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MOSFET Sättigung
Gast
#1878144
Hallo zusammen, zu meine Frage, z.B. ein N-Kanal Transistor ist in Sättigung wenn Ugs > Uth und Uds >= Ugs-Uth ist, die MOSFETs werden ja als Schalter in Sättigungsbereich betrieben. Ich will für meine Schaltung ein N-kanal verwenden Uds = 10V Ugs = 17V und der N-Kanal hat ein Uth = 2V also in diesem Fall wäre ja der Transistor nicht gesättigt oder? Die 17V kommen aus einem Charge pump(Bootstrap). Sehe ich dass Richtig?
Gast
#1878166
Doch, währe er. Und wenn du Pech hast ist er kapputt. Siehe max Ugs.
Gast
#1878169
Maximale Ugs ist 20V. @ Kai (Gast) >und Uds >= Ugs-Uth ist, die MOSFETs werden ja als Schalter in >Sättigungsbereich betrieben. Kann man machen, ist aber nicht zwangsläufig. > Ich will für meine Schaltung ein N-kanal >verwenden Schaltplan? >Uds = 10V Ugs = 17V und der N-Kanal hat ein Uth = 2V also in >diesem Fall wäre ja der Transistor nicht gesättigt oder? Doch. > Die 17V kommen aus einem Charge pump(Bootstrap). Halbbrücke? Schaltplan? > Sehe ich dass Richtig? Jain. Ob gestättigt oder nicht spielt bei MOSFETs im Schaltbetrieb keine nennenswerte Rolle. Sobald 10-15V am Gate liegen ist der MOSFET maximal durchgesteuert und hat minimalen RDS-ON. Mehr will man meist nicht (wissen). MfG Falk
Gast
#1878184
Laut meine Formelsammelung ist der Transistor nicht gesättigt. Uds >= Ugs - Uth wäre ja in diesem fall nicht erfüllt! Kai schrieb: > z.B. ein N-Kanal Transistor ist in Sättigung wenn Ugs > Uth > und Uds >= Ugs-Uth ist, Richtig. > Ich will für meine Schaltung ein N-kanal verwenden Uds = 10V Ugs = 17V > und der N-Kanal hat ein Uth = 2V also in diesem Fall wäre ja der > Transistor nicht gesättigt oder? Auch richtig. > die MOSFETs werden ja als Schalter in Sättigungsbereich betrieben. Normalerweise nicht, sondern im linearen Bereich. Trotzdem will man im Schaltbetrieb kein Uds von 10V, weil das ja (einen ordentlichen Strom vorausgesetzt) eine riesige Verlustleistung nach sich zieht. Aber Vorsicht: Die Begriffe "linearer Bereich" und "Sättigungsbereich" werden bei Mosfets oft durcheinandergewürfelt, weil diese Bereiche im Ausgangskennlinienfeld genau andersherum angeordnet sind als beim Bipolartransistor. Um Missverständnisse zu vermeiden, sollte man stattdessen besser die Begriffe ohmscher Bereich (= linearer Bereich) und Abschnürbereich (= Sättigungsbereich) verwenden.
Gast
#1878260
> zu meine Frage, z.B. ein N-Kanal Transistor ist in Sättigung wenn Ugs > Uth Nein. Dazu muß Ugs schon WESENTLICH höher sein als Uth, so das 3-fache. > Uds = 10V Ugs = 17V und der N-Kanal hat ein Uth = 2V > also in diesem Fall wäre ja der Transistor nicht gesättigt oder? Doch. Ugs grösser als 10V ist sicher in "Sättigung" (voll leitend). Daher KANN dann Uds nicht 10V betragen, den es würde ein extrem hoher Strom durch den MOSFET fliessen müssen (es gilt immer noch I = U/R und R ist bein einem voll durchgeschalteten MOSFET halt sehr niedrig).
Gast
#1878397
Man hat 2 Arten der Sättigung. Man kann eine Sättigung bei Ugs haben - da ist dann Ron weitgehen unabhängig von Ugs. Das hat man etwa ab Ugs > Uth + 5 V . Ein Faktor taugt hier nichts, denn Uth kann auch gegen 0 V gehen bei einem MOSFET an der Grenze zwischen Anreicherungs und Verarmungstypen (nicht gebräuchlich, aber möglich). Das wird die Sättigung sein, die man im Schaltbetreib haben will. Die 2 te Art der Sättigung ist die bei hohem Uds. Da fließt dann ein Strom weitgehend unabhängig von Uds. Da wäre das oben genannte Krieterieum Uds > Ugs - Uth in etwa passend. Für Verarmungstypen (Uth < 0) sollte die Formel aber nicht ganz passen.
Gast
#1878496
Im Bild 6 im Anhang sind die Begriffe eindeutig. Arno Antwort schreiben |
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