Suche besten P-Kanal-FET

[Ben _. (burning_silicon)]

Welcher ist der beste P-Kanal-FET den ihr kennt? Also möglichst geringer 
RDS(on) bei 20V (besser 30V) Spannungsfestigkeit... Gehäuse wäre TO-220 
optimal.

Ich kenne nur den IRF9540 mit 117mOhm RDS(on), das bedeutet bei 5A einen 
Spannungsabfall von 0,6V und damit eine unakzeptable Verlustleistung von 
3W.

Kennt da jemand was besseres?

[Yoschka (Gast)]

Infineon
IPP100P03P3L-04

[Volker K. (powerfreak)]

Hallo Ben,
ich gehe mal davon aus, daß Dir die Einfachheit der Ansteuerung mehr 
wert ist, als die Verluste, denn sonst könntest Du ja - trotz des etwas 
höheren Aufwandes - einen N-Kanal-FET nehmen. Du kennst sicher die 
kleinen 1W DCDC Wandler (SIL4, 1W, in 5V/out 12V SIM1-0512) die man zur 
Energieversorgung bei 100% ED einsetzen könnte.

Bezüglich P-Kanal FET mit derzeit kleinstem R_DS_on kenne ich z.B. den 
-30V Typ TPC8120 von Toshiba (typ 2,6mOhm bei 25°C),  bei Farnell für 
ca, 1€70 zu haben.
Bei den von Dir gewünschten 5A sinds bei Tj~100°C immer noch weniger als 
100mW, und DAS bekommst Du im SO8 ganz einfach weg.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/en/Transistor/TPC8120_en_datasheet_090727.pdf

Viel Erfolg...

[hinz (Gast)]

Sicher nicht der beste, aber gängig und billig:

IRF4905

[Ben _. (burning_silicon)]

Yep ich hab viel über die Verwendung von N-FETs nachgedacht... Das 
Problem ist, daß ich bis zu 24 Kanäle bauen soll.

Die beste Lösung dazu war eine "Common-Rail-Ladungspumpe" die alle Gates 
auf High laden kann und ein Transistor um sie gegen die Ladungspumpe auf 
Low zu ziehen. Mal sehen, vielleicht mache ich das sogar. Sind neben der 
Ladungspumpe selber nur drei zusätzliche Bauteile pro Kanal.

Ich will eigentlich nur wissen ob es doch einen P-Kanal-FET gibt an den 
ich zu einem guten Preis drankomme, der diese Aufgabe schaffen kann und 
von dem ich nur keine Ahnung von habe.

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Ben _ schrieb:
> Ich will eigentlich nur wissen ob es doch einen P-Kanal-FET gibt an den
> ich zu einem guten Preis drankomme, der diese Aufgabe schaffen kann und
> von dem ich nur keine Ahnung von habe.

Welchen maximalen Rdson (bei welchem Ugs?) soll er denn haben und
wieviel darf er maximal kosten?

[Ben _. (burning_silicon)]

Hi Jörg!

Beides natürlich möglichst wenig. Ugs wird er 12-14V bekommen, nicht 
mehr.
Sollte nur 20Vgs und 30Vds aushalten damit er nicht sofort an der 
kleinsten Spannungsspitze stirbt.

Der IRF4905 ist schon ziemlich cool und den kannte ich noch nicht.

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

IRF9335 hätte ich da im Angebot, für etwa 40 Cent das Stück (bei RS,
vermutlich auch bei anderen zu finden).  SO-8-Gehäuse, 5,4 A Idmax,
deine Spannungsforderungen werden gerade so erfüllt, 59 mΩ Rdson.

[Purzel H. (hacky)]

Was spricht denn gegen eine kleine Recherche bei den Herstellern und 
Distributoren ? Mach ich alle paar Tage.

Ich verwend da SI4401 oder so.

[Hans (Gast)]

Dekad Oschi schrieb:
> Was spricht denn gegen eine kleine Recherche bei den Herstellern und
> Distributoren ? Mach ich alle paar Tage.

Zu faul.

