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maximale Drain Source Voltage
Gast
#1931061
Hallo Ich hätte da ne kleine Frage zu MOSFETs, warum sind manche eignetlich nur bis 25V Drain Source Voltage und manche bis 1500V Drain Source Voltage zugelassen. Die Verlustleistung an den MOSFETs ist ja relativ gering, jedenfalls, solange man es mit den Strömen nicht übertreibt. Hat das was mit dem Kristallgitter zu tun ? stimmt es eigentlich, dass bipolare Transistoren schneller schalten als MOSFETs ? schönen Abend wünsch ich >Ich hätte da ne kleine Frage zu MOSFETs, warum sind manche eignetlich nur bis 25V Drain Source Voltage und manche bis 1500V Drain Source Voltage zugelassen. Naja. die Nachfrage scheint vorhanden zu sein ... Die FETs mit niedrigen spannungen haben bessere Werte. >stimmt es eigentlich, dass bipolare Transistoren schneller schalten als MOSFETs ? Tun sie das ? Ich hab 300V auch schon in 20ns eingeschaltet.
Gast
#1931087
Frage zu MOSFETs schrieb: > Ich hätte da ne kleine Frage zu MOSFETs, warum sind manche eignetlich > nur bis 25V Drain Source Voltage und manche bis 1500V Drain Source > Voltage zugelassen. Je höher die maximale Drain-Source-Spannung, umso höher muss ja auch die maximale Drain-Gate-Spannung sein. Daher ist die Sperrschicht dieser Mosfets dicker als bei Mosfets für kleine Spannungen. Allerdings hat die dickere Sperrschicht eben auch Nachteile, daher ist ein Mosfet immer ein an das Problem angepasster Kompromiss zwischen Spannung, Strom, Schaltgeschwinidgkeit, Gatecharge... :-)
Gast
#1931119
wers nicht prinzipiell möglich zum Beispiel einen MOSFET mit angegebenen 25V Drain Source mit 40V zu betreiben oder ein 40V Typ mit 60V ? die Gate Source Spannung liegt ja meistens bei 20V
Gast
#1931128
Frage zu MOSFETs schrieb: > die Gate Source Spannung liegt ja meistens bei 20V Mals dir mal auf. Nehmen wir an, ein N-Kanal-Mosfet ist gerade ausgeschaltet (nicht leitend), dann liegt zwischen Source bzw Gate und Drain die maximale Spannung an. Der Aufbau des Mosfets entspricht dabei etwa seinem Schaltbild (1), sprich die Gateplatte und der Drain-Source-Kanal bilden einen Kondensator. Und eben dieser Kondensator muss ja die Spannungsfestigkeit besitzen, um die maximale Drain-Source-Spannung auszuhalten ohne durchzuschlagen. Hoffe das war verständlich :-) (1)http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Frage zu MOSFETs schrieb: > wers nicht prinzipiell möglich zum Beispiel einen MOSFET mit angegebenen > 25V Drain Source mit 40V zu betreiben oder ein 40V Typ mit 60V ? Sicher, genau so wie man 16V-Elkos "gerne" mit 20V betreibt, über 1/4-Watt-Widerstände mindestens das Drittel eines Watts jagt und 3V3-ICs ohne Regler in den 5V-Zweig knallt. Alles eine Frage der Prioritätensetzung. Gruß zu nächtlicher Stunde wünscht Iwan Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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