MOSFET PN-Übergang

MOSFET Gast 06.02.2011 19:22 #2051094

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Abend,

gerade habe ich mir ein paar Texte zum MOS-FET Transistor durchgelesen. 
Unter anderem habe ich da gelesen, dass bei einem n-Kanal Mosfet bei 
Positiver Drain-Source Spannung beide PN-Übergänge in Sperrrichtung 
gepolt sind. Bulk und Source sind verbunden.

Wieso sind dann beide PN Übergänge in Sperrrichtung? Der beim Drain 
leuchtet mir noch ein. Denn der Drain hat ja gegenüber Source und Bulk 
ein höheres Potential. Aber wie sieht es mit dem Übergang am Source aus? 
Wie steht es da mit den Potentialen? Source und Bulk liegen auf 
demselben Potential. Also befindet sich der Übergang im 
Thermodynamischen Gleichgewicht würde ich sagen. Meinen die das mit in 
Sperrrichtung gepolt? Klar der Übergang sperrt. Aber direkt in 
Sperrrichtung ist er ja nicht gepolt im Gegensatz zu dem am Drain.

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ArnoR Gast 06.02.2011 19:32 #2051115

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Vielleicht solltest du noch ein paar Texte lesen - ein Mosfet hat keine 
PN-Übergänge, sondern einen Kanal, dessen Leitfähigkeit durch die 
Gate-Source-Spannung gesteuert wird.

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MOSFET Gast 06.02.2011 19:38 #2051127

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ArnoR schrieb:
> Vielleicht solltest du noch ein paar Texte lesen - ein Mosfet hat keine
> PN-Übergänge, sondern einen Kanal, dessen Leitfähigkeit durch die
> Gate-Source-Spannung gesteuert wird.

Du hast dir schon mal angesehen, wie ein MOSFET gebaut ist, oder?

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U. B. Gast 06.02.2011 19:55 #2051145

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Zusätzlich ist im Mosfet noch eine Inversdiode "integriert", die 
manchmal in realen Schaltungen auch mitgenutzt wird.

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MOSFET Gast 06.02.2011 19:59 #2051154

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Was meinst du mit zusätzlich?
Ich meine die PN-Übergänge, die sich bauartbedingt im MOS-FET befinden. 
Und diese sollten ja in Sperrrichtung gepolt sein, da sonst ein 
Stromfluss über den Bulk erfolgen würde.

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Yalu X. (yalu) Moderator 06.02.2011 20:01 #2051157

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ArnoR schrieb:
> ein Mosfet hat keine PN-Übergänge

Doch. Beim N-Mosfet ist das Substrat p-dotiert, der Drain- und der
Sourceanschluss führen jeweils in ein n-dotiertes Gebiet. Zusammen
bilden sie zwei antiseriell geschaltete parastitäre PN-Dioden, von denen
die eine üblicherweise kurzgeschlossen ist und die andere als Body-Diode
in Erscheinung tritt.

MOSFET schrieb:
> Unter anderem habe ich da gelesen, dass bei einem n-Kanal Mosfet bei
> Positiver Drain-Source Spannung beide PN-Übergänge in Sperrrichtung
> gepolt sind.

Warum man bei der kurzgeschlossenen Diode von einer Polung in
Sperrrichtung spricht, verstehe ich auch nicht. Woher kommt diese
Aussage?

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John Drake Gast 06.02.2011 20:01 #2051159

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Nicht alles Geschriebene ist immer fehlerfrei und unmissverständlich 
(dieses Posting inklusive). Vermutlich ist gemeint, dass auch beim 
Source-Bulk-PN-Übergang eine Raumladungszone aka Sperrschicht 
ausgebildet ist.

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Mine Fields Gast 06.02.2011 20:01 #2051160

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MOSFET schrieb:
> Wieso sind dann beide PN Übergänge in Sperrrichtung? Der beim Drain
> leuchtet mir noch ein.

Na wenn die nicht in Sperrichtung wären, wärs eine Diode und kein 
MOSFET.

MOSFET schrieb:
> Source und Bulk liegen auf
> demselben Potential.

Nicht zwingend.

