Suche besten P-Kanal-FET

#2328638
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Welcher ist der beste P-Kanal-FET den ihr kennt? Also möglichst geringer 
RDS(on) bei 20V (besser 30V) Spannungsfestigkeit... Gehäuse wäre TO-220 
optimal.

Ich kenne nur den IRF9540 mit 117mOhm RDS(on), das bedeutet bei 5A einen 
Spannungsabfall von 0,6V und damit eine unakzeptable Verlustleistung von 
3W.

Kennt da jemand was besseres?
#2328679
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Hallo Ben,
ich gehe mal davon aus, daß Dir die Einfachheit der Ansteuerung mehr 
wert ist, als die Verluste, denn sonst könntest Du ja - trotz des etwas 
höheren Aufwandes - einen N-Kanal-FET nehmen. Du kennst sicher die 
kleinen 1W DCDC Wandler (SIL4, 1W, in 5V/out 12V SIM1-0512) die man zur 
Energieversorgung bei 100% ED einsetzen könnte.

Bezüglich P-Kanal FET mit derzeit kleinstem R_DS_on kenne ich z.B. den 
-30V Typ TPC8120 von Toshiba (typ 2,6mOhm bei 25°C),  bei Farnell für 
ca, 1€70 zu haben.
Bei den von Dir gewünschten 5A sinds bei Tj~100°C immer noch weniger als 
100mW, und DAS bekommst Du im SO8 ganz einfach weg.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/en/Transistor/TPC8120_en_datasheet_090727.pdf

Viel Erfolg...
#2328733
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Yep ich hab viel über die Verwendung von N-FETs nachgedacht... Das 
Problem ist, daß ich bis zu 24 Kanäle bauen soll.

Die beste Lösung dazu war eine "Common-Rail-Ladungspumpe" die alle Gates 
auf High laden kann und ein Transistor um sie gegen die Ladungspumpe auf 
Low zu ziehen. Mal sehen, vielleicht mache ich das sogar. Sind neben der 
Ladungspumpe selber nur drei zusätzliche Bauteile pro Kanal.

Ich will eigentlich nur wissen ob es doch einen P-Kanal-FET gibt an den 
ich zu einem guten Preis drankomme, der diese Aufgabe schaffen kann und 
von dem ich nur keine Ahnung von habe.
(Firma: Rehrmann Elektronik) #2329452
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Karli schrieb:
> Gibt es eigentlich Schaltungen, bei denen unumgänglich ein
> P-Kanal-Mosfet eingesetzt werden muss, bei dem also nur mit
> unverhältnismäßig hohem Aufwand oder eventuell sogar gar nicht ein
> N-Kanal verwendet werden kann?

Ja, wenn Du eine positive Spannung mit 100% ED einschalten willst und 
dazu kein übermäßig hoher Strom fließt. Dann steht der Aufwand für die 
Ansteuerung in keinem Verhältnis zur möglichen Einsparung bei Verwendung 
eines N-MOSFETs. Bei kleineren Leistungen lohnt der Mehraufwand ohnehin 
nicht.

Jörg
#2329593
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Yep, keine Möglichkeit den negativen Pol zu schalten, sehr geringe 
Schaltfrequenz (allerhöchstens 5Hz), überteuerte BTSxxx und möglichst 
einfache Schaltung (µCpin-R-NPNTranse-PFETGate-R fertig) nimmt man doch 
mal einen einfachen P-FET. 20mOhm Rds(ON) sollten gut genug sein, 
nochmal danke für den Tip.

>> Was spricht denn gegen eine kleine Recherche bei den Herstellern und
>> Distributoren ? Mach ich alle paar Tage.
> Zu faul.
Blödsinn. Wenn man keine Ahnung hat, einfach mal die Schna*ze halten!

Es gibt hier viele Leute die mit sowas schon gebastelt haben, für die 
ists keinerlei Aufwand mir so einen Tip zu geben. Jeder der "zu faul" 
jetzt auf mich zutreffend empfindet sagt mir bitte bescheid - denen 
schreibe ich bei einem Problem mit ihren µCs oder dessen Programmierung 
nur noch ein tolles GIDF oder RTFM. Und schon ist bestimmt allen 
geholfen... einfach toll halt. Toll daß wir dann auch dieses Forum nicht 
mehr brauchen. :-((
#2330201
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Danke Dir, aber der IRF4905 ist besser. Ich muß die Verlustleistung 
möglichst klein halten weil ich keine große Abwärme wegbringen kann.

p.s. Hab mich noch gar nicht aufgeregt.

EDIT:
Und Esbit in seiner Rohform triffts auch nicht. Das hat bei weitem
nicht genug Pepp um auch nur einen Vorlauf mit mir bestreiten zu
können... oder zu dürfen! **fg**

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