Es geht erstmal nur um Transistor und Emitterwiderstand, speziell ob der
Transistor das bei der niedrigen Betriebsspannung macht. Die Ansteuerung
ist deshalb noch nicht eingezeichnet.
Die Bauteile wären vorhanden, die Effizienz (Basisstrom) egal, deshalb
spart euch bitte das "nimm doch einen FET..."
Hab es etwas geändert, jetzt geht der Basisstrom mit über die Last.
Aber wie soll jetzt die Spannung an der Basis aussehen? Sowas hab ich
noch nicht gebaut..
Ins Datenblatt hab ich geschaut, die Sache mit der Spannung ist mir aber
noch nicht klar.
> Mir gehts darum ob ich den Transistor> bei der niedrigen Spannung auch mit so hohem Strom belasten kann.
Eigentlich sind den Transistoren geringe Spannungen am liebsten, da
gibts dann keinen Sekundärdurchbruch, allerdings nimmt die
Stromverstärkung mit fallender Uce ab. Die Grenze nach unten ist dann
die Sättigungsspannung Ucesat bei 9A, aber da ist B sehr klein.
Deine Anwendung sieht mir nach einer Stromquelle für die SST90 aus. Wenn
du da noch eine Strommessung/Steuerung mit OPV vorsetzen willst, vergiss
den 2N3772, der ist viel zu langsam.
> Aber wie soll jetzt die Spannung an der Basis aussehen?
Die Spannung an der Basis muss dann Uf der Diode plus Ube des
Transistors plus R1*9A sein.
Hallo,
ich habe mir mal das Datenblatt des 2N3722 die hier interessanten
Parameter näher angeschaut. Dazu habe ich versucht die Schaltung mal zu
kalkulieren. Falls mir systtematische Fehler unterlaufen sind, bitte
mitteilen, ich will ja schließlich auch was dabei lernen.
Uce sat Ib Ic
0.8V 280mA 9A
0.8 50mA 3A (vgl. 2N3772_hfe.gif)
Ic Stromverst. Ib ca.
9A ca. 50 9A/50 = 180 mA
3A ca. 90 3A/90 = 33 mA
Uce sat wie oben, dürfte also zu niedrig angesetzt sein (vgl.
2N3772_UCEsat.gif), außerdem ist es evtl. günstig aus dem Schaltbereich
etwas mehr in den Verstärkerbereich der Kennlinie zu gelangen.
Abschätzung der Daten, Bauteilwerte für I=9A
Spannung, Widerstand
Geben wir dem 2N3227 eine Sicherheitsreserve von
Uce sat = 0,8V + 0.4V = 1.2V besser 1.5V, um CE besser aussteuern zu
können.
Flusspannung Uf der Basis-Emitterdiode mindestens 0.7V (wenn nicht
mehr).
max. Emitterspannung (Ue) 5V - 1.5V = 3.5V
Uf der Diode (Schottky) bei 9A angenommen ca. 1 V
verbleiben für Re gesamt (3.5V-1V)/9A = 0,27 Ohm,
besser einen geringeren Wert z.B 0.18 Ohm verwenden. Damit verfügt die
Uce-Strecke über einen größerem Aussteuerungsbereich und Ub-GND bleibt
noch unter 4V (siehe unten)
Verlustleistungen (Pv)
Pv Rv 0,18 Ohm *9^2 = 14,6 W
Pv Diode 1V * 9A = 9 W
Pv 2N3227 = 12.9 W
Pv gesamt 5V * 9 A = 45 W
-----
Mindestspannung Ub - GND bei Ic 9A
Uf Diode 1 V
U Rv 9*0.18 Ohm = 1.62V
Ube min 0.7V (eher mehr, vgl. Simulation)
------
3.32V
Fazit:
Die Schaltung müßte wie gewünscht, gerade noch funktionieren. In der
Simulation klappt es jedenfalls. Auch wenn sich die die Werte von Ube
bzw. Uf Diode in der Praxis noch etwas erhöhen sollten, dürfte die
maximal zur Verfügung stehende Steuerspannung 5 V ausreichend sein, um
den Emitterstrom von max. 9A bereitstellen zu können.
