Hallo,
hat jemand eine Idee, wie man einen MOS FET identifizeiren kann?
Ich habe folgende Infos:
-SMD-Gehäuse, ca. 2,5mm lang und 1,2mm breit
-Aufdruck AGUG8
-Anschlussbelegung (von oben):
----* S
I I
D *I I
I I
----* G
-Typenbezeichnung beginnt mit 99%iger Wahrscheinlichkeit mit IRF
-nur für digitale Schaltvorgänge geeignet (so oder so ähnlich stand es
im Datenblatt)
Habe eine Rolle davon vor ca. 2 Jahren gekauft. Leider vergessen, die
Typenbezeichnung zu notieren und Rechnung finde ich auch nicht mehr.
PS: habe ihn grade mal durchgemessen mit R(L) zwischen D und +Ub:
scheint selbstleitend zu sein, wenn
-G auf +Ub: voller Strom durch R(L)
-G auf Masse: kein Strom durch R(L)
Charakteristische Werte ausmessen.
Bestimmung P oder N Kanal, depletion oder enhancement, Threshold-Voltage
kannst du ausmessen/bestimmen und in Tabellen nachschauen.
Emil und die Detektive schrieb:>> IRLML2402
Nachtrag:
Es ist der Typ IRLML2402, habe grade per Dateisuche die alte
Bestellliste auf dem PC gefunden!!!
Vielen Dank!!!
Kann mir noch jemand sagen, welche Gatespannung minimal benötigt wird,
damit er voll durchsteuert?
(ich interpretiere eins der Diagramme im Datenblatt so, dass es ca. 3V
sein müssen, bin mir aber nicht sicher)
hinz schrieb:> IRLML2402
Laut Datenblatt steht AGUG aber für den IRLML2502. Beim IRLML2402 müsste
es ACxxx heißen. Vielleicht hat sich Emil auch verguckt.
LG Christian
Christian L. schrieb:> hinz schrieb:>> IRLML2402>> Laut Datenblatt steht AGUG aber für den IRLML2502. Beim IRLML2402 müsste> es ACxxx heißen. Vielleicht hat sich Emil auch verguckt.
Nö, du hast dich verguckt.
Emil und die Detektive schrieb:> Kann mir noch jemand sagen, welche Gatespannung minimal benötigt wird,> damit er voll durchsteuert?
Du hast MOSFETs nicht richtig verstanden, also erstmal Grundlagen lesen.
Christian L. schrieb:>> IRLML2402>> Laut Datenblatt steht AGUG aber für den IRLML2502. Beim IRLML2402 müsste> es ACxxx heißen. Vielleicht hat sich Emil auch verguckt.
habe mit einer starken Lupe nachgesehen, es sieht sehr nach AGUG aus,
mit einer Wahrscheinlichkeit von geschätzten 90%.
Eventuell hat der Elektronikversand einfach die 25iger-Version
geliefert...
In der Bestellung steht jedenfalls eindeutig IRLML2402.
hinz schrieb:> Nö, du hast dich verguckt.
Ahh, jetzt hab ich es auch gesehen. Ich hab irgendwie nur auf die zweite
Stelle des Codes geschaut. Wie peinlich.
LG Christian
hinz schrieb:> Emil und die Detektive schrieb:>> Kann mir noch jemand sagen, welche Gatespannung minimal benötigt wird,>> damit er voll durchsteuert?>> Du hast MOSFETs nicht richtig verstanden, also erstmal Grundlagen lesen.
ehrlich gesagt wollte ich mir die MOSFET-Grundlagen "sparen", es handelt
sich um ein Hobby-Projekt mit anderen Schwerpunkten.
Was wäre denn in dem Zusammenhang wichtig zu wissen (wenn das jemand
sagen mag)?
Naja, so dumm war die Frage nicht.
Schau im Datenblatt nach dem Diagramm Drainstrom in Abhängigkeit von der
Gatespannung. Dann siehst Du, was Du in Deinem Fall minimal brauchst.
Schau im DB nach VGSth. (Gate Threashold Volatge)
Wenn Du den max.-Wert mindestens anlegst, dann kannst Du sicher sein,
dass Deine MOSFETs auch über die Exemplarstreuung immer schalten.
