Allgemiene Fragen zu MOSFET´s

Hallo du Blutiger,

es gibt sogar noch viel mehr, Anreicherungs- und Verarmungstypen. Also 
beiß dich durch die Datenblätter durch.

Zur Ansteuerung ist zu sagen, daß so ein FET zwar DC-mäßig recht 
hochohmig ist, aber dafür hat er ne saftige Kapazität zwischen Gate und 
Source, muß also niederohmig angesteuert werden. Lies mal was über 
TC4429: 2 Ampere rauf und 6 Ampere wieder runter.

W.S.

blutengel schrieb:
> GENAU ist der Unterschied

http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht

Hi.

Vieleicht helfen dir die nachfolgenden Links und der Text weiter.

http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0510161.htm
http://www.elektronikinfo.de/strom/feldeffekttransistoren.htm
http://www.rn-wissen.de/index.php/Feldeffekttransistor

Ich versuch mal die Erklärung so einfach und dennoch so ausführlich wie 
möglich zu halten. Einige Grundkenntnisse muss ich dabei aber schon 
vorraussetzen.

MOSFET's sind leistungslos ansteuerbare Transistoren. Der Unterschied 
zum stink normalen Transistor ist, dass der normale Transistor 
"stromgesteuert" und der MOSFET "spannungsgesteuert" ist. Bei einem 
normalen Transistor musst Du einen gewissen Strom in die Basis des 
Transistors schicken, um einen Stromfluss über den Kollektor hin zum 
Emitter zu verursachen (Avalanche-Effekt). Je nach dem, ob Du einen NPN 
oder PNP Transistor hast, muss dieser Strom positiv oder negativ sein. 
Sagt ja auch die Bauart aus. Beim NPN "negativ-positiv-negativ" 
Transistor muss der Stromfluss IN die Basis erfolgen. Das erreichst Du 
dadurch, dass an der Basis eine höhere (positivere) Spannung liegt als 
am Emitter.
Bei PNP Transistoren ist das genau anders herum.

Bei einem MOSFET brauchst du diesen "Basisstrom" nicht. Stell dir das 
"Gate" (fast das selbe wie die Basis beim normalen Transistor) des 
MOSFETS als ganz kleinen Kondensator vor (Isolierschicht-FET), der über 
sein elektrostatisches Feld den Stromfluss vom Drain (Kollektor) hin zu 
Source (Emitter) bestimmt. Die Stärke des Feldes ist dabei abhängig von 
der Stärke und der Polarität (+,-) der Spannung, die am Gate (Basis) 
angelegt ist. Nehmen wir mal als kleines Beispiel einen selbstsperrenden 
N-Kanal MOSFET. Der ist ähnlich dem normalen NPN-Transistor. Legst Du 
ans Gate (Basis) keine Spannung an, leitet der MOSFET auch nicht 
(selbstsperrend, wie der normale Transistor auch). Wenn du eine 
Spannung, die positiv gegenüber der Spannung an Source (Emitter) ist, an 
das Gate (Basis) des Transistors anlegst, "saugst" Du damit Elektronen 
an das Gate herran, aber nicht herraus. Diese kommen aus dem sogenannten 
positiven Halbleitersubstrat zwischen Drain (Kollektor) und Source 
(Emitter)(siehe hier:
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0510161.htm). Dieses 
Substrat wirkt in Richtung Drain (Kollektor) wie eine verpolte Diode. 
Die wenigen Elektronen die sich in diesem Substrat befinden und an das 
Gate (Basis) "gesaugt" werden, reichen aus, um zwischen Drain 
(Kollektor) und Source (Emitter) eine leitende Verbindung herzustellen. 
Der MOSFET leitet nun. Der Begiff N-Kanal kommt daher, da der 
wortwörtliche Kanal zwischen Drain und Source durch Elektronen gebildet 
wird, die ja bekanntlich eine negative Ladung tragen.
Das ist quasi das Grundprinzip. Ich denke das die obigen Link's dir 
helfen werden die unterschiedlichen Typen und ihren Einsatzzweck zu 
verstehen.


lg
Erklärbär