Hallo Leute, für ein Projekt an der Uni baue ich an einem Netzteil welches mir eine Gleichspannung von mind. 180V und -50V liefern soll. Mit Multisim habe ich eine Schaltung entworfen, welche mir diese aus 230V Wechselspannung erzeugt (beide Spannungen liegen ein wenig darüber aber das ist egal, es sind nur Mindestwerte). Zunächst habe ich einen Gleichrichter aufgebaut. Das ist der obere Teil der Schaltung. Die Transistorschaltung ist eine Schaltung zur Brummsiebung. Dieser Teil der Schaltung funktioniert ohne Probleme, mit dem Oszi kann ich eine Ladekurve aufnehmen, und nach ca 3. min sehe ich rund 260V zwischen VDD und VSS (Ladekurve sieht aus wie in Simulation, siehe Anhang 3). Nun habe ich eine Schaltung zur Erzeugung eines virtuellen Massepunktes erstellt (unterer Teil der Schaltung). Laut Simulation funktioniert alles bestens (Anhang 1, ca 226V und -57V). Als Last habe ich jeweils 100 Ohm an die ausgänge gehängt (in der Sim). Ohne Last stimmt auch alles. Ich habe diesen Teil der Schaltung ebenfalls aufgebaut. Explodiert ist bisher nichts ;) aber die gemessene Spannung zwischen VDD und GND beträgt ~ 100V und zwischen GND und VSS ~ -160V hat jemand eine Ahnung was der Fehler sein könnte. Die Leute bei uns von der Schaltungstechni sind auch ratlos. Ich habe in der Simulation nicht exakt die Bauelemente verwendet wie ich rumliegen habe, da es diese nicht als Modell im Multisim gab. Ich habe aber darauf geachtet, dass die Werte recht genau stimmen. Der verwendete OPV ist ein PA88 von Apex (bzw. jetzt Cirrus: www.cirrus.com/en/products/pa88.html). Hier stimmt das Modell allerdings Die Dioden sind: DSEP29-03A Bipolartransistoren: 2N6308 PMOS: IRFP9240PBF NMOS: IRF740 OPV: PA88 Sämtliche Bauelemente sind von der Leistung sehr großzügig dimensioniert (100W Widerstände und so). Gemessen habe ich das ganze erstmal lastfrei. Schon da hauen die Werte nicht hin. Wenn jemand eine Antwort hat woran es liegen könnte, währe das toll ;) Ich hoffe es fehlen keine Angaben. Thomas Brummsiebung: http://www.google.de/url?sa=t&source=web&cd=1&ved=0CBkQFjAA&url=http%3A%2F%2Fwww.mikrocontroller.net%2Fattachment%2F14764%2FBrummsiebung_by_Paul_Baumann.doc&rct=j&q=brummsiebung%20baumann&ei=dBlqTuOFLPD74QS69-XTBA&usg=AFQjCNEtfMqyUDbAFdnVw7KNtJ1l2Ih9pQ&sig2=1psesATwm_LpvtW7cfLaPQ&cad=rja
Mit solchen gefährlichen Spannungen spielt man nicht. 820uF Elkos mit Brechstange an die Basis?? > Gemessen habe ich das ganze erstmal lastfrei. Schon da hauen die Werte > nicht hin. > Explodiert ist bisher nichts ;) aber die gemessene Spannung zwischen VDD > und GND beträgt ~ 100V und zwischen GND und VSS ~ -160V Etwas zu hochohmig gemessen?
Angehängte Dateien:
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mc2.JPG
260 KB
Hab versehenetlich das falsche Schematic hochgeladen. Am Gate der FETs hängen noch Kapazitäten.
Hast Du mal mit Oszi gemessen? Vielleicht schwingt der Regler ... Gruß Dietrich
Hallo, also cih würde mal unbedingt einen Widerstand von dem 820uF Kondensator zur Basis rein geben, und zwar so dimensioniert dass bei spitzenspannung am kondensator und kurzschluss am ausgang der maximale basisstrom nicht erreicht wird.
für mich sieht das Netzteil wie eine Katastrophe aus, aber ich hab auch nicht die Erfahrung versuchst du wirklich die Spannung ein zustellen indem du die Spannungsquelle belastet.
Ich seh schon ich hab mich vertan das was ich gesehen habe war deine Last syr
Achso die Spannung ist auch über einen Trenntrafo eingekoppelt, ist nicht direkt an der Stromleitung.
Die beiden FETs haben einen toten Bereich in dem beide nicht leiten.
Das ist nciht gut für die Regeleigenshaften der Schaltung.
> Am Gate der FETs hängen noch Kapazitäten.
Das macht die Sache noch erheblich schlechter.
Ganz allgemein ist die Schaltung ein Beispiel für "so macht man's
nicht".
Das beginnt bei der Stabilisierung die keine Stabilisierung ist.
An C1 liegen ja ca. 300V.
Die liegen nach kurzer Zeit auch an C2.
Damit "regelt" Q1 auf 300V-1.4V = 297.6V. Das sind weder 180+50V = 230V
noch besonder stabil: Denn immer wenn die 300V Spannung an C1 unter 299V
fällt, kann der Transistor nicht mehr regeln und dieser
Spannungseinbruch wird direkt an den Ausgang geliefert.
Nimm parallel zu C2 lieber eine Z-Diode von 230V, dann sparst du dir L1
die sowieso eher kontraproduktiv ist und den ganzen doppelten Kram.
Dann sind 2 Transisoren in Darlinton-Reihe wohl nicht gleich belastet,
also ist es Humbug, 2 mal den selben Typen zu nehmen. Q2 könnte kleiner
sein, dafür stärker verstärken.
Ein PA88 ist nicht gerade kostengünstig, enthält hochgiftiges
Berylliumoxid welches dich in Lebensgefahr bringt wenn er platzt, auch
100W Widerstände zeugen von wahlloser Bauteilauswahl. Du solltest besser
rechnen was wirklich nötig ist. Dann kommt vermutlich auch bei raus, daß
Q5 eher unterdimensioniert ist, schon bei 0.7A Last am -50V Zweig ist
nämlich Schluss - wenn er überhaupt auf einem ausreichend grossen
Kühlkörper sitzt.
Die Schaltung liesse sich erheblich eleganter aufbauen, wenn man
Vorstabilisierung und Spannungsteilung gleich kombiniert. So lockst du
jedenfalls keinen Chinesen hinter dem Ofen vor, der lacht sich über
dermassen schlechte deutsche Ingeniuerskunst nur tot. Guck dir vorher
an, wie Profis das amchen, Kopieren ist kein Schummeln, sondern lernen.
Erstmal danke für deine Hinweise. "Die Schaltung liesse sich erheblich eleganter aufbauen, wenn man Vorstabilisierung und Spannungsteilung gleich kombiniert." Kannst du das bitte näher erklären wie du das meinst? Gruß Thomas
> Kannst du das bitte näher erklären wie du das meinst?
Na wenn wir mal davon ausgehen, daß 230V Trafo und C1 Siebelko gegeben
sind, dann
+--------+-------+
| | |
| --|< --|<
| |E |E
| | +--o +180V
C1 |
| +-------+--o 0V
| |
| --|I
| |S
+----------------+--o -50V
also 3 statt wie in deiner Schaltung 4 Leistungsbauelemente.
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