Hallo zusammen, ich möchte eine Konstantstrom Senke mit einem ATmega8 aufbauen. Nun überlege ich, welche MOSFETs ich nehme, und wie ich sie ansteuere. Zu Anfang wollte ich einige IRF 540 nehmen und sie einfach parallel schalten. Allerdings würde ich dann noch eine 2. Spannungsquelle benötigen und das Gate mit einem weiteren Transistor ansteuern, da der IRF bei 5 Volt noch nicht gescheit leitet. Danach habe ich gedacht, man kann auch ein paar IRL 3103 nehmen und es direkt an den Port schalten. Nun meine Frage, was meint Ihr, welches Mosfet eignet sich am ehesten und wie macht man die Ansteuerung am Besten? Die Senke besteht aus den MOSFETS und einigen parallelgeschalteten Hochlast Widerständen in Reihe. Es ist eine Leistung von min. 300 Watt geplant. LG
Und was macht da der ATmega ? Als Shunt ? Wenn es nicht geschaltetet Widerstände sein sollen, sondern wirklich Konstantstrom, braucht man analoge Ansteuerung, und dabei gibt es bei der Parallelschaltung von MOSFETs einiges zu beachten. http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm Suche elektronische Last und Analogbetrieb
Danke für die schnelle Antwort. Ich habe es mir in der Zwischenzeit anders überlegt. Ich werde einfach die Ansteuerung komplett analog machen und die Auswertung der Ströme und Spannungen über den µC. Danke auch für den Link, er ist direkt in meine Favoriten gewandert.
M. N. schrieb: > ... > Danach habe ich gedacht, man kann auch ein paar IRL 3103 nehmen und es > direkt an den Port schalten. > Dazu habe ich auch eine Frage. Wenn ich mir das Datenblatt zu dem MOSFET anschaue, dann würde ich bei Fig.1 und 2 sagen das man mit einer Gate / Source Spannung von 4,5V und einer Drain / Source Spannung grösser als 1V auf alle Fälle den Nennstrom von ID = 64A erreicht. Da aber die Diagramme nur für eine Pulsdauer für 20µs angegeben sind, weiss ich nicht wie ich die Diagramme richtig auswerten soll. Weil dies zu schön wäre denke ich das eigentlich " Fig 8. Maximum Safe Operating Area " richtiger Weise zu betrachten ist. Nur verstehe ich nicht wie ich dieses Diagramm deuten muß. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl3103.pdf Bernd_Stein
Das SOA-Diagramm zeigt die maximale Belastbarkeit in Abhängigkeit von der Pulsdauer. Für 1ms verträgt der FET ca. 200W (10V,20A oder 2V,100A), für 100µs etwa 1kW. Die Kurven sind durch ON-Widerstand, Idmax und Udsmax begrenzt.
> dann würde ich bei Fig.1 und 2 sagen das man mit einer > Gate / Source Spannung von 4,5V und einer Drain / Source Spannung > grösser als 1V auf alle Fälle den Nennstrom von ID = 64A erreicht. Nein, das ist ein typischer Wert. Es können dafür auch 6.3V nötig sein oder 3.2V. Getestet wird vom Hersteller nur Continuous Drain Current, VGS @ 10V. Das SOA Diagramm sagt was über GLEICHZEITIGES Anliegen von Spannung und Strom aus, z.B. im Umschaltmoment. Leider enthält das von diesem MOSFET keinen DC-Wert, er ist also nicht als analoger MOSFET gedacht. Lies was zu analogen MOSFETs: http://www.mikrocontroller.net/attachment/84223/AutomotiveMOSFETsinLinearApplication-ThermalInstability.pdf http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1155.pdf
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ArnoR schrieb: > Das SOA-Diagramm zeigt die maximale Belastbarkeit in Abhängigkeit von > der Pulsdauer. Für 1ms verträgt der FET ca. 200W (10V,20A oder 2V,100A), > für 100µs etwa 1kW. Die Kurven sind durch ON-Widerstand, Idmax und > Udsmax begrenzt. > Danke, jetzt verstehe ich das Diagramm schon besser. RDS(on) = 12mOhm Idmax = Aus " Absolute Maxium Ratings " IDM Pulsed Drain Current => 220A Udmax = Vdss => 30V Fig 8. Maximum Safe Operating Area Aber wo ist hier der RDS(on) Bereich ? In dem Dreieck wo der Bezeichnungsstrich liegt oder in dem Rechteck das durch Idmax und Udmax gebildet wird ? Und wie muß ich die Linie für Dauerbetrieb einzeichnen, wenn Id = 17A und Uds = 16V ist ? Bernd_Stein
> wenn Id = 17A und Uds = 16V ist ?
