Wie beeinflusst eigentlich das Vorhandensein einer kleinen Gatespannung bei N-MOSFET dessen Uds max? Wie viel sollte z.B. ein 600V MOSFET aushalten wenn am Gate 1V liegt? Kann mit negativer Gatespannung Uds max noch erhöht werden?
Mine Fields schrieb: > Die Gatespannung hat keinen Einfluss auf die Sperrspannung. Wirklich nicht? Die elektronen sollten doch mit tieferer Gatespannung aus dem Kanal gedrückt werden -> der kanal wird effektiv länger -> Höhere Sperrspannung. So zumindest meine Überleg.... Also wenn Th 4v -> Ug =3.5V gleiche sperrsp. wie Ug=-15V
Guck mal ins Tietze-Schenk. Grundsätzlich gibt's da sehrwohl Unterschiede. Ingo
DIAC schrieb: > Wirklich nicht? Die elektronen sollten doch mit tieferer Gatespannung > aus dem Kanal gedrückt werden -> der kanal wird effektiv länger -> > Höhere Sperrspannung. So zumindest meine Überleg.... Bitte noch einmal den MOS-Kondensator anschaun. Die Überlegung ist zwar ganz nett aber ist leider nicht zielführend.
Michael Köhler schrieb: > Bitte noch einmal den MOS-Kondensator anschaun. Die Überlegung ist zwar > ganz nett aber ist leider nicht zielführend. Die "PN Diode" der Drainseite wird aufgeweitet mit höherem Uds. Zudem wird von der Source seite her wegen dem El. feld die effektive Kanallänge verringert. Meine Literatur beschränkt sich lediglich auf kleinspannungs Mosfet. Wo bricht der Mosfet überhaupt durch? Drain - Source oder Drain - Gate? Wie weit wird eigentlch sichergestellt, dass das Drain nicht auf das Gate durchschlägt? Gate nicht vollständig über den Kanal? Das ist zwar alles nicht OT aber bringt mich doch von der Ursprünglichen Frage weg: Also wie ist den der Zusammenhand zwischen Gatespannung und Udsmax?
DIAC schrieb: > Die "PN Diode" der Drainseite wird aufgeweitet mit höherem Uds. Zudem > wird von der Source seite her wegen dem El. feld die effektive > Kanallänge verringert. In aller Regel schlägt's zwischen Drain und Bulk durch und da ist Ugs nun mal sowas von uninteressant bei. Und sowie Bulk auf dem gleichen Potential liegt wie Drain gehen alle Elektronen im Bulk stiften. Ganz nebenbei sind auch noch bei gefühlten 99.9% aller Mosfest Bulk und Source kurzgeschlossen wodurch die Strecke Drain-Source durch den Druchbruch Drain-Bulk also quasi kurzgeschlossen ist.
Michael Köhler schrieb: > In aller Regel schlägt's zwischen Drain und Bulk durch Ok Danke Michael Köhler schrieb: > Ugs > nun mal sowas von uninteressant bei. hmm könnte es nicht sein, dass ich durch ein pos Feld im Bereich des Kanals die effektive Dotierung im Bulk reduziere und dadurch es in dem Bereich eher zum Durchbruch kommt? oder ist Ugs wirklich absolut irrelevant?
Wichtiger ist vor allem dass die maximal Spannung auch temperaturabhängig ist. Zum Beispiel hast der 600V MosFet: http://www.st.com/internet/com/TECHNICAL_RESOURCES/TECHNICAL_LITERATURE/DATASHEET/CD00003099.pdf bei tiefen Temperaturen nur noch 90%, also 540V
DIAC schrieb: > oder ist Ugs wirklich absolut irrelevant? Schau dir hierzu doch bitte entsprechende Literatur an. Das hier ausgiebig zu erklären wäre a. wohl zu lang und b. sicher auch nicht fehlerfrei wodurch sich c. 7545239390 User hier im Forum für die nächsten 3934 Jahre beschäftigen würden.