[Karli (Gast)]

Gibt es eigentlich Schaltungen, bei denen unumgänglich ein 
P-Kanal-Mosfet eingesetzt werden muss, bei dem also nur mit 
unverhältnismäßig hohem Aufwand oder eventuell sogar gar nicht ein 
N-Kanal verwendet werden kann?

[Betelgeuse (Gast)]

klingt irgendwie nach niedriger Frequenz...ggf. wäre der BTS555 
technisch der Beste. Preis könnte aber abschrecken...

[Jörg R. (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)]

Karli schrieb:
> Gibt es eigentlich Schaltungen, bei denen unumgänglich ein
> P-Kanal-Mosfet eingesetzt werden muss, bei dem also nur mit
> unverhältnismäßig hohem Aufwand oder eventuell sogar gar nicht ein
> N-Kanal verwendet werden kann?

Ja, wenn Du eine positive Spannung mit 100% ED einschalten willst und 
dazu kein übermäßig hoher Strom fließt. Dann steht der Aufwand für die 
Ansteuerung in keinem Verhältnis zur möglichen Einsparung bei Verwendung 
eines N-MOSFETs. Bei kleineren Leistungen lohnt der Mehraufwand ohnehin 
nicht.

Jörg

[Ben _. (burning_silicon)]

Yep, keine Möglichkeit den negativen Pol zu schalten, sehr geringe 
Schaltfrequenz (allerhöchstens 5Hz), überteuerte BTSxxx und möglichst 
einfache Schaltung (µCpin-R-NPNTranse-PFETGate-R fertig) nimmt man doch 
mal einen einfachen P-FET. 20mOhm Rds(ON) sollten gut genug sein, 
nochmal danke für den Tip.

>> Was spricht denn gegen eine kleine Recherche bei den Herstellern und
>> Distributoren ? Mach ich alle paar Tage.
> Zu faul.
Blödsinn. Wenn man keine Ahnung hat, einfach mal die Schna*ze halten!

Es gibt hier viele Leute die mit sowas schon gebastelt haben, für die 
ists keinerlei Aufwand mir so einen Tip zu geben. Jeder der "zu faul" 
jetzt auf mich zutreffend empfindet sagt mir bitte bescheid - denen 
schreibe ich bei einem Problem mit ihren µCs oder dessen Programmierung 
nur noch ein tolles GIDF oder RTFM. Und schon ist bestimmt allen 
geholfen... einfach toll halt. Toll daß wir dann auch dieses Forum nicht 
mehr brauchen. :-((

[Klaus D. (kolisson)]

@ Autor: Ben _ (burning_silicon)   [Mr. Esbit]

mein Favorit ist bisher IRF5305 für den P-Kanal in TO220.

Reichelt 0,60
ELPRO.ORG  0,44

.. Ich hoffe s hilft

Klaus de Lisson

p.s.
REG DICH AB

[Ben _. (burning_silicon)]

Danke Dir, aber der IRF4905 ist besser. Ich muß die Verlustleistung 
möglichst klein halten weil ich keine große Abwärme wegbringen kann.

p.s. Hab mich noch gar nicht aufgeregt.

EDIT:
Und Esbit in seiner Rohform triffts auch nicht. Das hat bei weitem
nicht genug Pepp um auch nur einen Vorlauf mit mir bestreiten zu
können... oder zu dürfen! **fg**

[Urlauber (Gast)]

Guter P-Fet ist auch der FDD6637 von Fairchild:
-35V, -55A, 11.6mOhm bei -10V VGS
hat aber leider ein TO-252 Gehäuse (SMD)

[Jörg K. (joergonaut)]

mal bei Nessel bestellt
Vishay SUP75P03-07, TO220
Vds -30V, 7mOhm (Vgs = -10V), -75A continuous

[Purzel H. (hacky)]

man koennte sich ueberlegen ob man gerne schraubt, oder lieber loetet. 
Alternativ waeren das 4 pFets in SO8 gehaeuse moeglich. Ein SI4401 hat 
11mOhm, 4 davon haben noch 2.8mOhm.