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Ube Breakdown
Gast
#2544775
Hallo, kurze Frage: wird ein Transistor beschädigt wenn die Basis-Emitter Diode in Sperrichtung als Zener Diode betrieben wird wenn der Strom begrenzt wird? Was ist der maximale Strom der in diesem Betriebsfall zulässig ist? mfg
Gast
#2544786
whocares schrieb: > Was ist der maximale Strom der in diesem Betriebsfall zulässig > ist? Das gibt die das Datenblatt in Form des "reverse current" für den jeweilgen Transistor vor. Da aber die B-E Strecke im Reverse-Betrieb eine Sperrschicht ausbildet, ist letztendlich deren max. Sperrspannung entscheidend. Für einen Wald- und Wiesentransistor dürfte sie sich nicht wesentlich von der einer Si-Diode unterscheiden. -> Reverse Voltage.
Gast
#2544789
Man sagt, sie rauschen nach so einem Durchbruch stärker, also geschädigt aber nicht kaputt. Es gibt Schaltungen, da wird UBErev absichtlich ausgenutzt, z.B. 5V tolerante 3.3V CMOS Eingänge.
Gast
#2544790
Heinz schrieb: > Für einen Wald- und Wiesentransistor dürfte sie sich nicht > wesentlich von der einer Si-Diode unterscheiden. -> Reverse Voltage. Nö. die Durchbruchspannung ist meist so um die 5V. Gruß Anja
Gast
#2544792
Anja schrieb: > Nö. die Durchbruchspannung ist meist so um die 5V. Ist das reversibel?
Gast
#2544800
Heinz schrieb: > Ist das reversibel? Wohl nicht bei allen Transistoren. Im Datenblatt der LTZ1000 (S. 3) steht: If Q1 is zenered (about 7V) a permanent degradation in beta will result. http://cds.linear.com/docs/Datasheet/1000afc.pdf Gruß Anja
Gast
#2544804
Anja schrieb: > Nö. die Durchbruchspannung ist meist so um die 5V. Ok. Danke für deine Antwort. Ich wollte halt nur wissen, ob die Transe danach kaputt ist, nachdem es zum Breakdown gekommen ist. Und das "permanent degradation in beta will result" war meine Befürchtung :-). Anja schrieb: > Nö. die Durchbruchspannung ist meist so um die 5V. Das ist der meist angegebene Grenzwert. Die tatsächliche Spannung liegt meiner Erfahrung nach eher bei 7-8V. Heinz schrieb: > Ok. Danke für deine Antwort. Ich wollte halt nur wissen, ob die Transe > danach kaputt ist, nachdem es zum Breakdown gekommen ist. Nein. Ich hatte früher ab und zu einen als Z-Diode missbraucht, wenn keine zur Hand war. Mag sein, dass sich die Charakteristik als Transistor dadurch verschlechtert, aber der Ube-Durchbruch ist eher dem einer Z-Diode ähnlich, also nicht zerstörend. A. K. schrieb: > Anja schrieb: > >> Nö. die Durchbruchspannung ist meist so um die 5V. > > Das ist der meist angegebene Grenzwert. Die tatsächliche Spannung liegt > meiner Erfahrung nach eher bei 7-8V. Ist das wohlmöglich eine Buried Zener wie im 723 vorhanden? Oftmals werden uns Anwendern doch interne Transen als andere Bauelemente verkauft. So sind Dioden meist Transen! Es käme jedenfalls spannungsmäßig gut hin! Widerstände sind oft nur schnöde hochdotierte Stücke Silizium. Mit den entsprechenden negativen Eigenschaften: - widerstandswert stark spannungsabhängig - parasitäre Diode zum Substrat Es gibt auch echte Metallwiderstände auf ICs.
Gast
#2544835
Abdul K. schrieb: > Ist das wohlmöglich eine Buried Zener wie im 723 vorhanden? Oftmals > werden uns Anwendern doch interne Transen als andere Bauelemente > verkauft. So sind Dioden meist Transen! Es käme jedenfalls > spannungsmäßig gut hin! Da fällt mir ein, dass Zenerdioden bis ca. 5.5V auch nicht wirklich Zener-Dioden sind. Zumindest keine, die dem ureigentlichen Zener-Effekt gehorchen. Bei 6.8V heben sich Zener- und Lawinen-Effekt temperaturmäßig auf. Antwort schreiben |
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