Gast
#1935657
Ich suche nach einer (simplen) Schaltung für einen Pulsgenerator mit sehr steilen Flanken zum Testen von EMV-Störfestigkeit (Pulse injection). Kennt jemand eine bewährte Schaltung dafür?
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Pulsgenerator
Gast
#1935657
Ich suche nach einer (simplen) Schaltung für einen Pulsgenerator mit sehr steilen Flanken zum Testen von EMV-Störfestigkeit (Pulse injection). Kennt jemand eine bewährte Schaltung dafür? Luky schrieb: > sehr steilen Flanken Reichen 225ps? http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MC10EL05-D.PDF
Gast
#1935710
225ps sind mehr als genug. Wenns etwas langsamer und dafür ohne ECL gehen würde wäre aber ideal.
Gast
#1935733
dann sollte der in der Präsentation beschriebene Generator gehen http://www.dl7maj.de/Vortrag_TDR-Generator.pdf EMU EMU schrieb: > dann sollte der in der Präsentation beschriebene Generator gehen > http://www.dl7maj.de/Vortrag_TDR-Generator.pdf > > EMU Genau, klapper mal die ganzen schnellen Logikfamilien ab und such dir die für dich passende aus.
Gast
#1935869
> dann sollte der in der Präsentation beschriebene Generator gehen
Dieser Generator ist aber für eine andere Anwendung gemacht, um
EMV-Störfestigkeit zu testen, brauchst Du möglicherweise eine wesentlich
höhere Spannung als ein Logic-Gatter ausgiebt?
In welchem Frequenzbereich möchtest Du denn Störimpulse erzeugen? Und
wie sollen die Störimpulse in den Prüfling eingekoppelt werden?
Ich hab so was ähnliches mal gemacht, um die Common-Mode Rejection in
einer differentiellen Signalübertragung zu testen. Dazu habe ich eine
deutlich höhere Störspannungen benötigt, um den gewünschten Effekt zu
sehen.
Ich hab das mit einem Mosfet und einem kleinen Übertrager aus einem
Doppellochkern mit bifilarer Wicklung gebastelt (s. Anhang), hat
ziemlich gut funktioniert. Über das Wicklungsverhältnis kann man die
Ausgangsspannung beeinflussen, ich weiß jetzt nicht mehr auswendig, wie
der Übertrager gewickelt war.
Wichtig ist, dass der Mosfet eine hohe Spannungsfestigkeit (> 100V) hat
und schnell abschaltet. Die Impulsbreite am Mosfet-Gate muss so gewählt
werden, dass der Kern nicht in Sättigung geht.
Gast
#1936042
Die üblichen Verfahren für Pulse mit sub-Nanosekunden-Anstiegszeit: - Transistor im Avalanchebetrieb - Step Recovery Diode Details erspare ich mir, googlen macht schlau. Nachdem Du in Deiner Anwendung neben knackiger Anstiegszeit auch noch ein bißchen Rums dahinter haben willst, bietet sich Avalanche am ehesten an. Für ganz viel Rums die halbleiterfreie Variante: Kondensatorbank und triggered spark gap ;-) Wenn die Pulse nicht nur kurze Anstiegs-, sondern auch Abfallzeiten haben sollen (z.B. für TDR): Am Ende kurzgeschlossenes Koaxkabel als Laufzeitleitung parallelschalten. Quecksilberrelais wären da auch noch zu erwähnen ... Wie wär's ein offenes Koax-Kabel zu schalten? Wird gerne für sehr kurze Pulse gemacht. Pulsdauer kann per Kabellänge eingestellt werden. http://ap.gepax.de/files/Hawkes_Hochfrequenz_256.pdf http://www.freepatentsonline.com/3581145.pdf Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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