Hallo,
ich analysiere gerade die Arbeitspunkte der Schaltung im Anhang, und
verstehe nicht, wieso die beiden Arbeitspunktströme identisch sind.
Ich dachte mir:
r_CE1 = VAF/I_C1 und r_CE2 = VAF/I_C2
somit setzen die beiden BJTs ja den Zweigen unterschiedliche Widerstände
entgegen, da ja R_CEx von I_Cx abhängig ist.
Kann mir das mal jemand erklären?
Danke
DC-Analyse: AC-Spannungsquellen werden als DC=0V betrachtet(ideal
niederohmig). Beide Transistoren sehen also dieselbe
Basis-Emitter-Spannung. Nun kann es nicht anders sein, dass sie sich den
Strom teilen müssen.
Über die 100Ω-Widerstände an den Basen nehmen wir an, dass dort fast
kein Strom fließt. Also ist die Spannung an den Emittern -0,7V. Die
Spannung am 4,3kΩ-Widerstand ist also -0,7V - -5V = 4,3V
I = U/R = 4,3V/4,3kΩ = 1mA
Die Transen(igitt) teilen sich den Strom, é voila, jeder Transen zieht
500µA.
Wen hast du in Elektronik 2? Siegl, Fischer, Zocher?
mfg mf
Sind die Schaltungen denn so typisch, das man daran die FH erkennt =)
Zocha. Siegl ist nicht mehr.
Zu deiner Erklärung.
ABER, der R_CE ist abhängig vom jeweiligen I_C. Der 4k im rechten Zweig
bildet addiert sich doch zum R_CE2.
D.h.
R_linkerZweig < R_rechterZweig
=> I_linkerZweig > I_rechterZweig
ODER?
Hallo fistus,
meine Erklärung wäre: Fehler in der Simu (bzw. im Modell). Bei einer
Earlyspannung von 26V würde ich auch erwarten, dass sich die
Kollektorströme um rund 7% unterscheiden ( 2V/(26V+3V) ).
Und damit ich keinen Unsinn poste, habe ich es "sicherheitshalber" in
LTSpice mit 2N3991A ausprobiert. Die haben ein etwas größeres VAF=37,4V,
dementsprechend fällt der Stromunterschied mit ca. 5% etwas geringer aus
(530µA links, 558µA rechts), aber es zeigt sich genau die erwartete
Asymmetrie. Überprüfe doch nochmal das VAF in deinem Transistormodell.
viele Grüße
Achim
Gehts dir jetzt um Groß- oder Kleinsignalparameter?
"Setzen sie sich doch mal auf den Knoten und schaun sich die Impedanzen
an, die Dranhängen"...
Die Ströme sind dank Spice ja jetzt bekannt.
fistus schrieb:> Der 4k im rechten Zweig> bildet addiert sich doch zum R_CE2.
Für den Ausgang? Addiert? Nein. Eher transformiert und
Parallelgeschaltet.
Ich würde aber noch ein bisschen weiter gehen und sagen: die Impedanz
des Ausganges ist weitgehend von den 4k abhängig.
Schaut man aus dem Emitter von Q2 in die restliche Schaltung rein, sieht
man da ((100Ω+Rbeq1(Transformiert!!!))||1kΩ), die als
Stromgegenkopplung(RE) wirken, also wenn man in den Kollektor von Q2
rein schaut, sieht man dessen Early-Widerstand nochmals
hochtransformiert.
Ich versteh deine Frage ehrlich gesagt noch nicht ganz.
VAF ist in der aktuellen Simulation genau 26V.
Die ursprüngliche Frage ist nun geklärt. Hier die Lösung:
-> Das Potential an den Emittern ist gleich.
=> In der DC- Analyse sind dann die U_beX ebenfalls exakt identisch.
=> Die Kollektorströme sind ebenfalls identisch (Großsignalmäßig)
=> Weil I_C identisch, folgt R_CE sind identisch, weil ja gilt:
r_CE = VAF/I_C
=> Weil aber die Kollektorpotentiale unterschiedlich sind, fliest über
die Early-widerstände ein unterschiedlicher Strom ab. Dies bestätigt
sich in der Simulatian (I_C1 nich ganz I_C2).
@ MiniFloat:
> man da ((100Ω+Rbeq1(Transformiert!!!))||1kΩ), die als
1.wie kommst du auf den transformierten R_BE,Q1 ?
2. Woher kommen die 1kΩ?
fistus schrieb:> Woher kommen die 1kΩ?
Meine natürlich die 4,3kΩ unten.
fistus schrieb:> transformierten R_BE,Q1
Ja, du hast Recht, wenn ich mir das nochmal überlege.
Vom Eingang her sieht man die 100Ω und die beiden Rbe und den anderen
100Ω transformiert. Ein Transistor sieht also AC auch nur "die halbe
Steuerspannung", als wenn der zweite Zweig nicht da wäre.
Von den Emittern aus geht die Transformation natürlich "über alles was
da unten dran hängt".
Stimmt das so? Hätte nciht gedacht, dass meine Vergessenskurve doch so
steil verläuft :(
mfg mf
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