Hallo zusammen,
ich weiß diese Frage klingt nach "hab keine lust selbst zu suchen", aber
irgendwie finde ich wirklich nichts passendes.
Gesucht wird ein P- oder N-Kanal (bevorzugt P-Kanal) MOSFET, welcher bei
höchstens (+/-) 4,5V Ugs voll durchsteuert und dabei im Linearbetrieb
bis zu 4W (kontinuierlich und mit Kühlung) verheizen kann.
Temperaturen bis 100°C sollten wenn möglich nicht zum tode führen.
Er soll in Spitze bis zu 6A (<1sekunde), durchschnittlich 2A überleben.
Und damit die Suche nicht zu einfach wird sollte er bei Reichelt oder
RS-Online bestellbar und bezahlbar sein, da ich "nur" 5 Stück brauche...
Bisher habe ich nur FETs gefunden, welche entweder erst ab 5-6V
ausreichend durchsteuern, oder eben lediglich 2W verheizen können.
Da ich allerdings mit min. 2-3W abwärme rechne wird das eher nichts.
Warum bruache ich den FET? ganz einfach ich habe eine recht unstabile
4,5-5,5V Spannungsquelle (akku) und brauche ca. 4V @ 2A (+-0,2V rippel
sind OK).
also soll der FET die überschüssige Spannung einfach wegheizen.
Ganz ähnlich wie bei Beitrag "Re: no drop Spannungsbegrenzer"
Wäre schön wenn jemand einen derartigen FET kennt und benennen kann.
Danke
Sven
> und dabei im Linearbetrieb bis zu 4W (kontinuierlich und mit Kühlung)> verheizen kann.
Du meinst damit schon, dass der MOSFET auf einem Kühlkörper montiert
wird? Dann sollte das kein Problem sein. Wie wärs mit:
http://de.rs-online.com/web/search/searchBrowseAction.html?method=getProduct&R=5430541
Ich hoffe, ich habe nicht in deiner Anforderungsliste übersehen, aber es
gibt sehr viele "Logic Level" Mosfets, die hier geeignet sein sollten.
Hallo Sven,
warum findest Du nichts bei Reichelt?
> welcher bei höchstens (+/-) 4,5V Ugs voll durchsteuert> bis zu 4W (kontinuierlich und mit Kühlung)> in Spitze bis zu 6A (<1sekunde), durchschnittlich 2A
In den Filteroptionen gibt es UGS(th). Nehmen wir mal 2V an. IC25 wähle
ich mal mit 6,8A. Dann komme ich auf diesen Typen.
http://www.reichelt.de/?ACTION=3;ARTICLE=8806;PROVID=2402
Gruss Klaus.
Hi Johannes,
Danke für deinen Vorschlag, der ist Klasse, allerdings habe ich eine
weitere Stunde bei Reichelt auf der superschnellen Website verbracht und
dabei einen meinem Glauben nach besseren und günstigeren FET gefunden.
Es ist der IRLU 8721 für 0,51€
sollte laut datenblatt 11,8mOhm bei 4,5V Ugs haben
und kann die 4W mit Leichtigkeit abführen.
Leider ist er ein N-Kanal, aber OK, damit kann ich leben.
Dnake nochmal.
Ah Klaus, ja den hatte ich einstweilen auch, dann viel mir auf, dass 0,5
Ohm für den Rds,on doch nicht ganz nach meinem Geschmack sind.
Und wie mir soeben auffällt habe ich das wohl im ersten Post nicht
erwähnt, mein Fehler tut mir leid!
Danke trotzdem
>und kann die 4W mit Leichtigkeit abführen.
Dir ist aber bewußt, daß diese Wärmeabfuhr nur funktioniert, wenn der
entsprechend gekühlt wird.
Mich wundert nämlich, daß Du immer so auf den 4W rumhackst. Das kann
jeder TO220 Transistor, wenn mit Kühlung - ohne kanns keiner ...
Jens G. schrieb:> Mich wundert nämlich, daß Du immer so auf den 4W rumhackst.
Das liegt daran, dass die meisten Logic-Level-FETs die ich so bei IRF
und co gefunden habe im SOIC8-Package steckten. Und die können i.d.R. 1W
- 2,5W...
Klar muss die Wärme nicht nur aus dem Gehäuse, sondern auch von dort
weg, aber für 4W braucht man jetz noch keine Wasserkühlung. Ein kleines
Kühlblech oder 1-2cm² Leiterplatte beim D-Pack sollten schon reichen.
Klar in Watte darf ich das zeug dann nicht packen!
Warum interessiert dich der Rdson so gewaltig, wenn du sowieso nicht
schalten willst?
Oder andersrum: warum nimmst du nicht einen bipolaren Transistor?
> aber für 4W braucht man jetz noch keine Wasserkühlung. Ein kleines> Kühlblech oder 1-2cm² Leiterplatte beim D-Pack sollten schon reichen.
Das reicht garantiert nicht: eine Leiterplatte FR4 hat einen Rth von
40 K/W. Bei 4W sind das gerade mal 160K Erwärmung...
Also braucht es dazu Kupfer, viel Kupfer, und zwar, um die Wärme dann an
die Luft zu bekommen.
