Hallo, ich versuch grad eine PWM-Steuerung für einen kleinen GM (12V, 40W) zu planen. Da ich bislang noch nie mit Power-Mosfets gearbeitet habe möchte ich den Treiber selbst aufbauen. Dabei hab ich mich am Artikel http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber orientiert. Bei der Dimensionierung der Bauteile bin ich mir allerdings noch nicht ganz sicher und möchte euch daher bitten mir dabei ein wenig weiter zu helfen. 1) R8||R9 kann ich über die Stromtragfähigkeit der Bipolartransistoren Dimensionieren. richtig? 2) R8 dimensioniere ich über meine Vorgabe bzgl. Spannungsüberschwingen. richtig? 3) So wie ich das verstanden habe ist die Wahl der Diode D2 relativ unkritisch. Kann ich die BAT54 durch eine BYV2100 (ebenfalls Schottky) ersetzen oder wurde die BAT54 im Artikel neben der Schaltgeschwindigkeit auch aus anderen Gründen gewählt? 4) Worauf basiert die Dimensionierung der Kapazitäten von C11 und C12? Sind das Stützkondensator (C12) und Abblockkondensator (C11)? lg, michael
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servus also ich habs so gmacht http://www.mikrocontroller.net/attachment/108946/n_Fet.png funktioniert einwandfrei wobei der kondensator 22pF hat
deine Schaltung funktioniert soweit ich sehe nach dem selben Prinzip. Hast du keine Kondensatoren an der Gegentaktstufe? Mit welcher Schaltfrequenz betreibst du deinen Mosfet? Mein Wunschziel wäre ja irgend was in der Größenordnung von 8kHz.
Die Spannung für die Gegentaktstufe kommt von nem L7815 da sind natürlich schon Kondensatoren dran. Ich betreibe den FET mit ca 30kHz da ginge aber noch wesentlich mehr denk ich.
Michael N. schrieb: > Mein Wunschziel > wäre ja irgend was in der Größenordnung von 8kHz. Wie groß ist denn der Motor?
Ach ja, ich hab schon wieder eine Frage. Kann ich den Kühlkörper nach folgender Leistung Dimensionieren?
(Formel aus oben genannten Artikel)
Floh schrieb: > Wie groß ist denn der Motor? Der Motor hat 40W und eine Betriebsspannung von 12-18V laut Aufschrift. Mehr Daten gibts dazu leider nicht. edit: Leerlaufdrehzahl 20000U/min steht auch noch drauf falls dies von Interesse sein sollte.
Die Frage deshalb, um die Trägheit vom Motor abschätzen zu können. Denn bei genügender Trägheit kann man die PWM-Frequenz auch viel weiter unten ansetzen, meinetwegen 300-500 Hz und so die Umladeverluste klein halten. :-)
Floh schrieb: > Die Frage deshalb, um die Trägheit vom Motor abschätzen zu können. > Denn bei genügender Trägheit kann man die PWM-Frequenz auch viel weiter > unten ansetzen Der Motor stammt aus einer kleinen Proxxon Micromot. Das Trägheitsmoment ist also nicht sonderlich groß. Allerdings schätze ich, dass ich trotzdem weit unter den oben genannten 8kHz bleiben kann. (Der Treiber sollte aber trotzdem möglichst an diese Frequenz herankommen) Bei der Dimensionierung der Bauteile konnte mir bislang aber leider noch niemand weiterhelfen. Vor allem bei der Wahl der Diode D2 wäre ich froh wenn mir jemand bestätigen könnte, dass diese durch eine andere Schottky Diode ersetzt werden kann. lg Michael
Michael N. schrieb: > Bei der Dimensionierung der Bauteile konnte mir bislang aber leider noch > niemand weiterhelfen. Vor allem bei der Wahl der Diode D2 wäre ich froh > wenn mir jemand bestätigen könnte, dass diese durch eine andere Schottky > Diode ersetzt werden kann. Du brauchst weder R8 noch R9 noch D2. Viel interessanter sind Vcc (5V wie es aussieht?) und R10 und woher das PWM-Signal kommt. 5V sind mit dieser Schaltung übrigens nicht üppig, weil bedingt durch die U_be der Treibertransen am Gate nicht mehr als 4.3V und nicht weniger als O.7V erreicht werden können. Warum nimmst du nicht einfach ein Treiber-IC (4050, 40098, 74HC125, etc) und schaltest alle Treiber parallel? Andererseits sind 12V/3.5A ein Klacks für diesen FET, zumal du ihn ja dank TO220 einfach kühlen kannst. Und 8kHz sind gar nix. XL
