Hallo zusammen, ich habe eine Schaltung, die eine Eingangsspannung im Bereich von etwa 7V bis 15V DC bekommen soll. Die Schaltung soll durch einen Verpolungsschutz geschützt werden, falls da dann doch mal nicht aufpasst wird ;) Im Anhang eine Schaltung, wie ich mir das gedacht habe. Kann man das so nehmen? Ist das dann auf dauer verpolungsfest oder raucht da was ab, wenn man das ewige Zeiten verpolt? Als Mosfet könnte man z.B. einen IRLML6402 nehmen, soll alles SMD werden. Die Schaltung wird so um 200-300mA brauchen. Grüße ans Forum Mirko
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Soll der PMOS so da drin sitzen? Sind da nicht Source und Drain vertauscht? Desweiteren hält die Z-Diode ohne Strombegrenzung nicht lange...
@ Mirko (Gast) >Kann man das so nehmen? Nein. > Ist das dann auf dauer verpolungsfest oder >raucht da was ab, wenn man das ewige Zeiten verpolt? Schon mal an die Z-Diode gedacht? >Als Mosfet könnte man z.B. einen IRLML6402 nehmen, soll alles SMD >werden. Die Schaltung wird so um 200-300mA brauchen. Die Z-Diode gehört zwischen Source und Gate, 10-12V reichen dafür. Das Gate dann per Widerstand von sagen wir 10K auf Masse. DANN ist es verpolsicher und ausserdem das Gate gegen ESD und ähnliches halbwegs geschützt. MfG Falk
@ Vertauschi (Gast) >Soll der PMOS so da drin sitzen? Sind da nicht Source und Drain >vertauscht? Nein. Das ist Inversbetrieb. Der durchgesteuerte MOSFET überbrückt die eigene Diode und verringert damit deutlich den Spannungsabfall. Das funktioniert prima. >Desweiteren hält die Z-Diode ohne Strombegrenzung nicht lange... In der Tat.
Nette Idee, die Z-Diode als Schmelzsicherung zu verwenden ;-)
Mirko schrieb: > Im Anhang eine Schaltung, wie ich mir das gedacht habe. Hier die Bildform von Falks Prosa: ;-) http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz Das ist zig-mal erprobt und funktioniert bei kleinen Spannungen sogar ganz ohne zusätzliche Z-Diode und Widerstände (wobei ich, wenn ich ehrlich bin, trotzdem noch einen Angstwiderstand mit 47k vors Gate mache...).
@ Lothar Miller (lkmiller) Benutzerseite >http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz >Das ist zig-mal erprobt und funktioniert bei kleinen Spannungen sogar >ganz ohne zusätzliche Z-Diode und Widerstände. Ich sehe nichts ohne Z-Diode.
Falk Brunner schrieb: >> funktioniert bei kleinen Spannungen sogar >> ganz ohne zusätzliche Z-Diode und Widerstände. > Ich sehe nichts ohne Z-Diode. Das war jetzt von mir auch nur Prosa. > Ich sehe nichts ohne Z-Diode. Wenn du sie weglässt, fehlt sie... ;-) > Ich sehe nichts ohne Z-Diode. Jajaja, ich werde das Bild bei Gelegenheit nachreichen...
Lothar Miller schrieb: > Hier die Bildform von Falks Prosa: ;-) > http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz > Das ist zig-mal erprobt und funktioniert bei kleinen Spannungen sogar > ganz ohne zusätzliche Z-Diode und Widerstände (wobei ich, wenn ich > ehrlich bin, trotzdem noch einen Angstwiderstand mit 47k vors Gate > mache...). Welchen Zweck hat der Widerstand und die Z-Diode? Danke :)
Peter Stein schrieb: > Welchen Zweck hat der Widerstand und die Z-Diode? Ich frage mal präziser: welchen Zweck hat der Widerstand und die Z-Diode, wenn die Eingangsspannung immer kleiner als Ugs ist? MfG Klaus
@ Klaus (Gast) >Ich frage mal präziser: welchen Zweck hat der Widerstand und die >Z-Diode, wenn die Eingangsspannung immer kleiner als Ugs ist? Angst. So ein Gate verträgt wirklich keinerlei ESD oder andere transiente Überspannungen. Und es ist tierisch hochohmig. Prinzipiell braucht man weder die Z-Diode noch den Widerstand, wenn die Eingangsspannung GARANTIERT IMMER kleiner gleich U_GS_max ist, also typisch 20V, manchmal 30V. MFG Falk
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Hallo, vielen Dank für die schnellen Antworten. >Soll der PMOS so da drin sitzen? Sind da nicht Source und Drain >vertauscht? Mhh, das dachte ich auch erst. Ich habe das dann mal wie in der Zeichnung gezeigt und anders herum simuliert. Wenn ich den Mosfet drehe, hat man in der Sperrphase etwa -0,5V an der Last, so, wie es hier gezeigt ist nicht. Also mal fix die Zeichnung angepasst. Als Diode dann z.B: die SMD ZF 12 (mal fix bei Reichelt rausgesucht) Sollte es nun passen? Danke! Grüße Mirko
>Also mal fix die Zeichnung angepasst.
