Thresholdvoltage eines MosFET in IDS/UDS Kennline

Schau dir das Gate-Charge Diagramm an. Mehr braucht man nicht, zumindest 
wenn es sich um einen Power-FET handelt. Gibts allerdings nicht in 
uralt-Datenblättern.

Fragender schrieb:
> Hallo,
>
> wollte mal fragen wo ich im Ausgangskennlinienfeld (IDS-UDS
> Kennline)eines MOSFETs  die Thresholdspannung ablesen kann.

Das Kennlinienfeld Ids über Uds zeigt den Verlauf von Ids in 
Abhängigkeit von Uds...bei einer konstanten Spannung Ugs. Wie möchtest 
du hierbei dann die Spannung Ugs(th) ablesen? ;)

nicht "Gast" schrieb:
> Bei realen MOSFET waere dies aber ziemlich ungenau.
Im Besonderen, weil diese Spannung keine Konstante ist, sondern alle 
möglichen Streuungen hat...

Fragender schrieb:
> Hallo,
>
> wollte mal fragen wo ich im Ausgangskennlinienfeld (IDS-UDS
> Kennline)eines MOSFETs  die Thresholdspannung ablesen kann.

Warum machst du es nicht so wie es jeder macht?

Du definierst dir einen Schwellstrom, z. B. 100uA, und liest da die 
Spannung Ugs im Diagramm Id(Ugs)ab. Am besten nimmst du den 
Schwellstromwert, der auch im Datenblatt verwendet wird.

Beispiel:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7104.pdf
VGS(th) Gate Threshold Voltage -1.0 ––– -3.0 V VDS = VGS, ID = -250μA

Helmut S. schrieb:
> Warum machst du es nicht so wie es jeder macht?

Macht ja jeder so, ist ja langweilig :D

nicht "Gast" schrieb:
> Theoretisch ginge das schon. Man koennte die Saettigungsspannung ablesen
> und daraus Vth ableiten. Bei realen MOSFET waere dies aber ziemlich
> ungenau.

Um da was Sinnvolles abzulesen müsste schon alleine die Diagramme viel 
genauer gezeichnet sein. So ist es mehr ein Glücksspiel den halbwegs 
belastbarer Aussage zur Schwellspannung.

Man könnte natürlich aus der Kennlinienschar einen 
Kurvenfit(Optimierung) mit der Formel für Id(Ugs) machen. Am Schluss 
kommt dann ein Ugs heraus das die kleinste Abweichung zu der Kurvenschar 
hat.

Hm. Ich nehme immer das Gate-Charge Diagramm und denke mir noch 0,5 bis 
1V jeweils nach oben UND unten am Gate dazu. Damit ist der 
Toleranzbereich typischerweise abgedeckt. Wie gesagt, ich spreche vom 
vermuteten PowerMOSFET.

Ansonsten ist ein einfacher Weg noch über SPICE.