Axel Schwenke schrieb: > Du brauchst weder R8 noch R9 noch D2. Viel interessanter sind Vcc (5V > wie es aussieht?) und R10 und woher das PWM-Signal kommt. > > 5V sind mit dieser Schaltung übrigens nicht üppig, weil bedingt durch > die U_be der Treibertransen am Gate nicht mehr als 4.3V und nicht > weniger als O.7V erreicht werden können. Warum nimmst du nicht einfach > ein Treiber-IC (4050, 40098, 74HC125, etc) und schaltest alle Treiber > parallel? Danke für die Antwort. Treiber wollte ich keinen nehmen, weil ich mich in Bezug auf Mosfet-Treiber etwas schlauer machen wollte und es mal ohne versuchen. Wenn ich einen fertigen Treiber-IC verwende, muss ich mich ja nicht in die Thematik einarbeiten, weil der IC dann ja quasi alles für mich erledigt. Daher werd ich es vorerst mal mit einer Eigenkonstruktion versuchen (Wenns nix wird kann ich ja immer noch einen IC hohlen). R8, R9 und D2 werd ich aus der Schaltung rausschmeißen. Die Versorgung der Gegentaktstufe werd ich erhöhen und noch einen zusätzlichen Transistor zwischen µC und Gegentaktst. spendieren. Danke Michael
Michael N. schrieb: >> Warum nimmst du nicht einfach >> ein Treiber-IC (4050, 40098, 74HC125, etc) und schaltest alle Treiber >> parallel? > > Danke für die Antwort. Treiber wollte ich keinen nehmen, weil ich mich > in Bezug auf Mosfet-Treiber etwas schlauer machen wollte und es mal ohne > versuchen. Die vorgeschlagenen Typen sind keine MOSFET-Treiber. Sondern Logik-Gatter mit hohem Ausgangsstrom. Deswegen auch Parallelschaltung. > Wenn ich einen fertigen Treiber-IC verwende, muss ich mich ja > nicht in die Thematik einarbeiten, weil der IC dann ja quasi alles für > mich erledigt. Wenn du dich wirklich in die Thematik einarbeiten willst, dann schau dir vielleicht mal was anderes an, als einen simplen komplementären Emitterfolger. > R8, R9 und D2 > werd ich aus der Schaltung rausschmeißen. Die Versorgung der > Gegentaktstufe werd ich erhöhen ... Ich habe mich vermutlich nicht ganz so klar ausgedrückt, wie ich sollte. Das Problem ist nicht so sehr der Einschaltvorgang, sondern der Ausschaltvorgang, Der FET kann bei U_gs=4V schon >10A schalten. Die 4.3V aus der Treiberschaltung reichen also locker. Im Datenblatt von IRF steht leider keine Schwellspannung (Threshold) drin, aber ich schätze mal, die liegt so bei 1.5V. Beim Ausschalten mußt du die Gate-Kapazität von 1.6nF schnell von 4.3V deutlich unter besagte 1.5V bringen. Die Stromergiebigkeit der Treiberschaltung nimmt aber rapide ab, je näher du den Endwerten (0.7V und 4.3V) kommst. Das kannst du einfach selber ausrechnen: leg das linke Ende von R10 auf GND und rechne, wieviel Basisstrom Q4 bei 0.7V, 1V, 1.5V, ... 4.3V am Gate bekommt und mit wieviel Emitterstrom er dann die Gate-Kapazität entladen kann. Eine höhere Treiberspannung ändert die Lage nur, wenn du dann auch einen FET mit höherer Threshold-Spannung nimmst. XL
Axel Schwenke schrieb: > m Datenblatt von IRF > steht leider keine Schwellspannung (Threshold) drin, aber ich schätze > mal, die liegt so bei 1.5V. Gut geschätzt ! Für den IRLZ34N steht im Datenblatt: >VGS(th) min max >Gate Threshold Voltage 1.0 ––– 2.0 V Lagst also mit deiner Vermutung goldrichtig.
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