Die Last hängt aber falsch, oder?
Vertauschi schrieb: > Die Last hängt aber falsch, oder? Ja. Obwohl In und Out richtig bezeichnet sind, gehört die Last natürlich zwischen Out und GND...
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Hallo, also der Lastwiderstand dürfte doch falsch liegen in der letzen Zeichnung. RLast muss an masse gehen und nicht an den Abgriff zwischen der Diode und dem 100k Widerstand würde ich sagen!! R_Last muss ja zwischen OUT und Masse liegen. So wie angehängt, dürfte es jetzt richtig sein. Danke! Grüße Mirko
Wenn es nur um einen Verpolschutz geht und es nicht unbedingt mit einem Mosfet realisiert werden muss, gäbe es für diese Anwendung eine einfache und zuverlässige Lösung. Eingangsspannug von 7 - 15 V und einem Strom von 300mA... was spricht gegen 4 Dioden, oder hindert der Spannungsabfall über der Diode? Wenn nicht Brücke diskret aufbauen.
Heinz schrieb: > hindert der Spannungsabfall über der Diode? Ja. Nimm mal 10A, dann hast du mit einer Diode locker eine Uf von 1V und damit 10W Verlustleistung. Ein guter aktueller P-Kanal-Fet schafft bei diesen Spannungen um die 10mOhm. Damit ergibt sich ein Spannungsabfall von 100mV und eine Verlustleistung von gerade mal 1W... > Wenn nicht Brücke diskret aufbauen. Was bringt das? Auch eine diskrete Brücke besteht aus Dioden...
Lothar Miller schrieb: > Was bringt das? Auch eine diskrete Brücke besteht aus Dioden... Weniger Bauteile -> sieht intelligenter aus oder so :D
Mal ganz einfach gedacht. Du willst ein verpolungsschutz für DC (Ac macht ja auch wenig sin :-P) haben? warum nicht einfach eine oder zwei Dioden nehmen. Verpolst du, wird gesperrt. Unverpolt leitet es. musst halt 0,7V bzw. 2*0,7V in kauf nehmen.
Ah ich seh grad, die idee hat schon jemand (Heinz)...sry. Aber um auf das nachfolgende Komentar einzugehen. 10A werden doch nicht fließen. Ich denke nur 200-300mA. Das wäre doch vertretbar oder?!
Basti schrieb: > Ich denke nur 200-300mA. Das wäre doch vertretbar oder?! Die P-MOSFET-Lösung ist quasi genauso einfach und hier sind die Verlustleistungen erheblich geringer. ;)
Michael Köhler schrieb: > Basti schrieb: >> Ich denke nur 200-300mA. Das wäre doch vertretbar oder?! > > Die P-MOSFET-Lösung ist quasi genauso einfach und hier sind die > Verlustleistungen erheblich geringer. ;) Na dann habe ich nix gesagt...lass jucken cowboy :-D
Lothar Miller schrieb: > Falk Brunner schrieb: >> Ich sehe nichts ohne Z-Diode. > Jajaja, ich werde das Bild bei Gelegenheit nachreichen... Jetzt ist das Bild ohne Z-Diode auch mit dabei... ;-)
Ja da muss ich mich wohl entschuldigen für meinen Vorschlag, aus der Forderung habe ich was gelesen von max 300mA das daraus 10A werden sollen steht nicht da, Entschuldige Lothar das ich nicht ahnen konnte das du so was brauchst für 10A sonst hätte ich den Vorschlag mit Sicherheit nicht gebracht. Mein Vorschlag galt in erster Linie Mirkos Anfrage.