Hoffentlich nie, das wären 272 Watt.
> Aber wo ist hier der RDS(on) Bereich ?
Das ist der Bereich links oben im Diagramm. Das steht doch dran! Da der
ON-Widerstand kein feststehender Wert ist, sondern von Exemplar zu
Exemplar und mit den Betriebsbedingungen schwankt, kann hier keine
Linie, sondern nur ein Bereich angegeben werden.
MaWin schrieb: >> wenn Id = 17A und Uds = 16V ist ? > > Hoffentlich nie, das wären 272 Watt. > Da habe ich mich wohl ein wenig falsch ausgedrückt. Würde der unten im Link angegebene HEXFET es ohne Kühlung überleben 15A mit einer Ugs von 5V auf Dauer zu schalten ? Ich habe mal mit 18A und 4,8mOhm gerechnet und komme auf eine Verlustleistung von 1,6W. Kann so ein SO-08 Gehäuse 2,5W oder was soll dieser Eintrag bedeuten ? Power Dissipation @ TA = 25C (W) 2.50 https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=catProductDetailFrame&productID=IRF8736PBF Bernd_Stein
Würde der unten im Link angegebene HEXFET es ohne Kühlung überleben 15A mit einer Ugs von 5V auf Dauer zu schalten ? Nö. Der MOSFET ist kein LogicLevel Typ sondern deutlich mit einer UGS von 10V angegeben: "Continuous Drain Current, VGS @ 10V" Und auch sonst sind 15A eben wegend er 1.6 Watt sehr grenzwertig für ihn, er braucht eine gute Platine die kühlend wirkt.
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MaWin schrieb: > Würde der unten im Link angegebene HEXFET es ohne Kühlung überleben > 15A mit einer Ugs von 5V auf Dauer zu schalten ? > > Nö. > > Der MOSFET ist kein LogicLevel Typ sondern deutlich mit einer UGS von > 10V angegeben: > > "Continuous Drain Current, VGS @ 10V" > > Und auch sonst sind 15A eben wegend er 1.6 Watt sehr grenzwertig für > ihn, er braucht eine gute Platine die kühlend wirkt. > Und wie habe ich dann die im Anhang gezeigten Diagramme zu verstehen ? Da kann ich doch mit Vgs = 3,0V 20A schalten, wenn ich einen 12V Akku verwende oder nicht ? Bernd_Stein
Das Diagramm zeigt typische Kurven. Je nach Exemplar können die Kurven aber auch etwas anders aussehen. Insbesondere kann es sein dass je nach Exemplar die Gate Spannung jeweils um z.B. 1 V höher oder ggf. auch niedriger sein muss. Wie groß die Steuerungen sein können steht im Datenblatt: Die Threshhold Spannung ist hier der wesentliche Parameter, da sieht man dann wie weit Abweichungen vom typischen Wert erlaubt sind. Nach den Kurven kann es klappen mit 20 A bei 3 V Gate Spannung, muss aber nicht, sondern man liegt eher bei 50% Wahrscheinlichkeit das es geht. Ob der MOSFET die Leistung auch verträgt ist eine andere Frage - da muss man noch die SOA Kurve beachten.
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