Hi! Hab da mal ne allgemine Frage zu MOSFET´s. Ich habe mich schon durch gegoogelt aber verstehe es leider nicht. Erstens wie funktioniert die ansteuerung, und zweitens was GENAU ist der Unterschied zwischen p und n Kanal undwelcher wird wofür genutzt. MFG blutengel
Hallo du Blutiger, es gibt sogar noch viel mehr, Anreicherungs- und Verarmungstypen. Also beiß dich durch die Datenblätter durch. Zur Ansteuerung ist zu sagen, daß so ein FET zwar DC-mäßig recht hochohmig ist, aber dafür hat er ne saftige Kapazität zwischen Gate und Source, muß also niederohmig angesteuert werden. Lies mal was über TC4429: 2 Ampere rauf und 6 Ampere wieder runter. W.S.
blutengel schrieb: > GENAU ist der Unterschied http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
Bei MOSFETs liegt der Unterschied wie bei NPN- und PNP- Transistoren in der Polarität. Aus technologischen Gründen können die N-Kanal-FETS etwas niederohmiger durchschalten als die P-Kanal-Typen. Angesteuert wird mit Spannung, es fließt statisch kein Gatestrom, es muss nur die Gate-Kapazität umgeladen werden. Die Anreicherungstypen (sperren bei 0V Ugs) überwiegen bei Weitem. Grüße, Peter
Hi. Vieleicht helfen dir die nachfolgenden Links und der Text weiter. http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0510161.htm http://www.elektronikinfo.de/strom/feldeffekttransistoren.htm http://www.rn-wissen.de/index.php/Feldeffekttransistor Ich versuch mal die Erklärung so einfach und dennoch so ausführlich wie möglich zu halten. Einige Grundkenntnisse muss ich dabei aber schon vorraussetzen. MOSFET's sind leistungslos ansteuerbare Transistoren. Der Unterschied zum stink normalen Transistor ist, dass der normale Transistor "stromgesteuert" und der MOSFET "spannungsgesteuert" ist. Bei einem normalen Transistor musst Du einen gewissen Strom in die Basis des Transistors schicken, um einen Stromfluss über den Kollektor hin zum Emitter zu verursachen (Avalanche-Effekt). Je nach dem, ob Du einen NPN oder PNP Transistor hast, muss dieser Strom positiv oder negativ sein. Sagt ja auch die Bauart aus. Beim NPN "negativ-positiv-negativ" Transistor muss der Stromfluss IN die Basis erfolgen. Das erreichst Du dadurch, dass an der Basis eine höhere (positivere) Spannung liegt als am Emitter. Bei PNP Transistoren ist das genau anders herum. Bei einem MOSFET brauchst du diesen "Basisstrom" nicht. Stell dir das "Gate" (fast das selbe wie die Basis beim normalen Transistor) des MOSFETS als ganz kleinen Kondensator vor (Isolierschicht-FET), der über sein elektrostatisches Feld den Stromfluss vom Drain (Kollektor) hin zu Source (Emitter) bestimmt. Die Stärke des Feldes ist dabei abhängig von der Stärke und der Polarität (+,-) der Spannung, die am Gate (Basis) angelegt ist. Nehmen wir mal als kleines Beispiel einen selbstsperrenden N-Kanal MOSFET. Der ist ähnlich dem normalen NPN-Transistor. Legst Du ans Gate (Basis) keine Spannung an, leitet der MOSFET auch nicht (selbstsperrend, wie der normale Transistor auch). Wenn du eine Spannung, die positiv gegenüber der Spannung an Source (Emitter) ist, an das Gate (Basis) des Transistors anlegst, "saugst" Du damit Elektronen an das Gate herran, aber nicht herraus. Diese kommen aus dem sogenannten positiven Halbleitersubstrat zwischen Drain (Kollektor) und Source (Emitter)(siehe hier: http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0510161.htm). Dieses Substrat wirkt in Richtung Drain (Kollektor) wie eine verpolte Diode. Die wenigen Elektronen die sich in diesem Substrat befinden und an das Gate (Basis) "gesaugt" werden, reichen aus, um zwischen Drain (Kollektor) und Source (Emitter) eine leitende Verbindung herzustellen. Der MOSFET leitet nun. Der Begiff N-Kanal kommt daher, da der wortwörtliche Kanal zwischen Drain und Source durch Elektronen gebildet wird, die ja bekanntlich eine negative Ladung tragen. Das ist quasi das Grundprinzip. Ich denke das die obigen Link's dir helfen werden die unterschiedlichen Typen und ihren Einsatzzweck zu verstehen. lg Erklärbär
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