Bei den Agilent Labornetzteilen E3612A werden MOSFETs als Leistungstransistoren eingesetzt, im Service-Manual ist der Schaltplan abgebildet: http://www.mikrocontroller.net/attachment/95693/5959-5304_E3610A.pdf Dazu habe ich eine Frage, weil ich den Sinn von zwei Transistoren nicht so ganz verstehe: Der NPN-Transistor Q4 bzw. Q5 liegt mit der Basis am Source-Anschluss des Leistungs-MOSFET, der Emitter geht zum MOSFET-Gate (über 75 Ohm Widerstand). Über den Widerstand R43 (100 kOm) ist der Kollektor gegen -12V geschaltet. Vermutlich soll damit der MOSFET gegen zu hohe negative Gate-Spannung geschützt werden. So wie ich das verstehe, wirkt vor allem die Basis-Emitter Diode, über R43 fließt erst dann ein Strom, wenn die Spannung am MOSFET-Source niedriger als -12V ist, was ja eigentlich gar nicht passieren kann. Und wenn, dann ist dieser Strom sehr klein, da R43 = 100 kOhm. Hat von Euch jemand eine Erklärung, was Q4/Q5 für eine Funktion haben und warum R43 so hochohmig ist?
Johannes schrieb: > Bei den Agilent Labornetzteilen E3612A werden MOSFETs als > Leistungstransistoren eingesetzt, im Service-Manual ist der Schaltplan > abgebildet: > http://www.mikrocontroller.net/attachment/95693/5959-5304_E3610A.pdf > > Dazu habe ich eine Frage, weil ich den Sinn von zwei Transistoren nicht > so ganz verstehe: > > Der NPN-Transistor Q4 bzw. Q5 ... > Vermutlich soll damit der MOSFET gegen zu hohe negative Gate-Spannung > geschützt werden. Nein. > > > Hat von Euch jemand eine Erklärung, was Q4/Q5 für eine Funktion haben > und warum R43 so hochohmig ist? Q4/Q5 dienen der Strombegrenzung. Aus 2 Gründen: 1. Eine typische Variante, um bei Ausfall anderer Regelungen doch noch die Linearendstufe zu schützen. 2. Um doch noch zu erzwingen, das sich nicht eine der parallelgeschalteten Linearendstufen komplett mit dem vollen Nennstrom abmüht (== Verteilung erzwingen).
> Q4/Q5 dienen der Strombegrenzung....
Danke für den Hinweis, ich muss allerdings gestehen, dass ich die
Funktion immer noch nicht so richtig nachvollziehen kann.
Kann es sein, dass Q4/Q5 irgendwie rückwärts betrieben werden. Es fließt
ja im Normalbetrieb ein Strom durch die Basis-Kollektor-Diodenstrecke
und R43 nach -12V. Um den Strom durch die MOSFETs zu begrenzen müsste
ein Strom in den Emitter reinfließen.
Oder ist das vielleicht falsch rum gezeichnet.
Q4, Q5, R43, R44 und R45 bilden einen Differenzverstärker. An R35 und R36 entsteht jeweils ein Spannungsabfall, der abhängig von dem jeweils fließenden Strom ist. Der Differenzverstärker korrigiert die Gatespan- nungen der beiden Mosfet-Pärchen so, dass in beiden Zweigen der gleiche Strom fließt. Warum die Transistoren invers betrieben werden, verstehe ich auch nicht. Durch den Inversbetrieb erhöhen sich die Eingangsströme des Verstärkers deutlich, was aber in diesem Fall keine (schon gar keine positven) Auswirkungen hat. Unter bestimmten Voraussetzungen könnte es bei den Transistoren zu einem BE-Durchbruch kommen, was aber sicher nicht erwünscht ist. Sonst ändert sich durch den Inversbetrieb das Verhalten des Differenzverstärkers kaum.
Ih hoffe, euch ist aufgefallen, daß dies reverse betriebene npn-Transistoren sind, und zwar relativ schnelle. Und daß die Sourcewiderstände absolut nicht die Funktion dieser Transistoren beeinflußen. Also nix Stromregelung/-verteilung irgendwie. Ich tippe einfach auf schnell schaltende Dioden (BE-Strecke dieser Transitoren) - und zwar für den Fall, daß Q2 aus irgendwelchen Regelgründen zu stark gegen Masse zieht, während die Sources noch auf zu hohem Pegel liegen (diese Beschaltung gilt schließlich nur für die Hochvoltvariante des Netzteils). Diese "Dioden" ziehen an, sobald Us>Ug.
Die idee mit der Stromverteilungsregelung bzw. Differenzverstärker finde ich zwar interessant, aber da die Schaltung potentiell die Gefahr hat, daß Ugs die max. -Ube der Q4/Q5 (6V) übersteigen könnte, und somit nicht mehr als (invers betriebene) Transistoren funktionieren können, glaube ich nicht so recht daran, daß man damit eine Stromregelung mittels Differenzverstärker realisieren wollte. Ich bleibe also bei meiner Meinung, daß die eine zu hohe -Ugs vermeiden sollen.
also wenn die Transistoren nur verkehrtherum eingemalt wurden, dann kann die Stromverteilungstheorie stimmen. Aber warum nur bei der Hochvoltvariante?
