Russischer analog-IC.simulation.

[Holm T. (Gast)]

Ich habe mal vor über 10 Jahren von einem Litauer eine Kiste mit 
unterschiedlichen russischen Ics geschenkt bekommen, zusammen mit einem 
Datenbuch. Da sind teilweise recht interessante Sachen drin, z.B. ICs im 
TO99 Gehäuse, kleine Vorverstärker auch Zeug ähnlich CA3005 usw..
Ich habe gerade einen IC am Wickel der sich K1UB221W nennt (К1УБ221В)
oder aber acuh K122UB1W (К122УБ1В). Das Ding nennt sich Videoverstärker 
und ich mache mir gerade Gedanken darüber ob es als ZF Verstärker für 
eine 10,7 bzw. 18Mhz 1.ZF eines Kurzwellenempfängers brauchbar ist...
Abgesehen davon das mit einem К231US1 auch ein Chip mit Videoverstärker 
bezeichnet ist für den eine Grenzfrequenz von 50 bzw. 100Khz angegeben 
wird
und ich mich frage was das soll, habe ich versucht diesen IC mal mit 
LTSpice zu simulieren. Q4 dürfte ja nichts weiter als eine Diode in 
Sperrrichtung darstellen, aber je nach ausgewähltem Transistor 
unterscheidet sich doch stark was da hinten heraus kommt. Was macht das 
Ding?
R7 ist extern, damit gedachte ich eine AGC zu realisieren, der Rest bsi 
auf die Quellen und die Kondensatoren befindet sich im IC. Ich weiß, 
ohne
sinnvolle Daten der integrierten Transistoren kommt da im Wesentlichen 
irgendwas heraus...
Hat Jemand eine Meinung dazu?

Gruß,

Holm

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Holm Tiffe schrieb:
> Q4 dürfte ja nichts weiter als eine Diode in
> Sperrrichtung darstellen, aber je nach ausgewähltem Transistor
> unterscheidet sich doch stark was da hinten heraus kommt. Was macht das
> Ding?

Z-Diode vielleicht?  B-E-Strecke eines Planartransistors wurde bei
Hagen Jakubaschk schon mal für sowas missbraucht. ;-)

[Holm T. (Gast)]

Die Spannung an dem Ding krebst nur bei 1,25V herum, jedenfalls in der 
Simulation...Bisschen knapp für eine Z-Diode.

Gruß,

Holm

[andreas6 (Gast)]

Hallo,

scheinbar simuliert Ltspice diese Schaltungsart eines Transistors nicht 
korrekt. Du kannst an den so als Zweipol geschalteten Transistor 
beliebig hohe Spannungen anlegen, ohne dass der mehr als einige nA 
zieht. Ich habe ein Dutzend npn-Typen drin gehabt, kaum Unterschiede. 
Möglicherweise enthalten die meisten Transistormodelle für diesen 
Betriebsfall keine sinnvollen Daten.

Löte es zusammen, dann spielt es auch. Der BE-Durchbruch kommt bei 
einigen Volt. Auch, wenn das die Simulation nicht hergibt.

MfG. Andreas

[Holm T. (Gast)]

Ja, ich weiß schon, 7 bis 7,5V ist i.A. die Durchbruchsspannung, aber 
das kann eigentlich nicht der Sinn dieses Transistors sein. Diese 
Spannung wird ja eigentlich nie erreicht. Die nominelle Betriebsspannung 
des Ics ist 12,6V
(vom W Typ, die das A Typs ist 6,3V).

R1 besteht eigentlich aus 2 Widerständen, am oberen Ende 1,7K an Ucc und 
4K am Kollektor, dazwischen ist ein Anschluß herausgeführt. Interessant 
ist, das ich bei der Simulation zu verschiedenen Ergebnissen zwischen 
5,7K und 4+1,7K komme, wenn ich eine Transientanalyse mache und Mit Vout 
anzeigen lasse (mit verschiedenen Werten für R7).

Komisch das...

Gruß,

Holm

[Joachim (Gast)]

Holm Tiffe schrieb:
> Q4 dürfte ja nichts weiter als eine Diode in
> Sperrrichtung darstellen, aber je nach ausgewähltem Transistor
> unterscheidet sich doch stark was da hinten heraus kommt. Was macht das
> Ding?


Kann es nicht sein, dass dessen Kapazität die Pointe ist und letzlich 
auch die Verstärkung bei höheren Frequenzen definiert?

Gruß

[Holm T. (Gast)]

Sowas mit der Kapazität (Kapazitätsdiode) ging mir auch schon durch den 
Kopf..
Ich bilde mir ein, einen internationalen Typ mit der welben 
Innenschaltung gesehen zu haben, bei dem das bewußte Teil auch als Diode 
eingezeichnet war...ich habe den Typ aber nicht wieder finden können.
Wollte noch shreiben das ich hier LTSPice V 4.17 habe..

Gruß,

Holm

[Joachim (Gast)]

Holm Tiffe schrieb:
> (Kapazitätsdiode)

Wobei es wohl überhaupt nicht um eine Spannungsabhängigkeit geht, 
sondern einfach nur um eine integrierte Kapazität von wenigen pF.


Gruß