Hallo, ich möchte herrausfinden, wie groß der maximale Ausgangsstrom bei einem TS555 ist. Noch besser währe es, zusätzlich auch den Innenwiderstand zu kennen. Jedoch kann ich in dem Datenblatt keine entsprechende Angabe finden! Kann mir jemand weiterhelfen? Artikel: http://Www.reichelt.de/?ACTION=3;ARTICLE=21825;PROVID=2402 Datenblatt: http://www.reichelt.de/?;ACTION=7;LA=28;OPEN=0;INDEX=0;FILENAME=A200%252FTS555%2523STM.pdf;SID=40TTmdE38AAAIAAHOSwF431be7a42e91716a625828745af9c2244
Gast
#2027248
Gast
#2027252
Das einzige, was ich gefunden hab: VOL Low Level Output Voltage (Isink = 50mA) Tamb = + 25oC VOH High Level Output Voltage (Isource = -10mA) Tamb = + 25oC sind halt nicht die maximalen Ströme, aber wenigstens ne Hausnummer :-)
Gast
#2027257
NaJa, es steht indirekt unter High- bzw. LowLevelOutputVoltage.
@ Depp der Link führt bei mir zu nichts. @ Floh, die Angaben habe ich auch gefunden im Datenblatt von national semiconductor. Ich brauche leider die von ST Das Problem hat sich schon gelöst. War eigendlich zu simpel^^. Habe mir auf der Homepage von ST das aktuellste Datenblatt heruntergeladen. Dort steht: Table 1. Absolute maximum ratings IOUT Output current ± 100 mA Table 2. Operating conditions IOUT Output sink current 10mA Output source current 50mA Wobei ich mir die hohe Differenz zwischen maximum und operation nicht so ganz erklären kann. Aber 10mA sollten für meine Applikation ausreichen.
Link zum aktuellen Datenblatt: http://www.st.com/internet/analog/product/65434.jsp Denke die hohe Differnz zwischen operating und maximum lässt sich damit erklären, dass der Spannungsabfall bei 100mA Ausgangsstrom so groß ist, dass das IC nicht mehr verwendbar ist. Die Ausgangsstufe hat einen extrem hohen RDSon.
Gast
#2027325
Das Problem ist, dass sich mit der verwendeten Technologie N-Kanal und P-Kanal-Mosfets nur mit sehr unterschiedlichen Eigenschaften fertigen lassen. Daher die stark unterschiedlichen Source- bzw. Sink-Ströme.
Gast
#2027437
ArnoR schrieb: > Das Problem ist, dass sich mit der verwendeten Technologie N-Kanal und > P-Kanal-Mosfets nur mit sehr unterschiedlichen Eigenschaften fertigen > lassen. Daher die stark unterschiedlichen Source- bzw. Sink-Ströme. Peinlicherweise ist es aber genau anders herum. Hätten die PMOS- und NMOS-Transistoren der Ausgangsstufe die gleiche Fläche, so wäre |Isink|>|Isource|...
Gast
#2027449
Was heißt es ist peinlicherweise genau anders herurm? Ich habe doch gar keine Bewertung angegeben! Ich habe nur gesagt, dass sich die Ströme stark unterscheiden, nichts weiter! Alles andere ist deine Interpretation. Im Übrigen ist Isink>Isource!
Gast
#2027466
ArnoR schrieb: > Interpretation. Im Übrigen ist Isink>Isource! 10mA sind größer als 50mA?
Gast
#2027483
Man, jetzt stell mal das Bier weg. 50mA Sinkstrom und 10mA Sourcestrom bei etwa 1V Uds. Diagramm aus dem Datenblatt des TS555.
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TS555.jpg
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Gast
#2027603
OK, ich nehme meine Behauptungen zurück. Offensichtlich bin ich einer Ungenauigkeit im Datenblatt aufgesessen...
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Clipboard01.gif
(27 KB)
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