Hallo,
@Knut
> Bei den Spannungen wird es wohl vernünftger Weise auf einen IGBT oder
> mehrere MOSFET hinaus laufen!
Als MOSFET erscheint mir der IPW60R045CP (Kanalwiderstand bei 25°C ca.
45 mOhm) von Infineon geeignet. Parallelschaltung wäre damit nicht
erforderlich.
Aufgrund seiner Avalanchefestigkeit (fast 2 Joule) kann man auch bei
leichter induktiver Last, je nach Schaltfrequenz, die Freilaufdiode
weglassen.
Ein Trench-IGBT hat bei 12A knapp über 1V UCEsat, eine Freilaufdiode
wäre hier jedoch schon bei leichten induktiven Lasten erforderlich.
@Knut
> Mit IGBT sind 1us schon die untere Grenze der Schaltgeschwindigkeit.
Das war einmal. Ich arbeite viel mit modernen Trench-IGBTs, anbei mal
ein paar gemessene!! Zeiten
U ca. 400V, I ca. 20A, T ca. 50°C
Gatewiderstand Einschalten 10 Ohm
Gatewiderstand Ausschalten 2 Ohm
Halbbrücke
Induktive Last (ca.200uH)
IRF IRGP4062 / 600V
Einschalten 30ns, Ausschalten 80ns
IRF IRG7PH35UD / 1200V
Einschalten 30ns, Ausschalten 100ns
Infineon IKW30N60T / 600V
Einschalten 30ns, Ausschalten 110ns
Infineon IKW40T120 / 1200V
Einschalten 50ns, Ausschalten 250ns
Das beste EMV-Verhalten haben die beiden Infineons, das schlechteste (im
direkten Vergleich) der IRG7PH35UD. Schlecht ist hier aber relativ zu
sehen, für sich betrachtet ist er auch gut.
David