Ich suche nach Lösungen, um mehrere (8) recht große (30A) High-side FETs
galvanisch getrennt (auch voneinander) zu schalten. Die
Potenzialdifferenz kann 400V betragen und die Schaltgeschwindigkeit muss
im µs-Bereich liegen.
Bislang setze ich Optokoppler und kommerzielle DC/DC Konverter ein, das
wird aber zu groß und zu teuer und auch die Lösungen von Analog Devices
werden bei der benötigten Stückzahl teuer...
Gibt es da billigere Lösungen?
Ich hätte dir zu genau den AD-Treibern geraten.
Bei großen MOSFETs (haben große Kapazitäten) braucht es sehr große
Ansteuerströme (1A aufwärts!) um Schaltzeiten im µs-Bereich zu bekommen.
Bei den hohen Spannungen kommt dich eine diskrete Lösung teurer!
Die 8 fetten MOSFETs waren dir nicht zu teuer, aber bei der Ansteuerung
willst du geizen??
Georg schrieb:> Bislang setze ich Optokoppler und kommerzielle DC/DC Konverter ein, das> wird aber zu groß und zu teuer
Hast du da Zahlen dafür? Wie groß? Wie teuer?
Gate Übertrager funktionieren bei mir leider nicht, da ich 100%
Duty-Cycle brauche. Also ist eine galvanisch getrennte Versorgung und
eine getrennt eansteuerung erforderlich.
Wenn man mal die Dokumente studiert und etwas drüber nachdenkt, kann man
auch mit einem sehr kleinen Übertrager 100% Tastverhältnis erreichen.
Stichwort Entmagnetisierung mit geringem Strom, Remanenzkurve.
Georg schrieb:> Bislang setze ich Optokoppler und kommerzielle DC/DC Konverter ein,
Kannst du die Highside-Transistoren vielleicht mit einer
Bootstrap-Versorgung betreiben? Das würde vermutlich am meisten
Kostenersparnis bringen.
Ansonsten könntest du für die potentialfreie Versorgung auch einen
ungeregelten Durchflusswandler mit z.B. 4 Sekundärwicklungen verwenden
(jewils für 4 Mosfets), also zwei solcher Wandler für alle Mosfets
zusammen. Je nach Stückzahl könnte es günstiger sein, Übertrager mit
jeweils 2 Sekundärwicklungen zu verwenden; da braucht man zwar doppelt
so viele, dafür sind sie entsprechend kleiner und billiger.
Was kosten denn deine Optokoppler im Moment? Ich denke nicht, dass
andere Technologien (z.B. Adum) billiger sind, die haben eher den
Vorteil, dass sie eine geringere Propagation-Delay haben.
Brauchst du eine galvanische Trennung zwischen Treiber und Low-Side
Potential? Wenn nicht, könnte ein Highside-Treiber wie z.B. ein FAN73711
interessant sein. Falls du doch eine galvanische Trennung brauchst, dann
könnte man einen 4-Kanal Optokoppler oder Adum nehmen mit der
Ausgangsseite auf Low-Side Potential und dann 4 Highside-Treiber ohne
Potentialtrennung.
Bootstrap geht nicht, da ich 100% PWM brauche.
Die galvanische trennung ist prinzipiell nicht nötig, sondern nur wegen
der Potenzialdifferenzen.
Ein einfacher Spannungswandler wäre natürlich eine gute Lösung, welche
Bauteile gibt es da? Habe z.B. den MAX845 gefunden, bei dem brauche ich
dann aber entweder einen Übertrager mit Windungsverhältnis >1:2 um ~10V
auf der galvanisch getrennten Seite zu bekommen. Ich habe eine 12V
Spannungsversorgung (stabil), der MAX845 verträgt aber max. 6V. Oder
gibt es was ähnliches mit H-Brücke um noch höhere Spannungen oder
galvanisch getrennte +-12V zu erzeugen um den NMOS sicherer
abzuschnüren?
http://www.mikrocontroller.net/attachment/163278/an-950.pdf
Figure 7, Seite 3
Ansteuerung mit einem Puls 10V/1us, das reicht zum schalten. Danach
negativer Puls mit 0,5V/20us. Schwups ist der Kern wieder
entmagnetisiert, ohne dass der Mosfet abgeschaltet wurde. Für das
Abschalten das Gleiche mit anderer Polarität. Damit ab un an das Gate
nachgeladen wird, muss man halt per Taktgenerator alle paar ms einen
Refreshpuls erzeugen, sollte aber kein großes Problem sein.
Einfach und preiswert ohne exotische Bauteile. Spannungsfeste Übertrager
braucht man so oder so. Müssen aber keine sichere Trennung haben, damit
werden sie klein und billig. Z.B. 7156951 bei RS Components
http://de.rs-online.com/web/p/ringkern-transformatoren/7156951
Siehe Anhang. Der TLC555 macht ein Rechtecksignal mit ca. 5%
Tastverhältnis und 40kHz, macht ~1uS breite Pulse. Die gehen einmal
normal und einmal invertiert auf den Leistungstreiber IC2, der als
H-Brücke den Übertrager ansteuert. Der Kondensator hält den Gleichanteil
vom Trafo fern. Der Steuereingang ON_OFF steuert die Invertierung des
Rechtecksignals, sodass man einmal 5% und einem 95% Tastverhältnis
erreicht. Duch den Kondensator C1 wird daraus 5% positiver Puls und 5%
negativer Puls. Im Moment ist er für Schaltströme von ca. 1A für 1us
ausgelegt.
