Hallo, zur Abblockung, Entkopplung bzw. Schwingungunterdrückung ist ja bei fast jedem IC ein (mehrere) Kondensator(en) in der Größenordnung von ca. 100nF erforderlich. Nun ist es aber so das z.B. Widerstände bei der IC Herstellung mit integriert sind bzw. deren Wirkung irgendwie durch Halbleiterbehandlung erzeugt wird. Es gibt nun viele ICs welche Funktionen zur Verfügung stellen (z.b. Verstärker), welche bei einen diskreten Aufbau viel mehr Kondensatoren benötigen würden, als bei der IC Lösung erforderlich sind. Also sind Kondensatoreigenschaften wohl (teilweise) auf Halbleiterbasis machbar. Warum funktioniert das aber nicht mit den Kondensatoren für die Entkopplung, Abblockung usw. ? Karlchen
Naja, ähm, Kondensatoren brauchen 2 leitende Oberflächen. Größere Werte brauchen größere Kondensatoren... Platz ist eines der wenigen Sachen, die man in ICs nicht hat.
Karlchen schrieb: > Warum funktioniert das aber nicht mit den Kondensatoren für die > Entkopplung, Abblockung usw. ? Der integrierte Kondensator zur Frequenzkompensation eines Operationsverstärkers wie dem TL074 hat gerade einmal 18pF. Abblockkondensatoren müssen tausende Male grösser dimensioniert werden und sind als Vielschicht-Kondensatoren implementiert. Diese Bezeichnung kommt von den vielen Schichten aus denen sie bestehen. Wollte man das in Chips giessen, es wäre unbezahlbar. Highend-Chips haben ein knappes Dutzend Metall-Layer. Und jeder dieser Layer ist teuer, weshalb Mikrocontroller wie die AVRs grad einmal 3 davon haben. Zu allem Überfluss will man als Isolator in solchen Chips eine Substanz mit niedriger Dielektrizitätszahl, um die Leitungskapazitäten gering zu halten (low-k) während man für Kondensatoren das exakte Gegenteil benötigt.
PS: Die Dielektrizitätszahl von Kerkos ist hunderte bis tausende Mal grösser als die des in Chips günstig nutzbaren Siliziumdioxids. Davon aber hängt die Kapazität eines Kondensators direkt ab.
Karlchen schrieb: > Warum funktioniert das aber nicht mit den Kondensatoren für die > Entkopplung, Abblockung usw. ? Überlege mal, wieviel Schichten ein 100nF Kondensator hat, damit er bei geringer Baugröße auf die nötige Kapazität kommt und vergleiche das mit der Anzahl der Prozessschritte/"Schichten", die bei der Herstellung von CMOS Halbleitern erforderlich sind. Wenn man die C's mit integrieren würde, wären z.B. µCs fast unbezahlbar, weil im Vergleich zur Die-Größe des µC die Kondensatoren immer noch recht groß sind und die Maschinen wegen der vielen Kondensatorschichten für die Wafer-Bearbeitung so lange belegt wären.
Karlchen schrieb: > Es gibt nun viele ICs welche Funktionen zur Verfügung stellen (z.b. > Verstärker), welche bei einen diskreten Aufbau viel mehr Kondensatoren > benötigen würden, als bei der IC Lösung erforderlich sind. > > Also sind Kondensatoreigenschaften wohl (teilweise) auf Halbleiterbasis > machbar. Dieses folgt nicht aus jenem. In integrierten Schaltungen verwendet man andere Schaltungstechniken als in diskreten Aufbauten (auch wenn immer wieder Transfers stattfinden). Zum einen kann man bestimmte Dinge integriert gut hinbekommen: zwei (oder auch viel mehr) exakt gleiche Transistoren, oder ein Transistorpärchen, bei dem der eine bei gleicher BE-Spannung den genau n-fachen Kollektorstrom des anderen liefert. Damit kann man dann schicke Differenzverstärker und Stromspiegel bauen. Zum anderen vermeidet man in integrierten Schaltungen Dinge, die man nicht so gut (oder nur teuer) hinbekommt: Kondensatoren, hochohmige Widerstände oder Widerstände mit geringer Absoluttoleranz. Koppelkondensatoren vermeidet man z.B. durch direktgekoppelte Verstärkerstufen. Und statt Widerständen nimmt man Stromquellen (Stromspiegel). In älteren Datenblättern findet man oft noch Innenschaltungen von IC. Da kann man einige der verwendeten Tricks sehen. XL
Wenn man Beschaltungen heutiger mit damaligen ICs vergleicht, dann stellt man oft fest, daß damals oftmals noch ein viel größerer Ausenbeschaltungsaufwand nötig war, inkl. Cs. Da waren öfters mal externe Frequenzkompensationen nötig. Heutzutage werden vergleichbare ICs anders designed, um solche Ausenbeschaltungen gleich von vornherein zu vermeiden. (NF-Verstärker, OPV)
Übersicht wie so was hergestellt wird... http://www.powersoc.org/PwrSOC08/Presentations/Received/Invited%20Talk%20S4bx8%20-%20Fred%20Roozeboom%20-%20Ultrahigh-density%20(+0,4%20uF%20mm-2)%20trench%20capacitors%20in%20Silicon.pdf
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.