Hallo Leute,
ich habe eine Frage zu meiner Schaltung und zwar möchte ich ein Gerät
mit 16.5V betreiben. Dieso dürfen aber nicht sofort anliegen ,sondern
sollen später per Software-Befehl zugeschaltet werden. Dies geschieht
über den GPIO. Was mir bisher aufgefallen ist, dass der
Basisvorwiderstand zu hoch gewählt ist, hier würden meiner Meinung nach
162 Ohm reichen. Würde die Schaltung ansonst so funktionieren? Danke
schonmal im Voraus!
Da der FDN338 nur 8V am Gate aushält, geht das so nicht,
aber mit einem ordentlichen P-MOSFET (kein LogocLevel)
wie IRF9530 ginge das so.
Du müsstest zumindest
+16.5V --+-MOSFET--
| |
4k7 |
| |
+---+
|
10k
|
--1k--|< BC547
|E
GND
bauen.
Ich benutze meistens einen Logic Level NMOS um den PMOS zu steuern.
Ich würde unbedingt noch eine Freilaufdiode für induktive Lasten
einbauen. Die 100n / 100R in meiner Schaltung sind nicht unbedingt
nötig.
>Basisvorwiderstand zu hoch gewählt ist, hier würden meiner Meinung nach>162 Ohm reichen. Würde die Schaltung ansonst so funktionieren? Danke
Wie kommst Du denn darauf? Das ist sinnlose Enerievergeudung. Wenn der
Mosfet nicht sonderlich schnell schalten soll, dann würde ich die Sache
eher hochohmiger gestalten.
>Könnte ich das eventuell auch mit 2 Transistoren machen also einem NPN
Hast Du doch schon - oder ist der Mosfet kein Stransistor in Deinen
Augen (rate mal, was da T am Ande von Mosfet bedeutet)
>und einem PNP und ohne MOSFET?
Ginge auch, aber dann müsstest Du wirklich genug Basisstrom
bereitstellen, und das wäre in heutigen Zeiten, wo es tolle Mosfets
gibt, sinnlose Energievergeudung (wieder).
Es wäre allerdings mal interessant, um welche Ströme es dabei geht.
>kann ich auch nen BSP171 für den FDN338P verwenden?
sind beide ziemlich ähnlich - sollten also austauschbar sein
> kann ich auch nen BSP171 für den FDN338P verwenden?
Da der -20V Ugs aushält, würde der in deine Ursprungsschaltung passen,
so wie dort auch der IRF9530 gepasst hätte.
Du hast in deiner IRF9530-Schaltung dann blöderweise beides gemacht,
Gat-Spannung wie für den FDN338 nötig durch Spannungsteiler reduziert
und mit dem IRF9530 einen MOSFET genommen der mehr Gate-Spannung
braucht.
Keine Ahnung, warum Leute nie lesen, was man schreibt, sondern dann
immer irgendwas machen, möglichst alles auf einmal was bei panikartigem
oberflächlichen Lesen irgendwie an Worten zu finden ist ohne
Zusammenhänge zu beachten. Muß was mit P.I.S.A. zu tun haben.
Danke nochmal für die zahlreichen Antworten. Ich hab die Schaltung
soweit aufgebaut (wie zuerst gepostet nur mit BSP171), jedoch bekomm ich
beim BSP171 nie meine gewünschte Spannung von 16.5V. Schalte ich an der
Basis des BC818 zwischen 0 und 5V passiert nichts, die Spannung bleibt
immer 0V. Habe ich noch nen Fehler irgendwo?
Helmut Lenzen schrieb:> Der kann zwischen Kollektor und Emitter 25V ab.
Das schon, aber ich hab zwischen Basis und Emitter 5V anliegen und
Absolute Maximum Rating ist 5V (schaltet schon bei 1.2V) und da ich
nicht immer genau 5V anliegen habe, ist er kaputt gegangen ;D hab jetzt
einen Spannungsteiler drin und funktioniert wunderbar. Danke!
@ John (Gast)
>Das schon, aber ich hab zwischen Basis und Emitter 5V anliegen
dann machst du was falsch.
>nicht immer genau 5V anliegen habe, ist er kaputt gegangen ;D hab jetzt>einen Spannungsteiler drin und funktioniert wunderbar. Danke!
Also mit Murks größeren Murks kaschiert. Naja . . .
John schrieb:> Das schon, aber ich hab zwischen Basis und Emitter 5V anliegen und> Absolute Maximum Rating ist 5V (schaltet schon bei 1.2V) und da ich> nicht immer genau 5V anliegen habe, ist er kaputt gegangen ;D hab jetzt> einen Spannungsteiler drin und funktioniert wunderbar. Danke!
Bipolare Transistoren werden mit Strom gesteuert. Die 5V gelten nur bei
negativer Basis in Sperrrichtung. Deshalb gehoert ein Vorwiderstand vor
die Basis um den Strom zu begrenzen den man bei gegebener
Stromverstaerkung und Kollektorstrom braucht. In Vorwaertsrichtung
fallen an der Basis in der Regel 0.7V ab wie bei einer Diode.
Also:
IB = IC/B
B = Stromverstaerkung ca. 200
IC = gewuenschter Kollektorstrom
IB = mindest Basisstrom
Da wir sicher durchschalten wollen erhoehen wir den Basisstrom um einen
Faktor 3 .. 10 ( ist nicht kritisch)
Iv = IB * 5 zum Beispiel
Iv = Strom durch den Vorwiderstand
Jetzt fehlt uns nur noch die Spannung ueber dem Widerstand.
Die berechnet man so.
Uv = Uh-Ub
Uv = Spannung ueber dem Vorwiderstand
Uh = Hight Spannung an deinem IC Ausgang (in der Regel bei CMOS 5V =
Versorgung)
Ub = 0.7V Basis Emitterspannung
Dann ergibt sich fuer Rv = Uv/Iv
Noch was:
Der 4,7uF Kondesator verusacht kurzeitig sehr hohen Strom durch deinen
P-Kanal MosFET!!
Das könnte er dir übelnehmen (je nachdem wie deine Versorgung ausgelegt
ist) oder zu einem kurzen Spannungseinbruch führen!
Helmut Lenzen schrieb:> Dann ergibt sich fuer Rv = Uv/Iv
Nach meiner Berechnung bräuchte ich für nen Kollektorstrom von 109mA
also einen Vorwiderstand von 1,6kOhm und nicht 1kOhm und deswegen ist
der Transistor kaputt gegangen, seh ich das richtig?
Wie häufig und schnell soll der 818 denn schalten?
Ich hätte jetzt so etwas gesagt wie:
- Verstärkung liegt bei min. 160
- Kollektorstrom liegt bei max. 800mA
- Widerstand zwischen Gate und Kollektor sollte bei min. 20V/800mA = 25
Ohm liegen
- 800mA / 160 = 5mA Basisstrom
- (5V-0,7V) / 5mA = 860 Ohm
Da die Verstärkung besser als 160 seien wird laut Datenblatt, sind 1
kOhm schon ok.
Bei 8V und 1 kOhm fließen etwa 7,3mA. Das überlegt der 818 auf jedem
Fall.
Bis denn
Foxi
Schaltung.PNG
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