U. B. schrieb:
> Zusätzlich ist im Mosfet noch eine Inversdiode "integriert", die
> manchmal in realen Schaltungen auch mitgenutzt wird.

Die Diode ist der PN-Übergang zwischen Bulk und Drain und ist 
prinzipbedingt immer da.

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U. B. Gast 06.02.2011 20:04 #2051165

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> Zusätzlich ist im Mosfet noch eine Inversdiode "integriert"

Richtig wäre:

Automatisch entsteht im Mosfet bei der Herstellung noch eine 
Inversdiode.

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MOSFET Gast 06.02.2011 20:10 #2051178

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Der Text entstammt Göbel: Einführung in die Halbleiterschaltungstechnik. 
Zu lesen auf 111 unten und 112 oben.

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MOSFET Gast 06.02.2011 20:10 #2051179

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Link vergessen:

http://books.google.com/books?id=k7rmA-_pPmYC&lpg=PR2&ots=Gv0H4HLNgH&dq=g%C3%B6bel%20Einf%C3%BChrung%20in%20die%20Halbleiter%20Schaltungstechnik&hl=de&pg=PA110#v=onepage&q&f=false

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Yalu X. (yalu) Moderator 06.02.2011 21:13 #2051254

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MOSFET schrieb:
> Der Text entstammt Göbel: Einführung in die Halbleiterschaltungstechnik.
> Zu lesen auf 111 unten und 112 oben.

Hmm, das ist hier sehr missverständlich bis falsch beschrieben, keine
Ahnung, was sich der Herr Göbel dabei gedacht hat.

Im Tietze & Schenk ist das wesentlich klarer ausgedrückt:

  "Ohne Inversionsschicht ist immer mindestens einer der pn-Übergänge
  zwischen Source und Substrat bzw. Drain und Substrat gesperrt und es
  kann kein Strom fließen."

Natürlich können auch beide pn-Übergänge sperren, nämlich dann, wenn
Ubs<0 und Ubd<0 ist. Bei Göbel wird nun von Ubs=0 ausgegangen. Es ist
eine Frage der Definition, ob man einen pn-Übergang bei Spannung 0 als
sperrend oder leitend bezeichnet. Diese Frage stellt sich in diesem Fall
aber schon allein deswegen nicht, weil im Falle eines fließenden Stroms
dieser wegen der BS-Verbindung sowieso am pn-Übergang vorbeifließt. Die
BS-Diode hat also überhaupt keinen Einfluss darauf, ob der Mosfet sperrt
oder nicht, weswegen Göbels Formulierung zumindest sehr missverständlich
ist.

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MOSFET Gast 07.02.2011 10:11 #2051715

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Da habe ich gleich noch eine Frage zu Formulierungen aus diesem Buch:

Seite 69 letzter Punkt:
http://books.google.com/books?id=k7rmA-_pPmYC&lpg=PR2&ots=Gv0H4HLNgH&dq=g%C3%B6bel%20Einf%C3%BChrung%20in%20die%20Halbleiter%20Schaltungstechnik&hl=de&pg=PA70#v=onepage&q&f=false


Stimmt das so? Denn das würde ja bedeuten, dass sich beim 
Beipolartransistor bei positiver Basis-Emitterspannung die Basis 
gegenüber dem Emitter "absenken" würde. Ist es nicht genau anders herum, 
also dass der Emitter gegenüber der Basis "angehoben" wird?

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Arno H. Gast 07.02.2011 14:28 #2052111

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Semikron hat auf der Website ein App-Handbuch (Ausgabe 1998) in Deutsch 
mit ausführlichen Grundlagenerläuterungen. Die Kapitel können leider nur 
einzeln heruntergeladen werden.
http://www.semikron.com/skcompub/de/application_manual-193.htm
Das neue von 2010 gibts nur in Leseproben oder als preiswertes Totholz.
Substrat/Bulk im üblichen Sinn gibts meines Wissens nur bei Lateral-FET, 
oft daran zu erkennen, dass Source am KK liegt.
Modernere Vertikal-FET haben Drain am Kühlkörper und das Substrat ist 
nur die n+ Grundschicht des Epitaxialaufbaus (siehe Kap 1.2.1)

Arno

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