Njoy
Georg schrieb:> Oder> gibt es was ähnliches mit H-Brücke um noch höhere Spannungen oder> galvanisch getrennte +-12V zu erzeugen um den NMOS sicherer> abzuschnüren?
Da brauchst du keine H-Brücke, es geht auch ein
Halbbrücken-Gegentaktwandler.
So wie hier, aber ohne die Speicherdrossel am Ausgang:
http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/hgw_smps.html
Sekundärseitig kann man da im Prinzip beliebig viele Wicklungen drauf
machen und die Ausgangsspannung lässt sich über die Windungszahl
einstellen.
Statt der beiden Mosfets kann man bei kleinen Leistungen einen
Gate-Treiber-IC mit internen Mosfets verwenden.
Falk Brunner schrieb:> Ansteuerung mit einem Puls 10V/1us, das reicht zum schalten. Danach> negativer Puls mit 0,5V/20us. Schwups ist der Kern wieder> entmagnetisiert, ohne dass der Mosfet abgeschaltet wurde. Für das> Abschalten das Gleiche mit anderer Polarität. Damit ab un an das Gate> nachgeladen wird, muss man halt per Taktgenerator alle paar ms einen> Refreshpuls erzeugen, sollte aber kein großes Problem sein.
Ein kleiner Nachteil bleibt aber. Wenn die Primärseite ausfällt und
nicht immer On-Impulse nachschiebt wird das Gate der Leistungsfets nur
durch die Selbstentladung entladen. Damit floatet der Fet schön langsam
durch die Kennlinie und raucht sicher bei genügend Last ab. Bei vielen
Anwendungen würde ich Bauchschmerzen kriegen, wenn zum sicheren
Ausschalten ein Impuls kommen MUSS. Das Ausbleiben der Impulse vom GDT
sollte reichen um einen sichern Zustand herzustellen. Eventuell übersehe
ich ja auch was.
@ temp (Gast)
>Ein kleiner Nachteil bleibt aber. Wenn die Primärseite ausfällt und>nicht immer On-Impulse nachschiebt wird das Gate der Leistungsfets nur>durch die Selbstentladung entladen. Damit floatet der Fet schön langsam>durch die Kennlinie und raucht sicher bei genügend Last ab. Bei vielen>Anwendungen würde ich Bauchschmerzen kriegen, wenn zum sicheren>Ausschalten ein Impuls kommen MUSS.
Stimmt, aber das ist ja keine vollständige, erprobte Schaltung sondern
eine Idee. Für die sichere Abschaltung packt man halt ein retriggerbares
Monoflop ans Gate und schaltet beim Ausbleiben der Steuerpulse aus.
Ach ja, kleiner Nachtrag. Man braucht nur einen Leistungstreiber als
Halb-Brücke, nicht zwei. Denn mit zwei hat man am Ausgang die doppelte
Spannung, was hier ~24V wären, die man aber eher nicht für eine
MOSFET-Ansteuerung braucht. Also einfach ein Ende des Trafos auf GND.
Damit reduziert sich auch der Aufwand auf EIN XOR Gatter. Damit braucht
der OP für seine 8 Kanäle nur 4x ICL7667 und 2x4030. Wenn das nicht
preiswert ist?!?
Da ich auf die galvanische Trennung verzichten kann, wären ja High-side
Treiber (IR2xxx etc.) eine Lösung, solange sie mit >200V umgehen können.
Da ich ja 100% ON benötige halt nicht mit einer Bootstrap-Schaltung
sondern mit einem möglichst einfachen DC/DC Konverter versorgt.
Oder gibt es da was mit eingebauter Charge Pump und einer möglichen
Schaltspannung von >200V?
@ Gregor B. (gbo)
>http://www.ti.com/lit/an/slva444/slva444.pdf
Naja, zwischen einer Handvoll Volt Eingangsspannug und 400VDC ist dann
doch ein kleiner Unterschied. Klar kann man auch eine 400V Kaskade
bauen, aber irgendwann wird es albern.
@ Georg (Gast)
Was passt dir denn an meiner Idee nicht? Einfacher und billiger geht es
kaum.
Falk Brunner schrieb:>>http://www.ti.com/lit/an/slva444/slva444.pdf>> Naja, zwischen einer Handvoll Volt Eingangsspannug und 400VDC ist dann> doch ein kleiner Unterschied. Klar kann man auch eine 400V Kaskade> bauen, aber irgendwann wird es albern.
Diese Schaltung ist nicht wirklich für hohe Spannungen geeignet.
Ich setzte diese Schaltung aus einer App-Note von IRF (s. 18) in einem
Projekt mit 360V DC-Spannung ein:
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf
Den 100k-Widerstand muss man natürlich an die Spannung anpassen.
@ Johannes E. (cpt_nemo)
>Ich setzte diese Schaltung aus einer App-Note von IRF (s. 18) in einem>Projekt mit 360V DC-Spannung ein:>http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf
Clever! Aber warum baut sowas kein Hersteller schon in seine ICs ein,
der Aufwand ist doch eher gering?