Gast
#2270268
Hallo, gilt beim Bipolartransistror unter Berücksichtigung des Earlyeffektes immer noch IC=IB*Bf0? Gruß
Gast
#2270275
Gast
#2270279
Da habe ich schon geschaut. Da finde ich aber nichts zu der von mir gefragten Aussage.
Gast
#2270282
> gilt beim Bipolartransistror unter Berücksichtigung des Earlyeffektes > immer noch IC=IB*Bf0? Ja natürlich, nur dass BfO abhängig von Uce ist.
Gast
#2270292
Ja und genau diese Abhängigkeit suche ich.
Hans schrieb: > Ja und genau diese Abhängigkeit suche ich. Das kann man sich leicht aus dem Kennliniendiagramm des Transistors mittels Strahlensatz herleiten. Oder man schaut nach, ob das vielleicht schon jemand vorher ausgerechnet hat: http://en.wikipedia.org/wiki/Early_effect#Large-signal_model
Gast
#2270542
Ah danke. Die Herleitung mittels Strahlensatz würde mich auch interessieren. Gibt es dazu wo etwas zu lesen? Denn so richtig kann ich mir nciht vorstellen, wie das gehen soll.
der early effekt wird oft vernachlässigt unter anderem weil B sowieso ohne ende streut (+- 60% bei gleichem modell). und wenn dann wird nur
ins kleinsignalersatzschaltbild eingebaut da eine schaltung im arbeitspunkt betrieben werden sollte ^^ die transistor/diodengleichung wurde ja bereits genannt, diese stellt das mathematisch korrekte modell dar.
kann getrost vernachlässigt werden. das ist die kunst daran, zu wissen was man streichen kann ;) ehrlichgesagt kann ich nicht mehr sagen, ich denke das muss man sich schon mit halbleiterphysik beschäftigen, um die herleitung zu raffen.
Hans schrieb: > Die Herleitung mittels Strahlensatz würde mich auch interessieren. Ich habe im Wikipedia-Bild ein wenig herumgemalt. Alles klar?
Angehängte Dateien:
-
early-effekt.png
(33 KB)
Gast
#2270833
Ja vielen Dank.
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