einfache Emitterschaltung - Rechnung VS Simulation

[Raphael X. (haffael)]

Hallo,

mein erster Beitrag hier ;) Ich studiere Elektrotechnik und habe jetzt 
(endlich) mit Schaltungstechnik angefangen. Nach ein paar Aufgaben 
wollte ich jetzt mal ohne Vorgabe eine einfache Emitterschaltung 
aufbauen und dimensionieren. Und dann kucken ob sich das mit der 
Simulation deckt.
Also hab ich mir das ganze erstmal auf dem Papier schön berechnet. Mein 
Vorgehen: Ich habe mir IBA = 30u vorgegeben. Daraus UBEA = 692mV 
berechnet und den Basis-Vorwiderstand entsprechend gewählt. RC auch noch 
berechnet und die ganze Schaltung dann mit MicroCap 9 simuliert. 
Basisstrom passt, aber das Basispotential ist 807mV statt den 692mV die 
ich mir ja vorgegeben hatte. Und das ist ja bei der exponentiellen 
Kennlinie schon ein ordentlicher Unterschied. Mit IB = IS*exp(UBE/UT) 
kämen da 2.47mA raus statt 30uA.
Kann mir jemand erklären warum das so ist? Benutzt Microcap ein anderes 
Modell für den Transistor, als das was ich für die Berechnung benutzt 
habe?

Grüße,
Raphael

[ArnoR (Gast)]

> aber das Basispotential ist 807mV statt den 692mV die
> ich mir ja vorgegeben hatte. Und das ist ja bei der exponentiellen
> Kennlinie schon ein ordentlicher Unterschied

Und aus genau diesem Grund baut man solche Schaltungen überhaupt nicht.
Außerdem ist in dieser Schaltung nicht Ube arbeitspunktbestimmend, 
sondern Ib und B.

[A. R. (redegle)]

>Und aus genau diesem Grund baut man solche Schaltungen überhaupt nicht.
>Außerdem ist in dieser Schaltung nicht Ube arbeitspunktbestimmend,
>sondern Ib und B.

Vielleicht bin ich auch falsch informiert aber die meisten HF Verstärker 
werden immernoch ähnlich aufgebaut.

So viel ich verstanden habe hat er nicht nach dem Arbeitspunkt gefragt.
Seine Frage bezog sich auf die BE Spannung und diese ist relativ 
unabhängig von dem Arbeitspunkt. Hierbei handelt es sich in erster 
Näherung nur um den 377kohm Widerstand in Reihe zu einer Diode.

Ganz genau erklären, wie es zu dem Spannungsunterschied kommt kann ich 
dir nicht aber ich würde schoneinmal 2 Punkte beachten.

1. Die BE Spannung an der Diode ist Temperaturabhängig. Wobei die 21mW 
nicht viel Erwärmung ausmachen sollen.
2. Die Eigenschaften der BE-Diode sind bei der Fertigung Streuungen 
unterlegen. Im Exponenten der Diodengleichung tritt immer nocheinmal ein 
schwankender Emissionskoeffizient auf.

[Raphael X. (haffael)]

A. R. schrieb:
> So viel ich verstanden habe hat er nicht nach dem Arbeitspunkt gefragt.
genau ;) Ich habe verstanden dass man den Arbeitspunkt stabiler 
einstellen kann, aber darum gehts ja gerade nicht.


> 2. Die Eigenschaften der BE-Diode sind bei der Fertigung Streuungen
> unterlegen. Im Exponenten der Diodengleichung tritt immer nocheinmal ein
> schwankender Emissionskoeffizient auf.
das wirds wohl sein - also berechnet das Programm diese exp-Funktion 
nicht so wie ich auf dem Papier mit dem Ebers-Modell, richtig?

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Raphael S. schrieb:
> also berechnet das Programm diese exp-Funktion
> nicht so wie ich auf dem Papier mit dem Ebers-Modell, richtig?
Nein, es nimmt die Daten aus dem Simulationsmodell. Und dort kann 
durchaus eine ganz andere Dotierung und wasweißichauchimmer 
vorausgesetzt worden sein...

> Benutzt Microcap ein anderes Modell für den Transistor, als das was ich
> für die Berechnung benutzt habe?
Ja.
Eine Simulation bzw. eine Rechnung ist immer nur so gut, wie das 
dahtinter stehende Modell und dessen Parameter.