Maximal zulässige Spannung an Common Source Dual N-MOSFET

Gast #2885722 
Hallo,

ich entwickele gerade einen "Schalter" für Wechselstrom. Er besteht aus 
einem Gate-Treiber (ASSR-V621) und zwei Power-N-MOSFETS in einem Gehäuse 
(FDS6912A Alternativ FDS3890). Die MOSFETS sind jeweils am Gate und 
Source miteinander verbunden. Damit soll ein Solid State Relay 
nachgebildet werden.
Die zulässige Betriebsspannung soll später auf max. 20V spezifiziert 
werden.
Jedoch möchte ich sichergehen dass bei Transienten die MOSFETS keinen 
SChaden nehmen und deswegen die Bauteile für höhere Spannungen auslegen

Meine Fragen:

- Wie hoch ist die zulässige Lastspannung (Drain-Drain) wenn ein 
Transistor max. 30V zwischen Drain und Source verträgt ?
- Ist bei dieser Beschaltung Schutz vor zu hoher Gate-Source Spannung 
nötig ?

Vielen Dank schonmal !
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Gast 
Irgendwie hab ich den Eindruck, dass du das mit dem Wechselstromschalter 
nicht so ganz verstanden hast.

Bei der Schaltung im Anhang dürfte es leichter sein, die auftretenden 
Spannungen abzuschätzen - oder gar von LTspice anzeigen zu lassen.

Wenn du das Gate zusätzlich schützen willst, sollte eine passende 
TVS-Diode ausreichen. Gibt es auch schon integriert.
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@  Sebastian (Gast)

>ich entwickele gerade einen "Schalter" für Wechselstrom. Er besteht aus
>einem Gate-Treiber (ASSR-V621) und zwei Power-N-MOSFETS in einem Gehäuse
>(FDS6912A Alternativ FDS3890).

Sowas gibt es schon fertig, nennt sich PhotoMOS Relais von Panasonic.

>Jedoch möchte ich sichergehen dass bei Transienten die MOSFETS keinen
>SChaden nehmen und deswegen die Bauteile für höhere Spannungen auslegen

Wenn deine Transienten sich daran halten ;-)

>- Wie hoch ist die zulässige Lastspannung (Drain-Drain) wenn ein
>Transistor max. 30V zwischen Drain und Source verträgt ?

30V. Ein Transistor ist immer rückwärts durch seine Bodydiode leitfähig, 
der andere sperrt.

>- Ist bei dieser Beschaltung Schutz vor zu hoher Gate-Source Spannung
>nötig ?

Würde ich machen.
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@  Sebastian (Gast)

>... oder eben von AVAGO. Allerdings ist eine diskrete Lösung flexibler
>und günstiger

Auch so? Na dann beweis das mal. Die Photomos sind zwar nicht billig, 
dafür alles kompakt in einem kleine IC, SO8 oder DIL6.
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Gast 
Ich weiß nicht was das SSR von Panasonic kostet, aber der ASSR-1611 von 
AVAGO liegt bei 4.09 Euro. Um ihn zu ersetzen braucht man den ASSR-V621 
vom Gleichen Hersteller für 3.08. Er enthält 2 Treiber also 1,54 Pro 
Switch. Dazu kommt z.B der Dual-MOSFET SH8K32 von ROHM für 1.37 Euro 
(der hat sogar eine eingebaute GS-Schutzdiode).

Gesamtpreis: 2,91E --> Ersparnis: 1.18E

Schaltgeschwindigkeit und Strombelastbarkein sind auch besser.
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Gast 
Sebastian schrieb:
> acswitch schrieb:
>> Irgendwie hab ich den Eindruck, dass du das mit dem Wechselstromschalter
>> nicht so ganz verstanden hast.
> Was meinst du damit ? Die zweipolige Abschaltung ?

Das hat sicher dazu beigetragen; Hauptgrund war aber deine Frage nach 
der zulässigen Lastspannung.
Denn die Annahme, dass zwei antserielle Mosfet ohne besondere Maßnahmen 
die Spannungsfestigkeit verdoppeln könnten ist, sagen wir einmal, sehr 
optimistisch, auch wenn diese Kombination, so wie in deiner Schaltung, 
zweimal vorhanden ist.
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Gast 
Wenn du die Figure 1 meinst, so sind für mich die MOV eine besondere 
Maßnahme. Allerdings ist deine Schaltung, bei der die Last zwischen den 
einzelnen SSR liegt, dabei eher kontraproduktiv.
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Gast 
acswitch schrieb:
> Allerdings ist deine Schaltung, bei der die Last zwischen den
> einzelnen SSR liegt, dabei eher kontraproduktiv.

Ja ich beziehe mich auf Figure 1. Aber wieso ist es von Nachteil die 
Last zwischen die Relais zu schalten ?
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