Gruss Ottmar
Die ganze Rechnerei kannst du dir komplett sparen, weil
Uemax=5V-Ucesat=5V-0,6V=4,4V ist, falls Ub groß genug ist. Falls Ub mit
5V die Grenze ist, dann ist Uemax=Ub-Ubesat, weil Ubesat>Ucesat.
Vielen Dank für eure Beiträge. Die Flussspannung der Diode sollte etwa
2,2 V bei 9 A sein. Am (vorhandenen) Re 0,15 Ohm fallen dann 1,35 V ab.
Bleiben 1,45 V für CE, das sollte doch passen?
Was ich nicht verstehe ist "Uemax=Ub-Ubesat". Wo bekomme ich Ubesat her,
hab es in keinem Diagramm gesehen. Die Versorgungsspannung ist erstmal
bei 5V begrenzt. Evtl. könnte ich schauen was das SNT noch an
Feineinstellung hergibt, vielleicht ist noch ein ganzes Volt drin.
TO-3 Freak schrieb:> Vielen Dank für eure Beiträge. Die Flussspannung der Diode sollte etwa> 2,2 V bei 9 A sein.
Verrate uns doch mal, was das für eine Diode sein soll, mit einer
Flussspannung von 2,2 V.
ArnoR hatte schon auf eine SST90 getippt, also High-Power-LED.
Wäre jetzt auch mein Tipp gewesen, die hat aber eher 4V @ 9A
Hallo T0-3-Freak
TO-3 Freak schrieb:> Wo bekomme ich Ubesat her,> hab es in keinem Diagramm gesehenArnoR schrieb:> Uemax = Ub-Ubesat
Ich gehe mal davon aus, dass die Flusspannung der Basis-Emitterdiode
geringer ist als die Sättigungsspannung Kollektor-Emitter. Dann könnte
wohl ein Buchstubenvrwxlr vorliegen, sollte dann wohl heißen
Ue(mitter)max = Ub(atterie) - Uce(collector-emitter)sat
vgl. dazu das von mir beigefügte Diagramm
[http://www.mikrocontroller.net/attachment/133348/2N3772_UCEsat.gif]
Mich würde auch die genaue Bezeichnung der verwendeten Diode
interessieren!
Gruss Ottmar
> Ich gehe mal davon aus, dass die Flusspannung der Basis-Emitterdiode> geringer ist als die Sättigungsspannung Kollektor-Emitter.
Es ist genau umgekehrt, wie du aus dem Datenblatt und den Kennlinien
entnehmen kannst. (Ucesat=0,6V bei 10A und geringer Übersteuerung,
Ube>0,7V)
> Dann könnte> wohl ein Buchstubenvrwxlr vorliegen, sollte dann wohl heißen> Ue(mitter)max = Ub(atterie) - Uce(collector-emitter)sat
Nein, Ub=Basisspannung, Ue=Emitterspannung, usw.
Ähh Mist, hab doch die Buchstaben verwürfelt:
> Falls Ub mit> 5V die Grenze ist, dann ist Uemax=Ub-Ubesat, weil Ubesat>Ucesat.
Hier ist Ub tatsächlich die Betriebsspannung, also Uemax=5V-Ube=~4V.
Ändert aber nichts an der Aussage. Die Emitterspannung wird bei
ausreichend großer Basisspannung (gegen Masse gemessen, nicht Ube!) von
der UCEsat begrenzt, und bei zu geringer Basisspannung von Ube.
Die Angabge UB in meinem Schaltplan war vielleicht etwas irreführend,
sorry. Ich hatte das so dahingetippt von wegen UB(asis)..
Die Last stellt eine Laserdiode dar, die Daten habe ich so von einem
Freund bekommen. Es soll eine lineare Leistungsregelung in dem genannten
Bereich werden. Die Leistung muss (meiner Meinung nach) nicht stufenlos
geregelt werden. Ich könnte mir gut ein 4-Bit R2R Netzwerk vorstellen,
gesteuert vom Fräs-PC und µC. Aber das ist ein weiter Weg. Ich bin eher
Elektronik Amateur und muss mich da erst reinfitzen. Habe heute erstmal
zwei Leistungsdioden mit 1V UF gekauft um die Last zu simulieren. Die
Laserdiode möchte ich nur ungern grillen..