Michael Köhler schrieb: > 7545239390 User hier im Forum für die > nächsten 3934 Jahre beschäftigen würden. Ich will natürlich euch nicht so lange beschäftigen.... Ist auch nicht so wichtig. Ich habe nur das problem, dass es hin und wieder mal durchschlägt und die gatespannung is ca. 1.5V. Und überlege mir obs was bringt. Dass die Temp einen einfluss hat ist mir klar nur hab ich unteschiedliche Antworten gekriegt ob wesentlich was ausmacht mit Ugs: Ingo L. schrieb: > Guck mal ins Tietze-Schenk. Grundsätzlich gibt's da sehrwohl > Unterschiede. Michael Köhler schrieb: > In aller Regel schlägt's zwischen Drain und Bulk durch und da ist Ugs > nun mal sowas von uninteressant bei. Was stimmt nun? Ich möchte nur wissen obs wirklich was ausmacht (>10V differenz) oder ob ichs vernachlässigen kann.
DIAC schrieb: > Ich habe nur das problem, dass es hin und wieder mal > durchschlägt Was? Wo? Schaltung?
DIAC schrieb: > Was stimmt nun? Ich möchte nur wissen obs wirklich was ausmacht (>10V > differenz) oder ob ichs vernachlässigen kann. Entweder du schaust in den Tietze-Schenk oder glaubst es einfach: Das macht keinen Unterschied ob ich nun ein Ugs von 0V hab oder eins von -10V (beim N-Kanal), die Spannungsfestigkeit von Uds wird sich hierbei nicht nennenswert ändern.
DIAC schrieb: > Ich habe nur das problem, dass es hin und wieder mal > durchschlägt und die gatespannung is ca. 1.5V. Wieso sollte man eine Gatespannung von 1.5V anlegen? Ne nach MOSFET kann es natürlich sein, dass der dann schon teilweise offen ist. Und wenn es wirklich ein Durchbruch ist, was hindert dich daran, einfach einen MOSFET mit höherer Sperrspannung einzusetzen, wie es jeder vernünftige Mensch tun würde?
Michael Köhler schrieb: > macht keinen Unterschied ob ich nun ein Ugs von 0V hab oder eins von > -10V (beim N-Kanal), die Spannungsfestigkeit von Uds wird sich hierbei > nicht nennenswert ändern. Ich möchte hier ja niemand ärgern, aber ist dies auch der Fall zwischen 0V und +1V oder +1.5V? (Uth ist wesentlich höher) Absolut aufrichtige Frage, ich habe den Verdacht dies ist der Gründ der Durchbrüche. Natürlich könnte ich den Mosfet einfach durch mehrere 1200V Modele paralell oder so ersetzen, ich finde es jedoch wesentlich vernünftiger dem Problem auf den Grund zu gehen und anschliessend entsprechende Massnahmen zu ergreifen.
Im Moment würde ich eher vermuten, dass du deine MOSFET durch parasitäre Induktivitäten zerstörst. Oder irgendeinen anderen Mist in deiner Schaltung gemacht hast, denn es gibt keinen Grund, einen Leistungs-MOSFET mit 1,5V Gatespannung zu betreiben. Lege also erst einmal ausführlich dar, was du überhaupt anstellen möchtest, inklusive aller Randbedingungen.
Um welchen Fet gehts denn überhaupt? V.a. welche Thresholdspannung hat der angegeben? Wie sieht deine Schaltung aus?
DIAC schrieb: > Absolut aufrichtige Frage Aufrichtige Antwort: Beschäftige dich mal mit den Grundlagen eines Mosfets. Ein Mosfet ist im Prinzip spannungsgesteuerter Widerstand. Je näher man an Uth ran geht desto mehr erhöht man hier nur die Leitfähigkeit. Da kann es schlichtweg nicht zu einem "Durchbruch" kommen. Ganz offensichtlich verstehen wir unter Durchbruch auch etwas anderes als du. Wie sieht denn deine Schaltung aus und welcher Ablauf führt zu deinem "Durchbruch"? Beschreib das mal ausführlich. Ein Schaltplan mit benannten Bauteilen und Knoten ist auch immer sehr sehr hilfreich bei sowas.
Vielleicht werden hier nicht nur 1,5V, sondern auch 2, 3, 4, ... V über längere Zeit am Gate benutzt, womit der Mosfet im linearen Bereich ist, und schwitzt wie's Schwein. Dann sollte man mal das SOA-Diagramm bemühen, um illegale Betriebsbereiche zu ermitteln, und zu vergleichen. Nötig dazu sind natürlich zeitliche Spannungsverläufe, die man sich erstmal mit dem Oszi ansehen sollte. Sowas kann man sich auch bei niedrigeren Uds-Werten anschauen, um den Mosi zu entlasten.
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