Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Vorwiderstand am Mosfet-Gate


von Piet (Gast)


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Hallo,
ich möchte einen kleinen Mosfet (z.B. den BSS84) direkt mit einem 
Atmega-Ausgang ansteuern.  Ich habe gelesen, dass man bei PWM / 
schnellem Schalten einen Vorwiderstand am Gate einplanen sollte.

Ab welcher Frequenz gilt das? Ist der Vorwiderstand bei 500KHz PWM 
bereits notwendig? Ist der Strom, der aus einem uC-Ausgang kommt, nicht 
sowieso schon begrenzt? Danke im voraus.

von Werner (Gast)


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Piet schrieb:
> Ab welcher Frequenz gilt das? Ist der Vorwiderstand bei 500KHz PWM
> bereits notwendig?

Der Spitzenstrom hängt nicht von der Frequenz, sondern von der 
Gatekapazität ab. Die ist also zusammen mit der zulässigen Stromdichte 
und der Ausgangsimpedanz vom µC die kritischen Größe.

von Piet (Gast)


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Die Gate-Kapazität liegt so bei 62pF (BSS83P). Die Stromdichte kenne ich 
nicht bzw. finde sie nicht im Datenblatt. Die Ausgangsimpedanz des 
Atmega8 steht ebenfalls nicht direkt im Datenblatt, jedoch meine ich, 
mich erinnern zu können, das da so maximal 8mA aus einem Ausgangspin 
kommen können.

Könntet ihr mir weiterhelfen? Ist das ganze überhaupt kritisch oder kann 
man bei derart kleinen Strömen den Gatewiderstand einfach weglassen?

von Werner (Gast)


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Piet schrieb:
> Ist das ganze überhaupt kritisch oder kann
> man bei derart kleinen Strömen den Gatewiderstand einfach weglassen?

Bei 62 pF kannst du das Gate auf jeden Fall direkt anschließen. Wenn die 
Kapazität einen Faktor 100 größer wäre, könnte/sollte man darüber 
nachdenken.

von Piet (Gast)


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Vielen Dank, Werner.

von Stefan Frings (Gast)


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Ich empfehle allerdings bei MOSFET Transistoren immer einen Pull-Up oder 
Pull-Down Widerstand (z.B. 47k Ohm). Denn solange der Pin des 
Mikrocontrollers noch nicht als Ausgang konfiguriert ist, liegt dort 
eine zufällige Spannung an. Wenn der Transistor nicht sauber sperrt oder 
durchschaltet, wird er (je nach Last) heiss und brennt durch.

Pull-up oder Pull-down Widerstände sind auch an offenen Eingängen 
angebracht, weil sonst statische Ladung leicht über 20V betragen kann 
und so den Transistor zerstört.

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