Hallo liebe Forumgemeinde. Seit paar Tagen bin ich auf ein Problem gestoßen, das mich bei meiner Arbeit stoppt. Ich soll einen Schlüssel auf 2 antiparallel geschalteten RB IGBT’s bauen. Ich benutze ACPL-312T-000E IGBT Treiber mit einem Ausgang für die Ansteuerung. Mein Problem besteht darin, dass ich nicht weiß wie ich die beide IGBTs beschalten soll. Die Beschaltung wie H-Brücke passt hier nicht wirklich, da die Bauelemente entgegen zu einander beschaltet sind. Wenn ich einen von beiden Emittern auf AGND ziehe, funktioniert meine Schaltung nur mit positiver bzw. negativer Halbwelle. Ich weiß aber nicht wie ich das ganze beschalten soll, damit auch beide halbwellen gleichzeitig angesteuert werden? Auf dem Bild sieht man ganz normale IGBT’s mit einer Diode. Diese Anordnung nähert sich zur RB IGBT.
@Alex Pood (pood) >gestoßen, das mich bei meiner Arbeit stoppt. Ich soll einen Schlüssel >auf 2 antiparallel geschalteten RB IGBT’s bauen. Was soll dann das sein, ein RB IGBT? > Ich benutze >ACPL-312T-000E IGBT Treiber mit einem Ausgang für die Ansteuerung. Mein >Problem besteht darin, dass ich nicht weiß wie ich die beide IGBTs >beschalten soll. Nicht wie im Bild, denn das Bezugspotential ist immer der Emitter, und der ist bei antiparalleler Verschaltung für beide IGBTs eben NICHT gleich. Was soll das Ganze überhaupt? Schalten von Wechselspannung? Sind da zwei antiserielle IGBTs nich besser? Denn dann kann man mit einem Gatetreiber beide IGBTs schalten, eben weil die Emitter verbunden sind.
Falk Brunner schrieb: > Was soll dann das sein, ein RB IGBT? RB IGBT ist ein IGBT der in beide Richtungen sperren kann. Auf meinem Bild ist die Sparfähigkeit wird mit der zusätzliche Diode erreicht. In einem RB IGBT ist die Diode schon mit eingebaut. Ein Beispiel habe ich jetzt hochgeladen. Falk Brunner schrieb: > Nicht wie im Bild, denn das Bezugspotential ist immer der Emitter, und > der ist bei antiparalleler Verschaltung für beide IGBTs eben NICHT > gleich. Genau hier ist mein Problem, dass ich nicht weiß wie ich das ganze beschalten soll, da das Bezugspotential bei antiparalleler Verschaltung ungleich ist. Ich habe es mir überlegt für jeden IGBT ein Treiber zu spendieren und über DC/DC Wandler das ganze anzusteuern. Die Schaltung wird aber wesentlich teurerer und ich muss mein uC umprogrammieren. Die Problematik bleibt aber, da wie schon oben gesagt wurde, die Emitterpotentiale ungleich sind. Es soll Wechselspannung schalten. PWM bzw. ein Schaltmuster generiere ich mit dem uC.
Wenn Du eh Dioden hast, nimm doch eine schnelle Diodenbrücke und setz nur einen Igbt in die Mitte.
Reflex schrieb: > Wenn Du eh Dioden hast, nimm doch eine schnelle Diodenbrücke und setz > nur einen Igbt in die Mitte. Das wäre eine Möglichkeit, kommt bei mir nicht wirklich in Frage da ich die Anordnung nicht ändern darf.
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