Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik step-up LM3478 Dauerstrom


von Steffen F. (howlad)


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Hallo,

ich entwerfe zur Zeit einen Aufwärtswandler, der 4V auf 12V wandeln 
soll. Dabei fließen etwa 3A. Ich bin mir aufgrund der relativ hohen 
Leistung nicht sicher, welcher Schaltregler das im Dauerbetrieb 
verkraften kann.
Im Auge habe ich den LM3478 von TI 
(http://www.ti.com/lit/ds/snvs085u/snvs085u.pdf)
Weiß jemand Rat? Was wäre eine Alternative?

Vielen Dank
Steffen

von U. B. (Gast)


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Der ausgangsseitige Mosfet nebst den Teilen drumherum müssen das 
"können".

von Steffen F. (howlad)


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Da dachte ich an den SiR812DP 
(http://www.vishay.com/docs/63551/sir812dp.pdf)
Allerdings bin ich bei der Transistor Auswahl etwas unsicher den 
richtigen auszuwählen... Rein von den Daten her kämen ja tausende in 
Betracht. Wonach entscheidet man welcher man nimmt?

von Bernd K. (bmk)


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Der genannte siR812DP hat zwar einen super niedrigen Rdson von
1,xx mOhm aber einen einen gigantischen Wert für Qg (109 nC)

Das setzt einen entsprechend leistungsstarken Treiber voraus,
der das Gate schnell genug umladen kann. Dann gehts.

Diese Eigenschaft dürfte beim LM3748 eher nicht vorhanden sein.
Sieht man daran, dass ein MOSFET IRF7807 mit Qg = 17 nC im Vorschlag
verwendet ist. Hat dann eher 'gemütliche' Rdson = 25mOhm.

Ich würde da nach einem MOSFET Ausschau halten, der Qg um die 17 nC
liegt und trotzdem einen niedrigen Rdson hat. Beispiel:

http://de.mouser.com/ProductDetail/Texas-Instruments/CSD17303Q5/?qs=sGAEpiMZZMsrr1kXJis%252bJ7Xgj8hYqTyjNIgzkPrQJSs%3d

von Steffen F. (howlad)


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Vielen Dank für die Antwort. Ich habe mich am WE weiter mit Transistoren 
beschäftigt und viel mehr verstanden. Was ich noch nicht herausfinden 
konnte ist, wie ich herausfinde, ob der Transistor für 3A-Dauerbetrieb 
geeignet ist. Könnte man ihn leistungsfähiger machen durch Anbringen 
einer Kühlrippe?
Grüße
Steffen

von Michael A. (Gast)


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Steffen Fre schrieb:
> Könnte man ihn leistungsfähiger machen durch Anbringen
> einer Kühlrippe?

Die Leistung am FET hängt hauptsächlich davon ab, wie schnell und oft er 
geschaltet wird. Die Verlustleistung durch RDSon dürfte kaum auffallen.
Kühlkörper hilft natürlich, wenn der FET sonst an eine thermische Grenze 
geht, aber oft geht es ohne.

von Steffen F. (howlad)


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Ich hoffe ich nerve nicht schon, ich habe noch eine Frage:

Ich will das ganze selber löten, am liebsten natürlich nicht SMD. Gibt 
es geeignete Transistoren für through-hole oder zumindest in einem 
Gehäuse, das sich mit Adapter einigermaßen ordentlich löten lässt? Oder 
vielleicht eine Seite, die baugleiche Bauteile in verschiedenen Gehäusen 
ausgeben kann?

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