>Heutzutage ist sicherlich ein kleiner CPU-Lüfter ein billiger Weg. Ein>passiver Kühler ist sicherlich 10x größer.
es geht um 4W und nicht um 4kW oder MW
Es geht um 4W, eben. Lothar hat die Sache gepeilt.
Wieviel Temperatur hält eine Leiterplatte aus? Wie warm darf es in einem
üblichen Gehäuse werden? Keine Erfahrung?
Abdul K. schrieb:> Wieviel Temperatur hält eine Leiterplatte aus?
Mehr als dein Mosfet.
Genug, dass man darauf sogar Löten kann.
> Wie warm darf es in einem üblichen Gehäuse werden?
So warm, dass das empfindlichste Bauteil darin gerade nicht kaputt geht,
und das Gehäuse noch nicht das Schmelzen anfängt.
> Keine Erfahrung?
Versuch unter 70°C zu bleiben. Wenn viele knapp dimensionierte Elkos
verbaut sind, eher < 60°. Wenn noch dazu eine lange Lebensdauer
gewünscht ist, 50, 40, 30°...
Gehts hier eigentlich um Stammtischgeprotze oder technisch versierte
Konstruktion!
Um dich mal aufzuklären: Glasübergangstemperatur bei FR4 ca. 110°C.
MOSFET kannnste dauerhaft das Die auf 175°C betreiben. Und das nach Spec
des Herstellers! Nicht nach euren Goldhaarimplantaten.
@ Methusalix (Gast)
>> Wieviel Temperatur hält eine Leiterplatte aus?>Mehr als dein Mosfet.
Wenn das mal kein Irrtum ist, die MOSFETS können sich teilweise selber
auslöten, ohne kaputt zu gehen.
>Genug, dass man darauf sogar Löten kann.
Aber nur kurzzeitig, dauerhaft sollte man FR4 nicht mehr als 110-130°C
zumuten.
Also um mal aufzukläsen:
Mit 1-2cm² Leiterplatte meinte ich natürlich Leiterbahn, also eine
Kupferfläche.
Und dem FET werden für die maximal 4W 2cm³ mit Zinn überzogene
Leiterbahn zur Verfügng stehen um die Abwäre wegzubringen. Empfindliche
Bauteile in der Umgebung ist nur ein Elko, der aber auch schon wieder
2cm weit weg sitzt.
Ich bin also guter dinge, dass es funktionieren wird...
Vielen Dank euch
lg
Sven schrieb:> Und dem FET werden für die maximal 4W 2cm³ mit Zinn überzogene> Leiterbahn zur Verfügng stehen um die Abwäre wegzubringen.
Es reicht nicht aus, die Wärme auf die LP zu bekommen. Letztendlich muß
die Wärme von der Luft aufgenommen werden. Und die von dir angegebene
Fläache wird dafür nicht reichen.
> Ich bin also guter dinge, dass es funktionieren wird...
Allein die Hoffnung trägt uns weiter :-o
Falk Brunner schrieb:> Wenn das mal kein Irrtum ist, die MOSFETS können sich teilweise selber> auslöten, ohne kaputt zu gehen.
Die können sich sogar ganz selbst auslöten... ;-)
Wie willst du den Transistor überhaupt ansteuern? Als Schaltregler oder
so halb durchsteuern, damit R=U/I=1V/2A=0,5 Ohm hinbekommst? Dann ist ja
egal ob der jetzt 11 oder 200 mOhm hat.
Aber warum nicht einfach einen normalen bipolaren Transistor nehmen?
Welche Vorteil bringt deiner Meinnung nach hier ein MOSFET?
Zinn auf Leiterbahnen ist sinnlos, wenn es nicht zum Löten dient!
Aber da gibts genug Beispiele in der Industrie. Du bist nicht der
einzige, z.B. Grundig und ganz viel Chinesen.
Hier übrigens so ein günstiger Lüfterkühler. Es gibt aber auch noch
kleinere mit 5V. Ist jetzt nur ein Beispiel. Für hochwertige Elekronik
kommt natürlich nur passive Kühlung in Frage.
Pollin 320108 Eine Eurone.
Ueber 2cm^2 Kupfer auf der Leiterplatte bringt man allenfalls 1W weg,
keine 4. Aber eben, wie schon bemerkt, die Waerme in der Leiterplatte
ist ein Anfang, sie muss von da weg...
Zinn hat eine 16 fach schlechtere Leitfaehigkeit wie Kupfer. Daher ist
0.6mm Zinn nur so gut wie die 35um Kupfer. Da nimmt man besser eine 70um
Leiterplatte.
Man kann es drehen und wenden. Wenn man sich die Sache genau anschaut,
stellt man ernüchternd fest, das die übliche Kupferdicke nicht ausreicht
genug wegzuleiten UND die sich drumherum ergebende Fläche reicht
wiederum nicht, um die Wärme an die Luft loszuwerden. Es wird allenfalls
etwas besser, wenn man die Leiterplatte senkrecht einbaut. Was nur für
Geräte geeignet ist, bei denen senkrecht dann später auch definiert
ist!!
Kurzum: Dickes Material UND Rippen! Da kommt selbst der winzigste
Rippenkühler besser weg als ne riesen Kupferfläche auf ner Leiterplatte.
Ist nunmal so.
