Hallo, derzeit bilde ich mich persönlich etwas in Sachen Schaltungstechnik weiter. Zur Berechnung des Arbeitspunktes stelle ich fest, dass für viele Transistoren keine Kennlinien mehr angegeben werden. So z.B in PDF Dateien zum 2N2222. Habe daraufhin von einem Bekannten zwei alte Transistor-Datenbücher bekommen. In diesen ist jedoch nur das Ausgangslinienfeld + Temperaturverhalten + Sättigung abgezeichnet. Kennlinien wie Eingangskennlinienfeld, Rückwirkungskennlinie fehlen. Warum? Wie wäre dann z.B die Basis-Emitter Spannung für einen gegebenen Basisstrom zu bestimmen? Danke. Sebastian
Sebastian schrieb: > Warum? Weil das bei einem "Schalttransistor" (wie den 2N2222) völlig uninteressant ist. Man rechnet pauschal mit 0,7V für Ube. Der Eingangsstrom ergibt sich aus dem Vorwiderstand und wird sowieso gnadenlos übersteuert um den Transistor in die Sättigung zu kriegen. Gruß Anja
Es gibt gute Datenblätter (z.B. OnSemi) und schlechte Datenblätter (z.B. Fairchild). Bei Bauteilen gleicher Typennummer kann man näherungsweise davon ausgehen, daß auch Datenblätter anderer Hersteller passen. Allerdings enthalten viele Datenblätter nur relevante Informationen. Und kein Schwein braucht Eingangsdiagramme, die mehr mit Temperatur, Laststrom und Laune des Transistors schwanken, als irgendwelchen nachvollziehbaren Kurven zu folgen. Wenn also im Datenblatt keine Kennlinie drin ist: Bau deine Schaltung so, daß sie keinen besonderen Wert auf die Kennlinie legt. > Wie wäre dann z.B die Basis-Emitter Spannung für einen gegebenen > Basisstrom zu bestimmen? Gar nicht. Die Spannung schwankt um 0.2V je nach Temperatur des Transistors. Und sie schwankt um 0.2V je nach Kollektorstrom des Transistors. Aber sie schwankt bei Verdopplung/Halbierung des Basisstroms nur um wenige Prozent, also vernachlässigbar gegenüber den anderen Einflüssen. OnSemi sagt, sie liegt zwisachen 0.5V und 1V. Damit muss deine Schaltung klar kommen.
> und schlechte Datenblätter (z.B. Fairchild).
Bourns wollte ich schreiben, die ärgen mich jedesmal wieder.
Danke für die Infos. Es handelt sich ja im Moment um einen Lernvorgang. Mit Stromgegenkopplung oder Spannungsgegenkopplung sieht das natürlich etwas anders aus. Also so um die 0.6V für Ube habe ich mittlerweile auch schon angenommen, aber um ohne Gegenkopplung bestimmte Werte für z.B Ic festzulegen bräuchte man schon diese Kennlinien. Ansonsten ist es klar, dass möglichst so dimensioniert werden sollte, dass wenig Abhängigkeit von Temperatur usw. besteht. Dennoch finde ich, dass solche Kennlinien dazu gehören.
Habe hier 20 mV pro Kelvin Temperaturänderung gelernt (Celsius Temperaturänderung ist gleich).
Na ja, nicht ganz. In meinen Datenbüchern ist 2N2222 als schneller Schalter + HF-Verstärker aufgeführt.
>Es handelt sich ja im Moment um einen Lernvorgang. >Mit Stromgegenkopplung oder Spannungsgegenkopplung sieht das natürlich >etwas anders aus. Also so um die 0.6V für Ube habe ich mittlerweile auch >schon angenommen, Schön. >aber um ohne Gegenkopplung bestimmte Werte für z.B Ic >festzulegen bräuchte man schon diese Kennlinien. Das kannst du vergessen. Die hfe Werte streuen ja meist schon um 50%. Bei einem Transistor mit einer festen UBe und einem festen Basisstrom auf einen bestimmten Ic zu hoffen ist ganz schön blauäugig.
Stimmt. Es ist natürlich ein Unterschied zwischen Theorie und Praxis. Aber wenn ich z.B die Theorie anhand einer Simulation durchführen möchte, bräuchte ich schon ggf. die Ube Kennlinie. Im praktischen Aufbau wäre das natürlich wiederum anders, weshalb das natürlich nur Anhaltspunkte sind. Es gibt genügend Beeinflussungen bei praktischen Aufbauten so z.B bei Hochfrequenz.
>Habe hier 20 mV pro Kelvin Temperaturänderung gelernt (Celsius >Temperaturänderung ist gleich). Wohl eher 2mV/K
> aber um ohne Gegenkopplung bestimmte Werte für z.B Ic festzulegen Vergiss es, der Wert ist ohne Gegenkopplung nicht festgelegt. > Wohl eher 2mV/K Macht bei Chiptemperaturänderung von 25 auf 125 GradC was ?
Ich biete noch weniger! Es sind -2mV/K. Aber das nur, weil die "Thermospannung" U_th = (k_boltzmann * T) in der Formel für die Diodenkennlinie mit enthalten ist... In den meisten Fällen reicht eine Abschätzanalyse völlig aus. Wenn man nun grob überschlägt und feststellt dass der Arbeitspunkt meines Transistors bei meinen extremtemperaturen um mehr als 10% wegläuft, hab ich etwas falsch ausgelegt. & good n8, mf
> Wenn man nun grob überschlägt und feststellt dass der Arbeitspunkt > meines Transistors bei meinen extremtemperaturen um mehr als 10% > wegläuft, hab ich etwas falsch ausgelegt. Kann man so nicht sagen. Transistoren werden auch als Temperatursensoren eingesetzt. > Kümmere dich lieber um die hxx-Parameter! Nicht doch lieber S-Parameter ?
Ich habe mal die h21e usw. gelernt. Was sind die S-Patrameter? Gibt es da West-Ost-Unterschiede? Es kann auch sein, ich habe S-Parameter vergessen :-( .
@Sebastian > Es ist natürlich ein Unterschied zwischen Theorie und Praxis. > Aber wenn ich z.B die Theorie anhand einer Simulation durchführen > möchte, bräuchte ich schon ggf. die Ube Kennlinie. Ich nehme mal an, dass du mit SPICE, z. B. mit LTspice, simulierst. Der Transistor wird dabei mit einer ".model" Anweisung beschrieben. Da musst du nur IS, BF und VAF und EG setzen um die wesentlichen DC-Eigenschaften festzulegen. Es kommt dann noch weitere Paramter um die stromabhängige Stromverstärkung einzustellen. Warum hier jemand S-Parameter einwirft ist mir ein Rätsel. Das ist doch völlig am Thema vorbei.
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