Hallo Leute, ich habe eine Verständnisfrage! Ich schalte diesen N-Fet: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfh5215pbf.pdf Im "Turn On" habe ich "Nadelpeaks" von bis zu 130W Verlust(von 0 bis max Peak wieder auf 0 in etwa 6 nanosec)[simuliert mit LTspice] aber im Schnitt nur etwa 100mW. Die 100mW finde ich nicht Besorgnisserregend aber die 130W dafür um so mehr :( Jetzt komme ich zu meiner eigentlichen Frage: Sind diese 130W Peak für den Fet gefährlich? (Brennen mir da ggf. die Bonddrähte weg?) Vielen Dank Hannes
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Wie verhaelt sich der Strom zum Spitzenstrom ? Wenn der hinreiched drunter ist wuerd ich mir keine Sorgen machen.
Hier sind noch ein paar Eckdaten: Frequenz: ~180kHz Id_max: ~5A (0,8A Durchschnitt) Igate max: ~0,9A Vgate: 12V Die Konstellation ist eine Halbbrücke und bei der die Lowseite! Der High Pfad ist genau gleich aufgebaut, macht aber keine Probleme... Als Treiber wird ein IR2184 verwendet.
Hannes schrieb: > Sind diese 130W Peak für den Fet gefährlich? In der Simulation nicht. Hannes schrieb: > Der High Pfad ist genau gleich aufgebaut Ganau gleich wie ... aber das findet man ja auch nicht im post. Fröhliches weiterraten ...
6ns? Naja, eine Simulation ist eben nur so gut wie ihr schlechtestes Modell. :-o Da bin ich mal auf das Layout und die EMV gespannt...
180kHz bei max. 5A ? Was ist denn das für eine krude Idee ?
Mal davon abgesehen das die Modelle für transiente Vorgänge meist nicht oder nur eingeschränkt zu gebrauchen sind mußt du einfach mal ins SOA-Diagramm im Datenblatt schauen danach bist du schlauer. Ich vermute du hast in der Simulation eine ideal ohmsche Last an deine Halbbrücke angeschlossen? Mit ein bisschen Induktivittät sollte der Laststrom auf die parasitäre Diode des Lowsideschalters kommutieren und dadurch rellativ geringe Einschaltverluste im Lowsideschalter entstehen, die höheren Einschaltverluste hat bei einer Halbbrücke in der Regel der Highsideschalter.
Fabian schrieb: > Mit ein bisschen Induktivittät Ja, wie sagt schon der Angelsachse beim Layout? "Each Millimeter has its Nanohenry!"
Fabian schrieb: > Mit ein bisschen Induktivittät sollte der > Laststrom auf die parasitäre Diode des Lowsideschalters kommutieren und > dadurch rellativ geringe Einschaltverluste im Lowsideschalter entstehen, > die höheren Einschaltverluste hat bei einer Halbbrücke in der Regel der > Highsideschalter. Das hängt von der Richtung des Stroms ab. Wenn man die Halbbrücke als Tiefsetzsteller verwendet, der Strom also aus der Halbbrücke heraus in die Last fließt, hast du recht. Der Strom kommutiert dann von der Lowside-Diode auf den Lowside-Transistor. Wenn der Strom in die andere Richtung fließt (Hochsetzsteller), ist es genau umgekehrt. Der Strom kommutiert dann von der Highside-Diode auf den Lowside-Transistor, wodurch hohe Einschaltverluste entstehen können.
richtig ich bin natürlich von einem tiefsetzsteller ausgegangen
Auch wenn die Simulation hohe Verlustpeaks anzeigt, heist dass nicht, dass dies ein Problem ist. Das mit der SOA zu Vergleichen macht auch keinen Sinn. Stell mal den Minimum Timesptep oder Simulationsalgorithmus um, dann sind die Peaks schon anders. Oder ein Model eines anderen Herstellers mit ähnlichen Daten kann in der Simulation unterschiedlichste Ergebnisse zeigen, doch in der Realität Problemslos austaschbar und als second-source einzusetzten. Und wie schon gesagt, wirf mal paar nH in jede Leitung und verpasse der Drossel etwas Wicklungskapazität ;) MFG Fralla
Für macht das schon Sinn mal ins SOA-Diagramm zu schauen.. Wenn der Mosfet bspw. 50VDS bei 20A für max. 100us aushält, sollten die 130W selbst wenn man rellativ langsam Schaltet kein Problem darstellen.
Fabian schrieb: > Für macht das schon Sinn mal ins SOA-Diagramm zu schauen.. Wenn der > Mosfet bspw. 50VDS bei 20A für max. 100us aushält, sollten die 130W > selbst wenn man rellativ langsam Schaltet kein Problem darstellen. Seh ich auch so aber manche machen sich gern Probleme auch wenn sie keine bräuchten ;):D
Aber nicht wenn die Schaltpeakleistung auf irgendeiner Simulation basiert. Aber das hat ja mit 100µs nichts zu tun...
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