LDO Vergleich Ruhestrom und Eigenverbrauch

Gast #1969871
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Ich bin gerade dabei den Si9185 mit dem MCP1702 zu vergleichen. Die 
Dropout-Spannung ist wohl beim Si deutlich geringer. ca. 50mV bei 50mA 
ggü. etwa 60mV. Ganz genau vergleichbar ist das aber wohl nicht anhand 
des DB.

Aber beim Vergleich des Eigenstromverbrauches und des Ruhestromes habe 
ich Probleme.
Gucke ich da auf den "Quiescent Current" so ist der beim Si garnicht 
angegeben (oder habe ich da was übersehen)?

Gucke ich auf den "Ground Current" was ich als den Eigenverbrauch 
ansehe, dann hat der Si bei 100mA Last minus 0,5uA aber der MCP 60uA. 
Ich bin gerade unsicher ob ich da Birnen mit Äpfeln vergleiche. (Woher 
kommt eigentlich das Minus?)

Ich will halt den mit dem kleineren Eigenverbrauch auswählen und 
möglichst auch den Ruhestrom betrachten, damit ich nicht etwa den mit 
dem kleineren Eigenverbrauch aber dennoch sehr hohem Ruhestrom auswähle.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/vishay/71765.pdf

http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/22008b.pdf

Mag da mal jemand einen zweiten Blick darauf werfen, bitte?
#1969882
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Hupf schrieb:

> Gucke ich da auf den "Quiescent Current" so ist der beim Si garnicht
> angegeben (oder habe ich da was übersehen)?

Es gibt kein gesetzliches Regelwerk für Datasheets, in dem minutiös 
vorgeschrieben stünde, was wie heissen muss.

> (Woher kommt eigentlich das Minus?)

Strom rein = +, Strom raus = -
Ist aber keine universelle Konvention.
Gast #1969909
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>Es gibt kein gesetzliches Regelwerk für Datasheets, in dem minutiös
>vorgeschrieben stünde, was wie heissen muss.

Das sage ich ja auch garnicht. Ich will einfach nur die Frage klären ob 
und wo ich den Ruhestrom in dem Datenblatt vom Si finde. Ob ich was 
übersehen habe oder nach einem anderen Begriff suchen sollte oder das 
garnicht drinsteht.
Moderator #1969923
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Im Diagramm "GND Current vs. Load Current" (S. 7 im Datenblatt des
Si9185) sollte die y-Achse wohl mit mA statt mit µA beschriftet sein.
Nur dann passen die Werte mit den anderen Diagrammen und der Tabelle
zusammen. Damit scheint der Si9185 verbrauchsmäßig in jeder Hinsicht die
schlechtere Wahl zu sein, es sei denn, du kannst den Shutdown-Modus
sinnvoll nutzen, in dem der Baustein nur noch 0,1µA braucht.

Der Quiescent-Current kann dem Diagramm daneben "No Load GND Pin Current
vs. Input Voltage" oder dem Tabelleneintrag "Ground Pin Current |
Iout=0mA" entnommen werden.
Gast #1969973
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Was mir halt aufgefallen ist, ist das im MCP-Datenblatt zwischen "Ground 
Current" und "Quiescent Current" unterschieden wird. Jetzt verstehe ich 
Euch aber so als wenn das das selbe ist. Warum dann die Unterscheidung 
beim MCP?
Ist das wirklich synonym?

Mit dem Vorzeichen: Im Si Datenblatt hat der Groundstrom im Lastfall 
negatives Vorzeichen aber im links daneben stehenden ohne Last (Seite 7) 
positives.

Ich habe da vielleicht wirklich Lücken, deswegen bitte ich um 
Aufklärung.
Moderator #1970001
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Hupf schrieb:
> Was mir halt aufgefallen ist, ist das im MCP-Datenblatt zwischen "Ground
> Current" und "Quiescent Current" unterschieden wird. Jetzt verstehe ich
> Euch aber so als wenn das das selbe ist.

Es ist nicht exakt dasselbe: Der Quiescent-Current ist der Ground-
Current in dem speziellen Fall, wenn der Reglerausgang unbelastet ist.
Siliconix verwendet statt "Quiescent Current" den Begriff "Ground Pin
Current" mit dem Zusatz "No Load" oder "Iout=0mA".
#1970002
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Hupf schrieb:

> Was mir halt aufgefallen ist, ist das im MCP-Datenblatt zwischen "Ground
> Current" und "Quiescent Current" unterschieden wird. Jetzt verstehe ich
> Euch aber so als wenn das das selbe ist. Warum dann die Unterscheidung
> beim MCP? Ist das wirklich synonym?

Der quiescent current ist der Ruhestrom, d.h. der Strom vorne rein bei 
Iout=0. Sofern nicht weitere Pins für Stromfluss sorgen ist er 
notwendigerweise identisch mit dem ground current bei Iout=0.

Iout wiederum ist abhängig vom Laststrom, mit steigendem Laststrom 
wächst er bei LDOs üblicherweise deutlich an. Bei non-LDOs ist das 
weniger ausgeprägt, was diese bei grösserem Strom manchmal besser 
dastehen lässt.

> Mit dem Vorzeichen: Im Si Datenblatt hat der Groundstrom im Lastfall
> negatives Vorzeichen aber im links daneben stehenden ohne Last (Seite 7)
> positives.

Und siehe da, du hast nach Yalu nun ebenfalls einen Fehler im Datasheet 
gefunden. Nicht so eng sehen, das sind auch nur Menschen. Lass dich von 
den Vorzeichen nicht kirre machen.
Gast #1970015
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Aha. So ist das. Danke.

>Nicht so eng sehen, das sind auch nur Menschen.

Naja. Ich bin ja bereit tolerant zu sein. Ist halt immer so ein 
Widerspruch zwischen "erwarteter" Korrektheit und den möglichen 
menschlichen Fehlern. Wenn man selbst nicht so 100% firm ist, ist oft 
unklar ob es an einem selbst liegt oder an dem der das DB geschrieben 
hat. Im dem Fall neigte ich dazu den DB-Autor mehr zu trauen als mir 
selbst.

Also gut. Vielen Dank Euch beiden.

Das Fazit ist also, das der MCP leistungsmäßig besser dasteht, weil 
dessen höhere Dropoutspannung (Faktor 6) durch den den geringeren 
Eigenverbrauch (Faktor 10) dann doch kompensiert wird. (Das habe ich 
hier nur für Ströme bis 100mA verglichen).

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