Hallo, irgendwo habe ich das Schaltbild für eine JFET-Diode entdeckt. Leider stand dort nur, dass sie einen niedrigen Rückwärtsstrom besitzt. Hat sie ansonsten ähnliche Eigenschaften wie eine Si-Diode (DUS)?
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>irgendwo habe ich das Schaltbild für eine JFET-Diode entdeckt. > >Leider stand dort nur, dass sie einen niedrigen Rückwärtsstrom besitzt. Die 2N4117 wird gerne dafür verwendet: http://www.interfet.com/pdf/ds_2N4117_19A.pdf Ein entsprechender Hinweis findet sich im Datenblatt des OPA627. >Hat sie ansonsten ähnliche Eigenschaften wie eine Si-Diode (DUS)? Das ist eine normale Siliziumdiode. Extrem leckstromarme Dioden sind aber oft sehr träge und haben eine sehr große "reverse recovery time". Die BAV199 ist dafür ein gutes Beispiel: http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAV199.pdf
flo schrieb: > Hat sie ansonsten ähnliche Eigenschaften wie eine Si-Diode (DUS)? Der JFET wird gelegentlich schon mal in sehr empfindlichen hochimpedanten Eingangsschaltungen als Schutzdiode verwendet. Und zwar nennt man das Picoampere-Diode, weil die störenden Restströme äußerst klein sind.
Der JFET verhält sich so schon als "normale" Si-Diode mit geringem Leckstrom. Alternativ zum JFET kann auch die Collektor-Basis Strecke eines kleinen Transistors benutzt werden. Auch das gibt ein Diode mit geringen Leckströmen.
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Ulrich schrieb: > Alternativ zum JFET kann auch die Collektor-Basis Strecke eines kleinen > Transistors benutzt werden. Kannst du das näher erläutern? Ich hänge meine Picoampere-Diode mal an, aus PSPICE. Habe aber nur mit Strömen gearbeitet, keine Kapazitätsbetrachtungen.
Die Kollektor-Basis Strecke bei normalen Transistoren ist auch nur eine Diode. Um den Leckstrom des Transistors klein zu halten wird hier versucht den Leckstrom klein zu halten. Das findet man gelegentlich auch in Schaltungen als Ersatz für eine Diode mit wenig Leckstrom.
Ergänzung: Bei dem dazu verwendeten Transistor sollte Basis mit Emitter kurzgeschlossen sein. Das ergibt nochmal geringeren Reststrom als ein offener Emitter.
>Diode. Um den Leckstrom des Transistors klein zu halten wird hier >versucht den Leckstrom klein zu halten. Das findet man gelegentlich auch Cooler Satz ...
Jens G. schrieb: > Um den Leckstrom des Transistors klein zu halten wird hier >>versucht den Leckstrom klein zu halten. Man nennt das auch Tautologie, so weit ich weiß. Aber ist ja hier kein Literaturnobelpreiskomitee hier und so Sätze können jedem mal passieren... Danke für die vielen Antworten! Bei welchen konkreten Anwendungen kommt es denn auf kleine Leckströme an?
flo schrieb: > Man nennt das auch Tautologie, so weit ich weiß. Den Begriff kenne ich eher aus Boole'schen Sätzen. > Bei welchen konkreten Anwendungen kommt es denn auf kleine Leckströme > an? Sehr hochimpedante Meßschaltungen, z.B. Schutz an MOSFET-OP-Eingängen. Das war mal ein Thema hier im Forum, als jemand sowas brauchte. Daher kam ich auf den JFET als Picoampere-Diode.
flo schrieb: > Bei welchen konkreten Anwendungen kommt es denn auf kleine Leckströme > an? Da gibt es eine ganze Reihen an Anwendungen. Eigentlich überall da, wo man hochohmig messen muss. Wenn du z.B. an Piezo Sensoren Messungen durchführen willst oder pH-Wert Messungen. Dort darfst du die Sensoren kaum belasten, da sonst die Messung verfälscht werden würde. Messung kleiner Ströme - von Photodioden, bis hin zu Messung von Stromverbrauch von Bauteilen, wie z.B. deren Leckströme. Guck dir z.B. mal Schaltpläne von teureren Tischmultimetern an. Diese sind in den unteren Spannungsbereichen sehr hochohmig. Dort werden zum Schutz der Eingangs ICs solche JFET Dioden eingesetzt. Man findet diese JFET Dioden auch häufig in Peak-Detektoren um eine zu schnelle Entladung der Speicherkondensatoren und somit eine Verfälschung der Messung zu unterbinden. Schau dir z.B. mal den Peak-Peak Detektor aus der AN-124 an: http://cds.linear.com/docs/Application%20Note/an124f.pdf Hier muss der Wert bis zu 10 Sekunden gehalten werden. Nehmen wir mal an, es soll eine Spannung von 1V erfasst werden. Nehmen wir nun noch einen Leckstrom von 10nA an, so ergibt sich eine Änderung der Spannung auf dem Kondensator von 0,1V in 10 Sekunden. Das ist ein Fehler von 10%. Nehmen wir nun an, der Leckstrom beträgt nur 10pA, dann ergibt sich eine Abweichung von lediglich 0,1mV, also 0,01%. Der Leckstrom ist also in einem solchen Fall sehr wichtig für die Funktion der Schaltung. Zum 2N4117A gibt es auch von TI eine kleine AN: http://www.ti.com/lit/an/sboa058/sboa058.pdf LG Christian
Danke für eure Antworten! Kai Klaas schrieb: > Das ist eine normale Siliziumdiode. Extrem leckstromarme Dioden sind > aber oft sehr träge und haben eine sehr große "reverse recovery time" Was versteht man unter einer 'reverse recovery time'? Habe mal ins Datenblatt der BAV199 geschaut, in Fig.3 sieht es so aus, als hätte sie eine etwas größere Flussspannung als eine DUS!?
Vergleich Dioden: http://www.analog.com/library/analogDialogue/archives/46-02/ovp.pdf PAD5 ist ein JFET.
Die "reverse recovery time" ist die Zeit, die die Diode braucht um von Leitend auf Sperrend umzuschalten. Dabei wird in der Regel ein Strom in Rückwärtsrichtung angenommen, der so groß ist wie der Strom in Vorwärtsrichtung zuvor. Mit 0,8 - 3 µs ist das tatsächlich eine relativ langsame Diode. Die Flussspannung ist tatsächlich recht hoch für eine Silziumdiode, ist aber nicht ganz überraschend bei einer kleinen Diode und langen Ladungsträgerlebensdauer. Die Shockly Diodengleichung läßt das auch erwarten, bei einem kleinen Sättigungs-Sperrstrom muss die Spannung halt etwas höher werden.
>Die Flussspannung ist tatsächlich recht hoch für eine Silziumdiode, ist >aber nicht ganz überraschend bei einer kleinen Diode und langen >Ladungsträgerlebensdauer. Alles eine Frage der Dotierung...
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