Gast
#2865078
Hallo, wollte mal fragen wo ich im Ausgangskennlinienfeld (IDS-UDS Kennline)eines MOSFETs die Thresholdspannung ablesen kann.
Schau dir das Gate-Charge Diagramm an. Mehr braucht man nicht, zumindest wenn es sich um einen Power-FET handelt. Gibts allerdings nicht in uralt-Datenblättern.
Fragender schrieb: > Hallo, > > wollte mal fragen wo ich im Ausgangskennlinienfeld (IDS-UDS > Kennline)eines MOSFETs die Thresholdspannung ablesen kann. Das Kennlinienfeld Ids über Uds zeigt den Verlauf von Ids in Abhängigkeit von Uds...bei einer konstanten Spannung Ugs. Wie möchtest du hierbei dann die Spannung Ugs(th) ablesen? ;)
Gast
#2865183
Theoretisch ginge das schon. Man koennte die Saettigungsspannung ablesen und daraus Vth ableiten. Bei realen MOSFET waere dies aber ziemlich ungenau.
nicht "Gast" schrieb: > Bei realen MOSFET waere dies aber ziemlich ungenau. Im Besonderen, weil diese Spannung keine Konstante ist, sondern alle möglichen Streuungen hat...
Fragender schrieb: > Hallo, > > wollte mal fragen wo ich im Ausgangskennlinienfeld (IDS-UDS > Kennline)eines MOSFETs die Thresholdspannung ablesen kann. Warum machst du es nicht so wie es jeder macht? Du definierst dir einen Schwellstrom, z. B. 100uA, und liest da die Spannung Ugs im Diagramm Id(Ugs)ab. Am besten nimmst du den Schwellstromwert, der auch im Datenblatt verwendet wird. Beispiel: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7104.pdf VGS(th) Gate Threshold Voltage -1.0 ––– -3.0 V VDS = VGS, ID = -250μA
Helmut S. schrieb: > Warum machst du es nicht so wie es jeder macht? Macht ja jeder so, ist ja langweilig :D nicht "Gast" schrieb: > Theoretisch ginge das schon. Man koennte die Saettigungsspannung ablesen > und daraus Vth ableiten. Bei realen MOSFET waere dies aber ziemlich > ungenau. Um da was Sinnvolles abzulesen müsste schon alleine die Diagramme viel genauer gezeichnet sein. So ist es mehr ein Glücksspiel den halbwegs belastbarer Aussage zur Schwellspannung.
Gast
#2865323
Ich hielt die Ausgangsfrage für eine rein akademische.
Man könnte natürlich aus der Kennlinienschar einen Kurvenfit(Optimierung) mit der Formel für Id(Ugs) machen. Am Schluss kommt dann ein Ugs heraus das die kleinste Abweichung zu der Kurvenschar hat.
Hm. Ich nehme immer das Gate-Charge Diagramm und denke mir noch 0,5 bis 1V jeweils nach oben UND unten am Gate dazu. Damit ist der Toleranzbereich typischerweise abgedeckt. Wie gesagt, ich spreche vom vermuteten PowerMOSFET. Ansonsten ist ein einfacher Weg noch über SPICE.