MOSFET Sättigungsbereich

OP #2080039
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Hallo,
Ich hätte eine Frage bezüglich zum dem Thema MOSFET-Sättigungsbereich.

Im Sättigungsbereich dominiert die Abschnürung des Kanals das Verhalten. 
Es kommt zu einem Pinch-Off. Meiner meinung nach , sollte bei Pinch Off 
die Kanal geblockt/geöffnet sein, spricht es fließt kein Strom von 
Source zu Drain.

Bei einer Erhöhung von Drain-Source Spannung verkürzt sich die nicht 
abgeschnürten Bereich. Das verstehe ich auch.

Aber ich verstehe nicht, wieso ein geringes Strom fließt, wenn die nicht 
abgeschnürtes Bereich weiterhin verkleinert wird(durch erhöhung von 
Vds). (Der Kanal ist ja praktisch geöffnet.) In welcher Richtung fließt 
hier strom ?


Danke schon mal im voraus.
Lg buddy
Gast #2080073
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Talukder Badhan schrieb:
> Im Sättigungsbereich dominiert die Abschnürung des Kanals das Verhalten.
> Es kommt zu einem Pinch-Off. Meiner meinung nach , sollte bei Pinch Off
> die Kanal geblockt/geöffnet sein, spricht es fließt kein Strom von
> Source zu Drain.
>
> Bei einer Erhöhung von Drain-Source Spannung verkürzt sich die nicht
> abgeschnürten Bereich. Das verstehe ich auch.
>
> Aber ich verstehe nicht, wieso ein geringes Strom fließt, wenn die nicht
> abgeschnürtes Bereich weiterhin verkleinert wird

Hi, Buddy,

jeder Anfänger ist ein Kandidat für Anfängerfehler. Jeder Ältere für 
Torheiten...

Schau Dir in den Datenblättern die Messkurven an.
Die "Pinch-Off-Voltage" ist die Spannung am Gate gegenüber Source, wo 
der Strom durch den Kanal unter einen Restwert fällt, also aus.

"Sättigung" dagegen ist, wenn
a) die Spannung am Gate gegenüber Source größer ist als Vpo,
b) die Spannung am Drain gegenüber Source groß genug, dass Strom fließt,
c) eine Steigerung der Spannung am Drain den Strom aber nicht erhöht. 
Der Transistor benimmt sich am Drain wie eine spannungsgesteuerte 
Stromsenke.

Ciao
Wolfgang Horn

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