Emil und die Detektive schrieb:> (ich interpretiere eins der Diagramme im Datenblatt so, dass es ca. 3V> sein müssen, bin mir aber nicht sicher)
So falsch ist das nicht. Damit kannst du bis ca. 3...4A durchschalten
(nicht dauerhaft, das hält er nicht aus).
schmunzel schrieb:> Schau im DB nach VGSth. (Gate Threashold Volatge)> Wenn Du den max.-Wert mindestens anlegst, dann kannst Du sicher sein,> dass Deine MOSFETs auch über die Exemplarstreuung immer schalten.
Erstmal gibt's da nur den Min-Wert und außerdem: bei der Spannung kann
man nur ein paar hundert µA schalten.
Aber, der TO hat bisher noch nicht verlauten lassen, ober er 10µA oder
2A schalten will. Deshalb sind sowohl die 0.7V (UGSth) als auch die 3V
richtig und falsch.
>scheint selbstleitend zu sein, wenn>-G auf +Ub: voller Strom durch R(L)>-G auf Masse: kein Strom durch R(L)
Wieso soll der mit diesen Testergebnissen selbstleitend sein?
@schmunzel (Gast)
>Schau im DB nach VGSth. (Gate Threashold Volatge)>Wenn Du den max.-Wert mindestens anlegst, dann kannst Du sicher sein,>dass Deine MOSFETs auch über die Exemplarstreuung immer schalten.
Falsch: ein mosfet schaltet nichteinfach mal ein, sondern geht
allmählich vom nichtleitenden Zustand in den leitenden Zustand über.
Vgsth sagt nur, daß er bei höchstens diese Spannung bereits einen
gewissen strom durchläßt - und der ist üblicherweise gerade mal bei paar
100µA - nicht gerade zu gebrauchen.
Jens G. schrieb:> Wieso soll der mit diesen Testergebnissen selbstleitend sein?>> @schmunzel (Gast)
Weil er ohne Gate-Verbindung geleitet hat, aber das war natürlich
vorschnell abgeleitet.
So, hier im Anhang ein Schaltplan, der zeigt, worum es mir geht.
Es soll ein Relaisstrom begrenzt werden.
Die Schaltung ist drzeit ohne den Teil im grünen Quadrat aufgebaut. Das
Relais zieht aber so nicht sicher an.
Deshalb will ich im Einschaltmoment des Relais den Vorwiderstand R1
durch einen zweiten MOSFET überbrücken.
Über den Kondensator am Gate "fließt" im Einschaltmoment die benötigte
Spannung, um den MOSFET (hoffentlich) voll durchzusteuern. Nach einem
kurzen Moment entlädt sich der Kondensator wieder über den
Paralellwiderstand und der MOSFET schaltet ab.
>Weil er ohne Gate-Verbindung geleitet hat, aber das war natürlich>vorschnell abgeleitet.
Davon hast Du aber nix geschrieben. Auserdem ist ein offenes Gate eines
Fets ein undefinierter Zustand. Somit untauglich, einen Fet zu
beschreiben.
>Die Schaltung ist drzeit ohne den Teil im grünen Quadrat aufgebaut. Das>Relais zieht aber so nicht sicher an.
Deine Zusatzschaltung wird ohnehin nichts sinnvolles bewirken wird. Denn
der Mosfet schaltet ja erst bei 1-2V Spannung am Gate, und die hat er
erst, wenn soviel über dem R abfallen.
Früher hat man sowas mit einem einfachen C (Elko mit einigen µF) überm R
gemacht.
Jens G. schrieb:>>Weil er ohne Gate-Verbindung geleitet hat, aber das war natürlich>>vorschnell abgeleitet.>> Davon hast Du aber nix geschrieben. Auserdem ist ein offenes Gate eines> Fets ein undefinierter Zustand. Somit untauglich, einen Fet zu> beschreiben.
Sag ich ja ;O)
Jens G. schrieb:> Deine Zusatzschaltung wird ohnehin nichts sinnvolles bewirken wird. Denn> der Mosfet schaltet ja erst bei 1-2V Spannung am Gate, und die hat er> erst, wenn soviel über dem R abfallen.
Die Spannung fällt ja auch im Einschaltmoment über R1 ab
(Spannungsteiler R1, R2).
> Früher hat man sowas mit einem einfachen C (Elko mit einigen µF) überm R> gemacht.
Ja, hatte ich auch schon im Aufbau, mit sehr mäßigem Erfolg. Dann habe
ich es simuliert und herausgefunden, dass zu R1 mindestens 50.000µF
parallelgeschaltet werden müssten, um einen wirklich nachweisbaren
Effekt zu haben.
Da das Relais an einem beweglichen Teil befestigt ist, kommt diese
"Menge" an Elkokapazität nicht in Betracht.