Heinz, Lothar ginge wohl nur darum aufzuzeigen wie verlustbehaftet die Diode ist. Die FET-Lösung ist Quasi genauso einfach und verpulvert hierbei doch deutlich weniger Energie/Leistung für nix ;)
Heinz schrieb: > Entschuldige Lothar das ich nicht ahnen > konnte das du so was brauchst für 10A sonst hätte ich > den Vorschlag mit Sicherheit nicht gebracht. Du brauchst dich nicht entschuldigen. Nur, was mir nicht im geringsten einleichten will: Wo oder wie bin ich dir auf so den Schlips getreten, dass du gleich so hochkochst? Mir ging es nur darum, dass einer, falls er hier im Forum mal nach "Verpolschutz" oder so sucht, gleich auch die verschiedenen Varianten finden kann. Dass im Einzelfall eine Diode sinnvoll sein kann, ist zweifellos klar. Heinz schrieb: > Wenn nicht Brücke diskret aufbauen. Dazu ein Nachtrag: bei dem Verpolschutz mit der Brückenschaltung (die den Vorteil hätte, dass die Polung egal ist) besteht dann aber kein Massebezug mehr zwischen der Batterie und dem versorgten Gerät. Das kann evtl. Probleme geben, wenn andere externe Geräte wieder einen Massebezug herstellen.
Hallo Lothar, in dem Fall hast natürlich Recht, wenn jemand nicht weiter weiß und sich hier meldet, sollte man verschiede Möglichkeiten aufzeigen. Wenn genau definiert wird, vom TO, was gemacht werden soll kann man natürlich auch ganz genau darauf antworten. Hier wurde nur gefordert, Spannungsversorgung 7 -15 V, max 300mA. Für mehr war mein Vorschlag nicht gedacht, weil einfach nicht mehr gefordert ist. Mich ist es halt so vor gekommen, das du auf das was eigentlich gefordert war überhaupt nicht eingehst und antwortest sogar noch für den TO. Für die eigentliche Forderung ist die Diodenlösung (wenn, wie schon oben nachgefragt, der Spannungsabfall nicht hindert) in meinen Augen das sinnvollste. Unproblematisch, der TO kann entscheiden was für welche er nehmen will (extrem billig, dann mehr Spannungsabfall oder etwas bessere, geringfügig teurer aber dafür nur 0,2 V UF), leicht Händelbar auch mit wenig Erfahrung. Das zweite war der Spruch" Auch eine Brücke besteht aus Dioden", Du muss das so lesen wie es da steht, damit war gemeint wenn der Spannungsabfall nicht stört, dann die Brücke nehmen. Der Hinweiß von mir mit der Brücke ging auch an die Adresse des TO, ich kann nicht wissen wie viel Erfahrung er mit dem ganzen hat und ob er weiß was gemeint ist wenn man Ihm nur den Hienweiß mit den Dioden gibt, ihm aber nicht sagt was er damit tun soll. Also ich gebe zu, das hat mich schon ein wenig geärgert. Schwamm drüber, der leicht Kroll ist schon wieder verflogen. Ich bin auch hier nicht um mich oder andere zu ärgern. Ich glaube bei Dir ist es ja auch nicht anders. Also, viel Spass noch hier. Wenn der TO sich genauer auslässt was er machen will können wir ja vielleicht noch etwas brauchbaren Senf dazugeben.
Michael Köhler schrieb: > Heinz, Lothar ginge wohl nur darum aufzuzeigen wie verlustbehaftet die > Diode ist. Die FET-Lösung ist Quasi genauso einfach und verpulvert > hierbei doch deutlich weniger Energie/Leistung für nix ;) Gut hat sich für mich im ersten etwas anders angehört, eventuell hab ich da etwas dünnhäutig reagiert. Aber bei so einer Lösung würde ich persönlich eine billige Schottky Diode nehmen die machen eine UF von 0,35 - 0,4 V bei 1A, bei 300mA ca 0,18 - 0,2V das ist ein Gesamtverlust von 120mW aufgeteilt auf zwei Bauteile was für mich das Ganze halt noch unverständlicher gemacht hat.
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