Hallo, Es geht um den Bipolartransistor (npn). Wie kann man ohne Formeln (habe ich alle) erklären warum Ube mit steigender Temperatur (-2mV/K) sinkt. Ist nur die intrinsische Eigenleitungsdichte schuld oder was ? MfG Marvin
Hi Marvin, > Wie kann man ohne Formeln (habe ich alle) erklären warum Ube mit > steigender Temperatur (-2mV/K) sinkt. Das klingt, als hätte ein BWLer Dir eine Forderung gestellt, um Dich dumm dastehen zu lassen. Such unter ktU, unter Boltzmann und Du gerätst in das Innerste der Halbleiterphysik. Zum "Ohne Formeln?" - diese Formeln sind Modelle, wie ein Stadtplan ein Modell der Stadt ist. Modelle sind Orientierungshilfen. Wie willst Du einem ortsunkundigen einen Weg zum Finanzamt erklären ohne Stadtplan? Ciao Wolfgang Horn
Hängt das mit dem Basis-Kollektor-Reststrom zusammen (Icb0), der bildet sich aus Minoritätsträgerrekombination und die Minoritätsträgergeneration steigt mit der Temperatur an. Hat Icb0 irgendeinen Einfluss auf Ube (Icb0 hat großen Einfluss bei Germanium) ?
Marvin C. schrieb: > Hängt das mit dem Basis-Kollektor-Reststrom zusammen (Icb0) Nein. Das hängt damit zusammen, daß das ein pn-Übergang ist. Für den gilt näherungsweise die Shockley-Gleichung. Da du nach eigener Aussage "alle Formeln hast", kennst du die ja sicherlich. Und wenn du wissen willst, warum die Shockley-Gleichung so ist, wie sie ist, dann nimm dir ein Buch über Halbleiterphysik und lies es. XL
Langsam sehe ich gar nicht mehr durch! es gilt:
und
steigt alle 10k um das Doppelte an ! Dadurch würde der Basisstrom steigen, aber denn würde ja
steigen. Nur
sinkt ja mit -2mV/K . verwirrt
Ich habe eine Erklärung gefunden:
sinkt mit ca. 2mV/K bei konst. Strom Ic. Wird die Eingangsspannung konst. gehalten wirkt es sich so aus, als wenn die Eingangsspannung also Ube mit 2mV/K steigt und damit auch Ib usw. Hört sich komisch an, steht aber in einem Buch.
Ohne Reklame machen zu wollen: Z.B. im Tietze-Schenk steht, dass ein reiner pn-Übergang ( wie er in einer einfachen Diode gegeben ist,) einen negativen Temperaturkoeffizienten hat. Ist diese Diode die Basis-Emitterstrecke eines Transistors, verhält es sich ganz ähnlich, jedoch hat auch der Kollektorstrom noch einen meist geringen Einfluss auf die Basis-Emitterspannung einer praktischen Schaltung.
> Icb0 steigt alle 10k um das Doppelte an ! > > Dadurch würde der Basisstrom steigen, aber denn würde ja Ube steigen. > > Nur Ube sinkt ja mit -2mV/K . > > verwirrt Na kein Wunder, falsche Schlussfolgerung. Wenn Icbo mit der Temperatur steigt, dann muss Ube für denselben Ic eben entsprechend KLEINER sein.
Warum sinkt Ube bei steigender Temperatur? Weil die Elektronen / Ladungsträger beweglicher weren. Warum dann aber noch dies und das? NACHLESEN!
> Wie kann man ohne Formeln (habe ich alle) erklären warum > Ube mit steigender Temperatur (-2mV/K) sinkt. Ube ist eine Schwelle, die überwunden werden muß. Bei bestimmter Temperatur ist dafür eine bestimmte Spannung nötig, damit die Elektronen diese Schwelle überwinden und Strom fliessen kann. Im Vergleich: In einem Teich ist ein bestimmter Wasserstand nötig, bevor Wasser über den Rand schwappt. Bei erhöhter Temperatur bewegen sich die Elektronen stärker, so wie die Wellen im Teich bei Wind höher werden. Also wird die Schwelle von einigen Elektronen früher überwunden, also muß der Wasserstand nicht so hoch sein, äh, die Ube Spannung.
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