EPROMs - Löschverhalten/Überlöschung

rackandboneman Gast #2319984
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Moinmoin,

Da hier gerade EPROMs angeboten werden: Es wird oft angesprochen dass 
man UV-Eproms auch durch zu langes Löschen überlöschen kann und diese 
dann nicht mehr programmierbar sind.

Warum entsteht dasselbe Problem nicht beim Löschen eines programmiertes 
EPROMs mit denjenigen Zellen, die vom Programmiergerät auf 1 gelassen 
wurden?  Werden diese beim Programmieren irgendwie auch "vorgespannt", 
nur nicht stark genug um auf 0 zu "kippen", oder übersprungen?
Bzw beschädigt man ein EPROM beim Löschen wenn man es mit dem Profil 
eines algorhithmuskompatiblen kleineren Bausteins nur zum Teil 
programmiert hat?
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Peter R. #2320079
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Beim EPROM ist das gate des Speicher-FET's im unprogrammierten Zustand 
ungeladen und er gibt eine 1 aus.
Beim Programmieren lädt man durch eine Überspannung das gate auf, sodass 
der FET sperrt und eine 0 ausgegeben wird.

Diese beim Programmieren für eine 0 auf das gate aufgebrachte Ladung 
hält sich über Jahre, Manche versprechen sogar über Jahrzehnte.

Mit UV-Licht wird in der ersten Stufe der Bestrahlung die Isolierschicht 
sehr schwach leitend, sodass während etwa fünf Minuten das Gate des FET 
wieder entladen ist.

Bei weiterer, unötiger Bestrahlung, etwa wenn man das EPROM übers 
Wochenende "löscht" wird aber auch die Isolierschicht des gate bleibend 
geschädigt: Der FET ist dann natürlich nicht mehr programmierbar, weil 
er keine Isolierschicht am gate mehr hat.

Jedes Löschen nagt natürlich an der Sperrschicht der FETs. Selbst der 
Hersteller gibt zu, dass nach etwa 10000 Löschvorgängen die FETs  nichts 
mehr taugen.

Ob da leer (FF's) oder wirklich gelöscht wird, macht wenig Unterschied.
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MaWin Gast #2320270
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> Warum entsteht dasselbe Problem nicht beim Löschen eines programmiertes
> EPROMs mit denjenigen Zellen, die vom Programmiergerät auf 1 gelassen
> wurden?

Es entsteht. Es ist egal, welchen Zustand die Zellen hatten,
es zählt nur die Summe des UV-Lichtes welches sie abbekommen.

Zu viel in Summe, dann ist das Gate-Oxid halt nicht mehr so gut, der 
Chip hält seine Programmierung nicht mehr so lange oder sogar gar nicht.
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Michael U. #2320291
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Hallo,

ich kann Dir zumindest aus eigener Erfahrung bestätigen, daß gerade die 
alten nicht-CMOS-Typen von 2708 über 2716 bis zum 27512 selten mehr als 
20-30 Neuprogrammierungen überlebt haben. Ob es an fragwürdigen 
Löschmethoden (HQL ohne Außenkolben) falschen Programmieralgorithmen 
oder sonstiger Mißhandlung lag, lasse ich mal offen.

Fehlerbild war je nach Lust und Laune: Inhalt komplett 0xFF, 
programmieren komplett nicht mehr möglich, einzelnes Byte oder einzelnes 
Bit nicht mehr programmierbar, Teilbereiche nicht mehr löschbar, 
einzelnes Bit nicht mehr löschbar...

In der Entwicklung wurden oft EPROM/ROM-Emulatoren eingesetzt, schneller 
und sicherer, in der Industrie wurden bei Updates die alten EPROMS meist 
nicht noch einmal benutzt.

Grund für EPROMS statt Masken-ROMS war wohl nur die Stückzahl, Maske 
lohnte bei kleineren Mengen nicht. OTP war dann der nächste Schritt für 
kleinere Serien. Billiges Gehäuse, mit vorhandenen Prommern 
programmierbar und eben sowieso nicht löschbar.

Gruß aus Berlin
Michael
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oszi40 Gast #2320366
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rackandboneman schrieb:
> Bzw beschädigt man ein EPROM beim Löschen wenn man es mit dem Profil
> eines algorhithmuskompatiblen kleineren Bausteins nur zum Teil
> programmiert hat?

Die Programmierzyklen und die Programmierspannungen können je nach Typ 
verschieden sein! Daher sollte man das Datenblatt des konkreten Typs 
kennen.

Da EPROMs gerne auf Stecksockeln benutzt werden, könnten auch 
Kontaktprobleme auftreten. Deshalb wurde früher immer eine Prüfzahl 
gebildet, die evtl. mit eingebrannt wurde. Beim NACHprogrammieren wäre 
das natürlich ungünstig wenn die dann nicht stimmt.
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