Welcher ist der beste P-Kanal-FET den ihr kennt? Also möglichst geringer RDS(on) bei 20V (besser 30V) Spannungsfestigkeit... Gehäuse wäre TO-220 optimal. Ich kenne nur den IRF9540 mit 117mOhm RDS(on), das bedeutet bei 5A einen Spannungsabfall von 0,6V und damit eine unakzeptable Verlustleistung von 3W. Kennt da jemand was besseres?
Hallo Ben, ich gehe mal davon aus, daß Dir die Einfachheit der Ansteuerung mehr wert ist, als die Verluste, denn sonst könntest Du ja - trotz des etwas höheren Aufwandes - einen N-Kanal-FET nehmen. Du kennst sicher die kleinen 1W DCDC Wandler (SIL4, 1W, in 5V/out 12V SIM1-0512) die man zur Energieversorgung bei 100% ED einsetzen könnte. Bezüglich P-Kanal FET mit derzeit kleinstem R_DS_on kenne ich z.B. den -30V Typ TPC8120 von Toshiba (typ 2,6mOhm bei 25°C), bei Farnell für ca, 1€70 zu haben. Bei den von Dir gewünschten 5A sinds bei Tj~100°C immer noch weniger als 100mW, und DAS bekommst Du im SO8 ganz einfach weg. http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/en/Transistor/TPC8120_en_datasheet_090727.pdf Viel Erfolg...
Yep ich hab viel über die Verwendung von N-FETs nachgedacht... Das Problem ist, daß ich bis zu 24 Kanäle bauen soll. Die beste Lösung dazu war eine "Common-Rail-Ladungspumpe" die alle Gates auf High laden kann und ein Transistor um sie gegen die Ladungspumpe auf Low zu ziehen. Mal sehen, vielleicht mache ich das sogar. Sind neben der Ladungspumpe selber nur drei zusätzliche Bauteile pro Kanal. Ich will eigentlich nur wissen ob es doch einen P-Kanal-FET gibt an den ich zu einem guten Preis drankomme, der diese Aufgabe schaffen kann und von dem ich nur keine Ahnung von habe.
Ben _ schrieb: > Ich will eigentlich nur wissen ob es doch einen P-Kanal-FET gibt an den > ich zu einem guten Preis drankomme, der diese Aufgabe schaffen kann und > von dem ich nur keine Ahnung von habe. Welchen maximalen Rdson (bei welchem Ugs?) soll er denn haben und wieviel darf er maximal kosten?
Hi Jörg! Beides natürlich möglichst wenig. Ugs wird er 12-14V bekommen, nicht mehr. Sollte nur 20Vgs und 30Vds aushalten damit er nicht sofort an der kleinsten Spannungsspitze stirbt. Der IRF4905 ist schon ziemlich cool und den kannte ich noch nicht.
IRF9335 hätte ich da im Angebot, für etwa 40 Cent das Stück (bei RS, vermutlich auch bei anderen zu finden). SO-8-Gehäuse, 5,4 A Idmax, deine Spannungsforderungen werden gerade so erfüllt, 59 mΩ Rdson.
Was spricht denn gegen eine kleine Recherche bei den Herstellern und Distributoren ? Mach ich alle paar Tage. Ich verwend da SI4401 oder so.
Dekad Oschi schrieb: > Was spricht denn gegen eine kleine Recherche bei den Herstellern und > Distributoren ? Mach ich alle paar Tage. Zu faul.
Gibt es eigentlich Schaltungen, bei denen unumgänglich ein P-Kanal-Mosfet eingesetzt werden muss, bei dem also nur mit unverhältnismäßig hohem Aufwand oder eventuell sogar gar nicht ein N-Kanal verwendet werden kann?
klingt irgendwie nach niedriger Frequenz...ggf. wäre der BTS555 technisch der Beste. Preis könnte aber abschrecken...
Karli schrieb: > Gibt es eigentlich Schaltungen, bei denen unumgänglich ein > P-Kanal-Mosfet eingesetzt werden muss, bei dem also nur mit > unverhältnismäßig hohem Aufwand oder eventuell sogar gar nicht ein > N-Kanal verwendet werden kann? Ja, wenn Du eine positive Spannung mit 100% ED einschalten willst und dazu kein übermäßig hoher Strom fließt. Dann steht der Aufwand für die Ansteuerung in keinem Verhältnis zur möglichen Einsparung bei Verwendung eines N-MOSFETs. Bei kleineren Leistungen lohnt der Mehraufwand ohnehin nicht. Jörg
Yep, keine Möglichkeit den negativen Pol zu schalten, sehr geringe Schaltfrequenz (allerhöchstens 5Hz), überteuerte BTSxxx und möglichst einfache Schaltung (µCpin-R-NPNTranse-PFETGate-R fertig) nimmt man doch mal einen einfachen P-FET. 20mOhm Rds(ON) sollten gut genug sein, nochmal danke für den Tip. >> Was spricht denn gegen eine kleine Recherche bei den Herstellern und >> Distributoren ? Mach ich alle paar Tage. > Zu faul. Blödsinn. Wenn man keine Ahnung hat, einfach mal die Schna*ze halten! Es gibt hier viele Leute die mit sowas schon gebastelt haben, für die ists keinerlei Aufwand mir so einen Tip zu geben. Jeder der "zu faul" jetzt auf mich zutreffend empfindet sagt mir bitte bescheid - denen schreibe ich bei einem Problem mit ihren µCs oder dessen Programmierung nur noch ein tolles GIDF oder RTFM. Und schon ist bestimmt allen geholfen... einfach toll halt. Toll daß wir dann auch dieses Forum nicht mehr brauchen. :-((
@ Autor: Ben _ (burning_silicon) [Mr. Esbit] mein Favorit ist bisher IRF5305 für den P-Kanal in TO220. Reichelt 0,60 ELPRO.ORG 0,44 .. Ich hoffe s hilft Klaus de Lisson p.s. REG DICH AB
Danke Dir, aber der IRF4905 ist besser. Ich muß die Verlustleistung möglichst klein halten weil ich keine große Abwärme wegbringen kann. p.s. Hab mich noch gar nicht aufgeregt. EDIT: Und Esbit in seiner Rohform triffts auch nicht. Das hat bei weitem nicht genug Pepp um auch nur einen Vorlauf mit mir bestreiten zu können... oder zu dürfen! **fg**
Guter P-Fet ist auch der FDD6637 von Fairchild: -35V, -55A, 11.6mOhm bei -10V VGS hat aber leider ein TO-252 Gehäuse (SMD)
mal bei Nessel bestellt Vishay SUP75P03-07, TO220 Vds -30V, 7mOhm (Vgs = -10V), -75A continuous
man koennte sich ueberlegen ob man gerne schraubt, oder lieber loetet. Alternativ waeren das 4 pFets in SO8 gehaeuse moeglich. Ein SI4401 hat 11mOhm, 4 davon haben noch 2.8mOhm.
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