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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Zwei grundlegende Fragen zum MOSFET


Autor: habaduba (Gast)
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Hallo zusammen

Ich wäre dankbar, wenn mir jemand kurz zwei Fragen beantworten könnte. 
Googlesuche half mir leider nicht weiter.

Ich habe einen P-MOSFET, welcher folgendermassen angeschlossen ist:

Source auf 12V, Drain über 1k Widerstand auf GND, und Gate wird mittels 
Treiber angesteuert (12V=off, GND=on). Nun:

1) Wieso dauert generell beim FET ausschalten länger als einschalten?
2) Wieso hängt die Ausschaltzeit vom Widerstand zwischen Drain und GND 
ab? (100Ohm parallel zum 1k verkürzt Ausschaltzeit erheblich)

Besten Dank

Autor: Lukas K. (carrotindustries)
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habaduba schrieb:
> 1) Wieso dauert generell beim FET ausschalten länger als einschalten?
Ist dem wirklich so?
> 2) Wieso hängt die Ausschaltzeit vom Widerstand zwischen Drain und GND
> ab? (100Ohm parallel zum 1k verkürzt Ausschaltzeit erheblich)
Stell' dir das Gate als Kondensator vor, der über den R entladen wird. 
Das dauert bei großem R nunmal länger.

Autor: habaduba (Gast)
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Luk4s K. schrieb:

> Stell' dir das Gate als Kondensator vor, der über den R entladen wird.
> Das dauert bei großem R nunmal länger.

Schon, aber Kondensator zwischen Gate und Source...da sollte doch der 
Widerstand zwischen Drain und GND keine Rolle spielen...

Autor: Johannes (Gast)
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>> Stell' dir das Gate als Kondensator vor, der über den R entladen wird.
>> Das dauert bei großem R nunmal länger.

> Schon, aber Kondensator zwischen Gate und Source...da sollte doch der
> Widerstand zwischen Drain und GND keine Rolle spielen...

Nicht nur das Gate verhält sich wie ein Kondensator; auch die 
Drain-Source Strecke hat eine Kapazität, wenn der MSOFET ausgescahltet 
ist. Nachdem der MOSFET abgeschaltet hat, wird diese Kapazität über 
deinen Widerstand aufgeladen. Am Oszi sieht man, dass die Drain-Spannung 
unterschiedlich schnell absinkt.

Dann gibt es noch die Turn-Off Delay-Time, die hängt vom Laststrom ab. 
Das ist die Zeit, wie lange es dauert, bis die freien Ladungsträger aus 
dem Kanal abgeflossen sind. Bei einem kleineren Widerstand fließt mehr 
Strom und dadurch wird diese Zeit kürzer.

Autor: Cgs (Gast)
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Es ist z.B.: auch die Gate-Source Kapazität von der Gate-Source Spannung 
abhängig was zu unterschieden in den Schaltzeiten führt.

Autor: Stefan Wimmer (wswbln)
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Google ist Dein Freund!

Bei http://haggenmiller.name/resources/sc-ms-w.pdf findet sich mehr, als 
Du vielleicht wissen wolltest.

Leider werden keine Absolutzahlen angegeben (kannst ja mal ein paar 
Datenblätter nehmen und die dynamischen Schaltvorgänge durchrechnen 
;-)), aber der für Deine Frage wesentliche Punkt steht in diesem Satz: 
"...Bei eingeschaltetem Transistor (gemeint ist MOSFET) sind die 
Kapazitäten wesentlich größer als bei ausgeschaltetem Transistor."

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