MaWin schrieb:
> Weil das die Spannung ist, bei der er gerade eben nicht mehr hochohmig
> sperrt sondern die ersten Mikroamperes an Strom durchlässt,
> und: Es sind die typischen Werte. Das kann locker um 1:2 schwanken.
Zur Info:
Der maximale UGSth beträgt laut Datenblatt 3.9V.
Kleine Erklärung: In meiner Anwendung sollen NIE mehr als 1 Ampere
fliessen. Falls es doch passieren würde, ist es mir lieber der Mosfet
raucht ab, als der Rest der Schaltung.
> 3V Ugsth heisst 10V zur sicheren Vollaussteuerung.
Das kann ich dem Datenblatt auch entnehmen. Und ja, mir ist klar, dass
der Mosfet mit mehr UGS mehr Strom leiten würde. Aber mir ist lieber er
wirkt dann eben strombegrenzend. Ich gehe davon aus, dass 5V reichen für
meine Paar 100 mA Nennstrom.
Mir ging es bei der Auswahl mehr um die Verfügbarkeit, dessen
Spannungsfestigkeit und den kleinen Gate-Charge, da ich mit 250kHz sehr
schnell schalte.
Und warum voll aussteuern, wenn dadurch noch mehr Ladung hin und
hergeschaufelt werden muss (= mehr Leistung erforderlich)?
Kann man den MOSFET so etwa nicht betreiben?
Ist aber eigentlich alles off-topic.
Eigentliche Frage: Wie krieg ich den Umschaltvorgang schneller? Spannung
umbauen wäre möglich, aber aufwendig.
Brachliegenden 2. Treiber verwenden ist sehr schnell realisiert.
Die Frage ist, bringt es was und macht der ICL7667 das mit?