Jens G. schrieb: > Die idee mit der Stromverteilungsregelung bzw. Differenzverstärker finde > ich zwar interessant, aber da die Schaltung potentiell die Gefahr hat, > daß Ugs die max. -Ube der Q4/Q5 (6V) übersteigen könnte, und somit nicht > mehr als (invers betriebene) Transistoren funktionieren können, glaube > ich nicht so recht daran, daß man damit eine Stromregelung mittels > Differenzverstärker realisieren wollte. Mich hat's ja auch etwas gewundert, warum man das Risiko eines EB-Durch- bruchs eingeht, obwohl die Transistoren anders herum eingebaut ihren vermuteten Zweck als Differenzverstärker mindestens genauso gut erfüllen würden. Allerdings wird der Durchbruch im normalen Betrieb nicht passie- ren, da das Netzgerät auf 0,5A begrenzt ist. Diesen Strom liefert schon ein einzelner IRF440 bei Ugs = Uebmax = 6V locker, so dass höhere Span- nungen gar nie auftreten sollten. Falls die Transistoren nicht der Stromverteilung, sondern als Dioden dem Überspannungsschutz für die Mosfets dienen, frage ich mich: - Wozu braucht man diesen Schutz? Selbst bei kaputten Q2 und CR8 kann Ugs höchstens ±12V (zuzüglich dem nicht sehr großen Spannungsabfall an den Shunts R35/R36 und R2) erreichen, was aber noch deutlich innerhalb des zulässigen Bereichs liegt. - Wozu ist dann der gemeinsame Kollektorwiderstand R43 da? - Warum nimmt man dazu nicht gewöhnliche Dioden? Sind die BE-Dioden der 2N2222 wirklich schneller oder sonstwie besser als billige 1N4148? - Und das potentielle Durchbruchproblem hat man ja immer noch. Langsam keimt auch in mir der Verdacht, dass die Transistoren einfach falsch herum in den Schaltplan eingezeichnet wurden. > also wenn die Transistoren nur verkehrtherum eingemalt wurden, dann kann > die Stromverteilungstheorie stimmen. > Aber warum nur bei der Hochvoltvariante? Nur so eine Vermutung: In den Niedervoltvarianten werden Darlingtons anstelle der Mosfets eingesetzt. Da Mosfets anders als Bipolartransistoren nicht so gut für den leistungsverbratenden Analogbetrieb geeignet sind, hat man mehr Aufwand in die Stromverteilung gesteckt, um sicher zu gehen, dass jeder der vier Mosfets tatsächlich nur ein Viertel der Gesamtverlustleistung abbekommt. Die Darlingtons sind etwas robuster, so dass die nachgeschal- teten Widerstände R35 und R36 evtl. schon ausreichen, um den Strom halbwegs gleichmäßig zu verteilen, zumal bei den Bipolartransistoren ja auch der Gegenkopplungseffekt dieser Widerstände stärker als bei den Mosfets ist.
> also wenn die Transistoren nur verkehrtherum eingemalt wurden, dann kann > die Stromverteilungstheorie stimmen. Ich denke auch, dass das ein Fehler im Schaltplan ist. Könnte es sein, dass Agilent da absichtlich kleine Fehler einbaut, um den (chinesischen) Mitbewerbern den Nachbeu etwas schwerer zu machen bzw. um die Kopie daran zu erkennen, dass der Fehler mitkopiert worden ist? Ich bin mir mitlerweile ziemlich sicher, dass diese Transistoren für eine symmetrische Stromverteilung zuständig sind; einen Schutz gegen negative Gate-Spannung bieten sie zusätzlich auch, aber die sollte eigentlich nicht auftreten. > Aber warum nur bei der Hochvoltvariante? Nur hier sind MOSFETs eingesetzt, die Niedervolt-Geräte haben Bipolartransistoren, da braucht man das nicht.
Johannes schrieb: >> Aber warum nur bei der Hochvoltvariante? > > > > Nur hier sind MOSFETs eingesetzt, die Niedervolt-Geräte haben > > Bipolartransistoren, da braucht man das nicht. Und da man für die Niedervolt-NTs schon bei Motorola die Halbleiter gekauft hat, wundert es umso mehr das man bei den 120V NT nicht auch Motorola Bipolar genutzt hat. Für solch ein 30W NT nun wirklich kein großes Thema. Vermutlich/Möglicherweise Kostengründe. BTW: Es geht aber mit derartigen 200V/250V npn von Motorola auch, wir haben hier mal sowas reparieren müssen und es war gerade kein IRF Ersatz auf die Schnelle greifbar .-)
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