Induktivität SOT23

[Hans-Peter (Gast)]

Hallo,

kann mir jemand sagen wie groß die Anschlussinduktivitäten eines ganz 
normalen Transistors im SOT23 Gehäuse sind? Ich bisher noch keine 
Information darüber in einem Datenblatt gesehen.

Hans-Peter

[Falk B. (falk)]

@  Hans-Peter (Gast)

>kann mir jemand sagen wie groß die Anschlussinduktivitäten eines ganz
>normalen Transistors im SOT23 Gehäuse sind? Ich bisher noch keine
>Information darüber in einem Datenblatt gesehen.

Wieviel GHz willst du denn dem Transistor zumuten? Selbst ein um 
Größenordnungen größeres TO220 hat um die 6nH Anschlußinduktivität. Bei 
SOT23 würde ich auf knapp 1nH tippen, ggf. weniger.

[Johannes E. (cpt_nemo)]

Hier ein Auszug aus dem Spice-Models eines HF-Transistors (BFR91A):

.SUBCKT BFR93A 1 2 3
Q1 6 5 7 7 BFR91A
* SOT23 parasitic model
               Lb  4 5 .4n 
               Le  7 8 .83n
               L1  2 4 .35n
               L2  1 6 .17n
               L3  3 8 .35n
              Ccb  4 6 71f
              Cbe  4 8 2f
              Cce  6 8 71f

Die Induktivitäten liegen also unterhalb 1nH, der Emitter hat mit ca. 
0,9 nH den größten Wert.

[Anja (Gast)]

Johannes E. schrieb:
> der Emitter hat mit ca.
> 0,9 nH den größten Wert.

Dafür hat man den Kollektor unterschlagen.

Allgemein kann man 0.3-1nH/mm (Bond-)Drahtlänge veranschlagen. Je 
kleiner die Stromschleifenfläche umso geringer die Induktivität.

Gruß Anja

[Johannes E. (cpt_nemo)]

Anja schrieb:
> Dafür hat man den Kollektor unterschlagen.

Die Induktivitäten Lb und Le sind die Bond-Drähte an Basis und Emitter. 
Der Kollektor hat keinen Bond-Draht, da das die unterseite des Chips 
ist.

Die Induktivitäten L1, L2 und L3 sind die Gehäuse-Beinchen (L1 - B, L2 - 
C, L3 - E).

Der Kollektor wurde also nicht unterschlagen.

[Anja (Gast)]

Johannes E. schrieb:
> Der Kollektor wurde also nicht unterschlagen.

Dann stimmt aber diese Aussage nicht ganz:

Johannes E. schrieb:
> Die Induktivitäten liegen also unterhalb 1nH, der Emitter hat mit ca.
> 0,9 nH den größten Wert.

Der Emitter hat ja dann Le = 0.83 + L3 = 0.35 = 1.18nH in Summe.

Gruß Anja

[Arno H. (arno_h)]

Infineon hat öfter das Ersatzschaltbild des Gehäuses mit im DB, siehe 
Beispiel im Anhang.

Arno