Hallo zusammen Ich wäre dankbar, wenn mir jemand kurz zwei Fragen beantworten könnte. Googlesuche half mir leider nicht weiter. Ich habe einen P-MOSFET, welcher folgendermassen angeschlossen ist: Source auf 12V, Drain über 1k Widerstand auf GND, und Gate wird mittels Treiber angesteuert (12V=off, GND=on). Nun: 1) Wieso dauert generell beim FET ausschalten länger als einschalten? 2) Wieso hängt die Ausschaltzeit vom Widerstand zwischen Drain und GND ab? (100Ohm parallel zum 1k verkürzt Ausschaltzeit erheblich) Besten Dank
habaduba schrieb: > 1) Wieso dauert generell beim FET ausschalten länger als einschalten? Ist dem wirklich so? > 2) Wieso hängt die Ausschaltzeit vom Widerstand zwischen Drain und GND > ab? (100Ohm parallel zum 1k verkürzt Ausschaltzeit erheblich) Stell' dir das Gate als Kondensator vor, der über den R entladen wird. Das dauert bei großem R nunmal länger.
Luk4s K. schrieb: > Stell' dir das Gate als Kondensator vor, der über den R entladen wird. > Das dauert bei großem R nunmal länger. Schon, aber Kondensator zwischen Gate und Source...da sollte doch der Widerstand zwischen Drain und GND keine Rolle spielen...
>> Stell' dir das Gate als Kondensator vor, der über den R entladen wird. >> Das dauert bei großem R nunmal länger. > Schon, aber Kondensator zwischen Gate und Source...da sollte doch der > Widerstand zwischen Drain und GND keine Rolle spielen... Nicht nur das Gate verhält sich wie ein Kondensator; auch die Drain-Source Strecke hat eine Kapazität, wenn der MSOFET ausgescahltet ist. Nachdem der MOSFET abgeschaltet hat, wird diese Kapazität über deinen Widerstand aufgeladen. Am Oszi sieht man, dass die Drain-Spannung unterschiedlich schnell absinkt. Dann gibt es noch die Turn-Off Delay-Time, die hängt vom Laststrom ab. Das ist die Zeit, wie lange es dauert, bis die freien Ladungsträger aus dem Kanal abgeflossen sind. Bei einem kleineren Widerstand fließt mehr Strom und dadurch wird diese Zeit kürzer.
Es ist z.B.: auch die Gate-Source Kapazität von der Gate-Source Spannung abhängig was zu unterschieden in den Schaltzeiten führt.
Google ist Dein Freund! Bei http://haggenmiller.name/resources/sc-ms-w.pdf findet sich mehr, als Du vielleicht wissen wolltest. Leider werden keine Absolutzahlen angegeben (kannst ja mal ein paar Datenblätter nehmen und die dynamischen Schaltvorgänge durchrechnen ;-)), aber der für Deine Frage wesentliche Punkt steht in diesem Satz: "...Bei eingeschaltetem Transistor (gemeint ist MOSFET) sind die Kapazitäten wesentlich größer als bei ausgeschaltetem Transistor."
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