dass sie (Achtung, das hat 
mit Aufwand zu tun) "leichter zu verstehen ist" (=weniger 
Aufwand=Vorteil, zumindest in meiner bescheidenen kleinen Welt in der 
Zeit ein wichtiger Faktor ist) aber es dann auch "geraume Zeit braucht" 
bis das Gate geladen ist (schnell genug geladen = gut, ansonsten 
schlecht und doch mehr Aufwand erforderlich).

MaWin schrieb:
> Laß nicht immer andere Leute deine Arbeit machen.

Es warst du derjenige, der hier lehren wollte aber auf Fragen 
nicht geantwortet hat sondern immer wieder was anderes daher brabbelt. 
Du hast meinen Beitrag nicht richtig gelesen, dich wahrscheinlich dumm 
angemacht gefühlt und zickst hier rum wie ne rossige Stute in ner Herde. 
Lies doch nochmal meinen ersten Beitrag und überlege was da falsch sein 
könnte (Tipp: Niemand außer dir ist dabei der Meinung, dass das falsch 
ist.). Das ist die Arbeit die du dir mal machen solltest statt 
weiterhin mich hier so anzugiften.

Autor: halleluja (Gast)
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Wann ist Hochzeit?  :-)

Autor: avion23 (Gast)
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@ Michael
MaWin möchte wahrscheinlich nicht belehren, sondern sicher stellen. 
Schließlich wird er nicht bezahlt, sondern schreibt hier weil er Lust 
dazu hat. Und dafür bin ich ihm im allgemeinen dankbar. Also greif ihn 
nicht weiter an. Selbst wenn du Recht hast nützt das jetzt keinem mehr 
weil alles erklärt ist.

@MaWin
Ich vermute, dass er den Begriff des "Mosfet-Treibers" anders versteht 
als in der Elektrotechnik üblich, nämlich eher als Pegelwandler (siehe 
npn ->n-fet). Zeit ist ihm nicht wichtig. Und falls jemand den thread 
liest versteht er auch so, was gemeint ist und du brauchst dich nicht 
weiter auf den Disput ein zu lassen.

Autor: Michael (Gast)
Datum:

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Na jetzt wirds richtig lustig schonmal das Popcorn und die Cola hol

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