LM2676-12.0: 13.5V -> 12V möglich?

Von/off-Threshold ist die Schwellspannung vom Steuereingang, also völlig 
falsche Baustelle.

Die 12V-Version definiert die Parameter erst ab Vin=15V, eine 
Dropout-Spannung kann ich im Datasheet nicht finden. Bei allen Version 
ist eine Differenz von mindestens 3V angeführt. Es ist also ziemlich 
zweifelhaft, ob der einsetzbar ist.

Alternative LM2596. Da ist das bei -12V zwar auch erst ab 15V definiert, 
es findet sich aber eine Dropout-Spannung von ca. 1,3V. Und die 
prinzipiell gleiche ADJ-Version ist definiert für Vin-Vout >= 1,5V 
(Vin=4,5V bei Vout=3V), es dürfte also passen.

olic schrieb:

> Falls jemand einen Schaltregler (3A, 13.5V-20V) kennt der Vdrop<1.3V
> hat, wäre ich froh um einen kurze Antwort.

Beitrag "Re: LM2676-12.0: 13.5V -> 12V möglich?"

Hi,
ich würde mal sagen, dass der LM2676 bei 3 A einen Dropout von 0,9V hat.
Die Schalttransistoren im inneren sind ja keine Bipo sondern Fet.
Im Datenblatt findet sich der Eintrag: "Switch On Resistance RDSon".
Dieser ist im schlechtesten Fall mit 0,29 Ohm bei 3 A spezifiziert.
... und 0,29 * 3 = 0,9

Zudem hat der TO ja noch die Möglichkeit seine Anforderung ein wenig zu 
tunen.
12 Volt Schaltungen laufen i. A. auch noch prima mit 11,5V oder so.
Das gibt ein wenig Extrareserve.

Gruss K.

Der LM2676 unterscheidet sich vom LM2596 durch den MOSFET an Stelle des 
bipolaren Schalttransistors. Das bringt zwar einerseits besseren 
Wirkungsgrad durch weniger Spannungsverlust. Andererseits benötigt der 
N-FET eine weit höhere Gatespannung, die per Bootstrap-Kondensator 
erzeugt werden muss. Das hat Konsequenzen.

Die bipolaren Versionen können den Transistor dauerhaft durchschalten, 
beim LM2596 geht das Tastverhältnis bis 100%. Beim MOSFET funktioniert 
das nicht, weil der Bootstrap-Kondensator dann keine Gatespannung mehr 
liefert. Es überrascht daher nicht, dass dessen Tastverhältnis im 
Datasheet auf 91% begrenzt ist. Das wird eng.

Klaus De lisson schrieb:
> Hi,
> ich würde mal sagen, dass der LM2676 bei 3 A einen Dropout von 0,9V hat.
> Die Schalttransistoren im inneren sind ja keine Bipo sondern Fet.
> Im Datenblatt findet sich der Eintrag: "Switch On Resistance RDSon".

Ihr vergesst alle, dass zumindest die Spule auch noch einen ohmschen 
Anteil hat!

> Zudem hat der TO ja noch die Möglichkeit seine Anforderung ein wenig zu
> tunen.
> 12 Volt Schaltungen laufen i. A. auch noch prima mit 11,5V oder so.
> Das gibt ein wenig Extrareserve.

An den Reserven rumzuknabbern ist doch Pfuscherei.

Simon K. schrieb:

> Ihr vergesst alle, dass zumindest die Spule auch noch einen ohmschen
> Anteil hat!

Den man zu Lasten der Grösse reduzieren kann.

Klar, aber wie sollte man denn in einem Schaltregler Datenblatt einen 
Dropout angeben? Weil ihr die Angabe ja die ganze Zeit sucht.
Man kann höchstens den ohmschen Widerstand oder die Sättigugnsspannung 
vom Schalttransistor angeben, wie auch oben schon gefunden.

Simon K. schrieb:
> Man kann höchstens den ohmschen Widerstand oder die Sättigugnsspannung
> vom Schalttransistor angeben, wie auch oben schon gefunden.

Wie oben schon bemerkt wurde: Auch die Max. Duty Cycle spielt mit rein. 
Wenn der Schalttransistor nur 90% der Zeit "AN" sein kann, hilft auch 
ein Rds(on) von 0.000001 Ω nicht weiter...

Εrnst B✶ schrieb:
> Simon K. schrieb:
>> Man kann höchstens den ohmschen Widerstand oder die Sättigugnsspannung
>> vom Schalttransistor angeben, wie auch oben schon gefunden.
>
> Wie oben schon bemerkt wurde: Auch die Max. Duty Cycle spielt mit rein.
> Wenn der Schalttransistor nur 90% der Zeit "AN" sein kann, hilft auch
> ein Rds(on) von 0.000001 Ω nicht weiter...

Guter Punkt! Stimmt, danke.