OPV in der Sättigung

Gast #2502143
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Konkret interessiere ich mich nämlich nur für das Verhalten eines Sensor 
im gaaanz unteren Bereich, daher wäre das ja praktikabel.

Ich dachte allerdings, dass der OPV bei der symmetrischen Versorgung 
ganz bis 5V hochgehen würde.

Gruß
Jens
#2502148
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Genau wie mein Vorposter es sagt. Dazu noch ein Bild einer Simulation 
zur verdeutlichung. Ein invertierender Verstärker  (OP = LT1001) mit 
drei unterschiedlichen Verstärkungen (1,10,100). Die 
Versorgungsspannungen sind +-15V.

Das grüne ist das Eingangssignal (500mV), das blaue sind die 
Ausgangsspannungen bei den Verstärkungen 1, 10 und 100.

Bei der Verstärkung von 100 müsste rein rechnerisch eine 
Ausgangsamplitude von -+50V anliegen. Geht aber nicht, durch zwei 
Begrenzungen:
1.Versorgungsspannung als absolute Ober-/Untergrenze. Geht physikalisch 
einfach nicht höher.
2. Interner Aufbau des OP. Der besteht auch nur Transistoren, welche nur 
endlich Durchschalten können. D.h. es fällt immer eine Spannung am OP 
bzw dessen Transistoren ab. Das steht auch im Datenblatt unter "Maximum 
Output Voltage Swing"
Bei "Rail to Rail" - OPs liegt dieser Wert nahe an der 
Versorgungsspannung.
Angehängte Dateien:
Gast #2502164
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Bastler schrieb:
> Ich dachte allerdings, dass der OPV bei der symmetrischen Versorgung
> ganz bis 5V hochgehen würde.

Nein, er kommt ganz an die 0V.
Wie soll er bei 5V Versorgung ganz bis an 5V rankommen. Wenn du dir die 
Innenschaltung im Datenblatt anguckst, siehst du, dass zwischen Ausgang 
und positiver Versorgungsspannung immer ein Bauelement liegt, dass je 
nach Schaltungsprinzip einen mehr oder weniger großen Spannungsabfall 
erzeugt.
(Firma: Nisch-Aufzüge) Persönliche Seite #2502190
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Bastler schrieb:
> Konkret interessiere ich mich nämlich nur für das Verhalten eines Sensor
> im gaaanz unteren Bereich, daher wäre das ja praktikabel.
>


Wichtig ist die richtige Bereichsauswahl und die optimale Anpassung an 
des zu erwartende Signal außerdem lästt sich die Bereichsauswahl mittels 
µC automatisieren, ebenso lassen sich zur Genauigkeitserhöhung Offsets 
zufügen um so den interssierenden Bereich besser spreizen zu können.

MfG
Gast #2502239
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Hallo,

danke für die vielen Antworten. Ja klar, ich kann nur bis 5V-epsilon, 
und das epsilon fällt halt an den schaltenden Transistoren etc. ab, 
klar.

@ Wolfgang: Ja, du hast natürlich Recht, wo war ich mit meinen Gedanken, 
bei symmetrischer Versorgung komme ich nur bis 0 aber natürlich nicht 
bis 5V.

Ich wüsste aber nicht so ganz, wie ich einen Offset dazuschalte; ich 
könnte per MOSFET einfach verschiedene Spannungsteiler verwenden, aber 
das gibt mir ja keinen Offset.

Es ist aber auch nicht so relevant in meinem Fall; ich möchte einen 
Drucksensor auslesen, der Signale liefert in der Größenordnung 4uV pro 
mbar. Es ist ein Sensor, der von 0 bis 1bar spezifiziert ist, mich 
interessiert lediglich der Bereich 0-100.0 mbar mit 0.1mbar Auflösung.

Gruß
Jens
Gast #2502263
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Und die einzelnen R kann ich dann per MOSFET zuschalten, danke, damit 
sollte es klappen.

Weiß aber noch nicht, ob ich es wirklich brauche, da mich wie gesagt nur 
die untere Skala interessiert.

Gruß
Jens
Gast #2502302
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Naja, dazu hatte ich in einem anderen Thread mal ein Zahlenspiel 
gemacht:

"Es sind 4uV pro 0.1mbar aufzulösen. Wenn ich nun sage, ich will von
100mbar abwärts messen können, ist das sicherlich sinnvoll, und das sind
10 Bit, also gut machbar, oder vielleicht nehme ich einen 12Bit-ADC.

Ich verstärke mir die Ausgangsspannung des Sensors also mit einem OPV
mit dem Faktor 1200 +- 25. Wenn nun mehr als 100mbar = 1000 * 4uV = 4mV
am Sensor rauskommen, geht der OPV in die Sättigung und die Auswertung
gibt mir permanent das MSB [oder zumindest einen konstant hohen Wert, 
nachträglich angemerkt]. Da mache ich eine Software-Abfrage und zeige
dann "> 100mbar" an. "

Was meint ihr?

Gruß
Jens

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