maximale Drain Source Voltage

[Frage zu MOSFETs (Gast)]

Hallo

Ich hätte da ne kleine Frage zu MOSFETs, warum sind manche eignetlich 
nur bis 25V Drain Source Voltage und manche bis 1500V Drain Source 
Voltage zugelassen.

Die Verlustleistung an den MOSFETs ist ja relativ gering, jedenfalls, 
solange man es mit den Strömen nicht übertreibt.


Hat das was mit dem Kristallgitter zu tun ?




stimmt es eigentlich, dass bipolare Transistoren schneller schalten als 
MOSFETs ?



schönen Abend wünsch ich

[Purzel H. (hacky)]

>Ich hätte da ne kleine Frage zu MOSFETs, warum sind manche eignetlich
nur bis 25V Drain Source Voltage und manche bis 1500V Drain Source
Voltage zugelassen.

Naja. die Nachfrage scheint vorhanden zu sein ... Die FETs mit niedrigen 
spannungen haben bessere Werte.


>stimmt es eigentlich, dass bipolare Transistoren schneller schalten als
MOSFETs ?

Tun sie das ? Ich hab 300V auch schon in 20ns eingeschaltet.

[Floh (Gast)]

Frage zu MOSFETs schrieb:
> Ich hätte da ne kleine Frage zu MOSFETs, warum sind manche eignetlich
> nur bis 25V Drain Source Voltage und manche bis 1500V Drain Source
> Voltage zugelassen.

Je höher die maximale Drain-Source-Spannung, umso höher muss ja auch die 
maximale Drain-Gate-Spannung sein. Daher ist die Sperrschicht dieser 
Mosfets dicker als bei Mosfets für kleine Spannungen.
Allerdings hat die dickere Sperrschicht eben auch Nachteile, daher ist 
ein Mosfet immer ein an das Problem angepasster Kompromiss zwischen 
Spannung, Strom, Schaltgeschwinidgkeit, Gatecharge...
:-)

[Frage zu MOSFETs (Gast)]

wers nicht prinzipiell möglich zum Beispiel einen MOSFET mit angegebenen 
25V Drain Source mit 40V zu betreiben oder ein 40V Typ mit 60V ?

die Gate Source Spannung liegt ja meistens bei 20V

[Floh (Gast)]

Frage zu MOSFETs schrieb:
> die Gate Source Spannung liegt ja meistens bei 20V

Mals dir mal auf.
Nehmen wir an, ein N-Kanal-Mosfet ist gerade ausgeschaltet (nicht 
leitend), dann liegt zwischen Source bzw Gate und Drain die maximale 
Spannung an.
Der Aufbau des Mosfets entspricht dabei etwa seinem Schaltbild (1), 
sprich die Gateplatte und der Drain-Source-Kanal bilden einen 
Kondensator. Und eben dieser Kondensator muss ja die Spannungsfestigkeit 
besitzen, um die maximale Drain-Source-Spannung auszuhalten ohne 
durchzuschlagen.
Hoffe das war verständlich :-)

(1)http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

[Иван S. (ivan)]

Frage zu MOSFETs schrieb:
> wers nicht prinzipiell möglich zum Beispiel einen MOSFET mit angegebenen
> 25V Drain Source mit 40V zu betreiben oder ein 40V Typ mit 60V ?

Sicher, genau so wie man 16V-Elkos "gerne" mit 20V betreibt, über 
1/4-Watt-Widerstände mindestens das Drittel eines Watts jagt und 3V3-ICs 
ohne Regler in den 5V-Zweig knallt. Alles eine Frage der 
Prioritätensetzung.

Gruß zu nächtlicher Stunde wünscht Iwan