Eingangskennlinienfeld Tansistor 2N2222?

Gast #2469999
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Hallo,

derzeit bilde ich mich persönlich etwas in Sachen Schaltungstechnik 
weiter.
Zur Berechnung des Arbeitspunktes stelle ich fest, dass für viele 
Transistoren keine Kennlinien mehr angegeben werden. So z.B in PDF 
Dateien zum 2N2222. Habe daraufhin von einem Bekannten zwei alte 
Transistor-Datenbücher bekommen. In diesen ist jedoch nur das 
Ausgangslinienfeld + Temperaturverhalten + Sättigung abgezeichnet.
Kennlinien wie Eingangskennlinienfeld, Rückwirkungskennlinie fehlen.

Warum? Wie wäre dann z.B die Basis-Emitter Spannung für einen gegebenen 
Basisstrom zu bestimmen?

Danke.

Sebastian
Gast #2470145
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Es gibt gute Datenblätter (z.B. OnSemi) und schlechte Datenblätter (z.B. 
Fairchild).
Bei Bauteilen gleicher Typennummer kann man näherungsweise davon 
ausgehen, daß auch Datenblätter anderer Hersteller passen.
Allerdings enthalten viele Datenblätter nur relevante Informationen. Und 
kein Schwein braucht Eingangsdiagramme, die mehr mit Temperatur, 
Laststrom und Laune des Transistors schwanken, als irgendwelchen 
nachvollziehbaren Kurven zu folgen.
Wenn also im Datenblatt keine Kennlinie drin ist: Bau deine Schaltung 
so, daß sie keinen besonderen Wert auf die Kennlinie legt.

> Wie wäre dann z.B die Basis-Emitter Spannung für einen gegebenen
> Basisstrom zu bestimmen?

Gar nicht.
Die Spannung schwankt um 0.2V je nach Temperatur des Transistors.
Und sie schwankt um 0.2V je nach Kollektorstrom des Transistors.
Aber sie schwankt bei Verdopplung/Halbierung des Basisstroms
nur um wenige Prozent, also vernachlässigbar gegenüber den anderen
Einflüssen.

OnSemi sagt, sie liegt zwisachen 0.5V und 1V. Damit muss deine Schaltung 
klar kommen.
Gast #2470154
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Danke für die Infos.

Es handelt sich ja im Moment um einen Lernvorgang.
Mit Stromgegenkopplung oder Spannungsgegenkopplung sieht das natürlich 
etwas anders aus. Also so um die 0.6V für Ube habe ich mittlerweile auch 
schon angenommen, aber um ohne Gegenkopplung bestimmte Werte für z.B Ic 
festzulegen bräuchte man schon diese Kennlinien.

Ansonsten ist es klar, dass möglichst so dimensioniert werden sollte, 
dass wenig Abhängigkeit von Temperatur usw. besteht.
Dennoch finde ich, dass solche Kennlinien dazu gehören.
Gast #2470167
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>Es handelt sich ja im Moment um einen Lernvorgang.
>Mit Stromgegenkopplung oder Spannungsgegenkopplung sieht das natürlich
>etwas anders aus. Also so um die 0.6V für Ube habe ich mittlerweile auch
>schon angenommen,

Schön.

>aber um ohne Gegenkopplung bestimmte Werte für z.B Ic
>festzulegen bräuchte man schon diese Kennlinien.

Das kannst du vergessen. Die hfe Werte streuen ja meist schon
um 50%. Bei einem Transistor mit einer festen UBe und einem
festen Basisstrom auf einen bestimmten Ic zu hoffen ist ganz
schön blauäugig.
Gast #2470174
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Stimmt.
Es ist natürlich ein Unterschied zwischen Theorie und Praxis.
Aber wenn ich z.B die Theorie anhand einer Simulation durchführen 
möchte, bräuchte ich schon ggf. die Ube Kennlinie. Im praktischen Aufbau 
wäre das natürlich wiederum anders, weshalb das natürlich nur 
Anhaltspunkte sind.
Es gibt genügend Beeinflussungen bei praktischen Aufbauten so z.B bei 
Hochfrequenz.
Gast #2470215
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> aber um ohne Gegenkopplung bestimmte Werte für z.B Ic festzulegen

Vergiss es, der Wert ist ohne Gegenkopplung nicht festgelegt.

> Wohl eher 2mV/K

Macht bei Chiptemperaturänderung von 25 auf 125 GradC was ?
#2470218
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Ich biete noch weniger!
Es sind -2mV/K.

Aber das nur, weil die "Thermospannung"
U_th = (k_boltzmann * T)
in der Formel für die Diodenkennlinie mit enthalten ist...

In den meisten Fällen reicht eine Abschätzanalyse völlig aus. Wenn man 
nun grob überschlägt und feststellt dass der Arbeitspunkt meines 
Transistors bei meinen extremtemperaturen um mehr als 10% wegläuft, hab 
ich etwas falsch ausgelegt.

& good n8, mf
Gast #2470232
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> Wenn man nun grob überschlägt und feststellt dass der Arbeitspunkt
> meines Transistors bei meinen extremtemperaturen um mehr als 10%
> wegläuft, hab ich etwas falsch ausgelegt.

Kann man so nicht sagen.
Transistoren werden auch als Temperatursensoren eingesetzt.

> Kümmere dich lieber um die hxx-Parameter!

Nicht doch lieber S-Parameter ?
#2470509
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@Sebastian
> Es ist natürlich ein Unterschied zwischen Theorie und Praxis.
> Aber wenn ich z.B die Theorie anhand einer Simulation durchführen
> möchte, bräuchte ich schon ggf. die Ube Kennlinie.

Ich nehme mal an, dass du mit SPICE, z. B. mit LTspice, simulierst.
Der Transistor wird dabei mit einer ".model" Anweisung beschrieben. Da 
musst du nur IS, BF und VAF und EG setzen um die wesentlichen 
DC-Eigenschaften festzulegen. Es kommt dann noch weitere Paramter um die 
stromabhängige Stromverstärkung einzustellen.

Warum hier jemand S-Parameter einwirft ist mir ein Rätsel. Das ist doch 
völlig am Thema vorbei.

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