Ein MOSFET hat den Vorteil, dass er annähernd keine Ansteuerleistung
braucht, man kann ihn z.B. direkt mit einem Operationsverstärker
ansteuern.
Ein Bipolartransistor braucht einen lastabhängigen Basisstrom:
Ein 2N3055 hat Stromverstärkung 12, damit braucht er für 3A
Kollectorstrom ca. 250mA Basisstrom. Mit einer Darlingtonschaltung
bekommt man das aber relativ einfach in den Griff.
Der Nachteil der Darlingtonschaltung ist, dass der minimale
Spannungsabfall größer wird. Aber bei einem Netzteil und bei einer
einstellbaren Last will man ja sowieso meistens einen gewissen
Spannungsabfall haben, so dass es kein so großer Nachteil ist.
Der Nachteil von MOSFETs ist, dass die Linearität eher schlechter ist,
vor allem die modernen schnellen MOSFETs sind hier problematisch, da die
für Schaltanwendungen optimiert sind.
Einen MOSFET würde ich nur dann nehmen, wenn deine einstellbare Last
auch noch bei relativ niedriger Spannung arbeiten muss (unterhalb 2V),
ansonsten bipolar in Darlingtonschaltung.
> PWM, Tiefpass, dann einen nichtinvertierenden Verstärker ...
Willst du jetzt einen Schaltregler machen? Weiter oben hast du nach den
Eigenschaften im linearen Bereich gefragt?
In dieser Leistungklasse ist ein Schaltregler nicht unbedingt sinnvoll.